气敏电阻的制造方法及使用该方法制造的气体传感器技术

本发明专利技术提供一种气敏电阻的制造方法及使用该方法制造的气体传感器，包括如下步骤：步骤1，在硅片的背面用两阶刻蚀法制作空硅腔体；步骤2，在硅片的正面用同一金属层同时制作加热电阻和气敏电阻的测量电极；步骤3，在硅片的正面制作气敏电阻以及加热电阻的电极。与现有技术相比，本发明专利技术的有益效果如下：采用干法湿法两步工艺，可以明显提高刻蚀的效率和质量。工艺流程可以使用一层金属布线同时实现气敏电阻的加热功能和电阻测试功能，简化工艺。气敏材料的测量采用四端的Kevin结构，可以同时精确测量材料的电阻率变化。本发明专利技术采用Lift‑off工艺制作气敏电阻和铝金属连线，可以独立制作多个气敏材料的传感单元。同时可以与低成本的铝铜金属布线工艺兼容。

【技术实现步骤摘要】
气敏电阻的制造方法及使用该方法制造的气体传感器
本专利技术涉及一种传感器的制造方法，特别是一种气敏电阻的制造方法及使用该方法制造的气体传感器。
技术介绍
用气敏金属氧化物检测气体的传感器已经被研究多时，相关的专利也有申请和授予。因为金属氧化物的气敏特性只有在较高的温度下才能表现出来，通常的气体传感器需要有加热功能和绝热功能。因此，气体传感器的结构比较复杂。一般的结构具有以下几个部分：硅背面空腔结构；金属加热层，连线金属层，以及气敏材料层。传统的此类气敏传感器有以下几个缺点：(1)干法刻蚀制作硅空腔的选择性差，使得结构不均匀不稳定；(2)加热电阻与气敏电阻的电极连线用不同的金属层，使得结构复杂，一致性差；(3)只能做一种气敏材料，难以做多种气体传感器；(4)难以与成本低廉，工艺可靠的铝铜金属布线工艺兼容。环境的质量与人们的生活和工作舒适度，健康息息相关。近几年来，随着人们对环境的要求越来越高，人们希望能有简单可靠，价格便宜的方法和产品检测环境空气的质量，比如一氧化碳，可燃性气体，乙醇，NO2等的不适或有毒气体在空气中的含量。利用金属氧化物的气敏特性来测量气体含量是一种比较常用的方法。但是，此类传感器制造工艺冗长，结构复杂，一致性和可靠性低。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种工艺简化、结构的稳定性高，而且可以在同一结构上制作多个气敏单元，实现多气体的检测功能的气敏电阻的制造方法及使用该方法制造的气体传感器。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种气敏电阻的制造方法，包括如下步骤：步骤1，在硅片的背面制作空硅腔体；步骤2，在硅片的正面制作加热电阻和气敏电阻测量电极；步骤3，在硅片的正面制作加热电阻电极。优选地，步骤1包括：步骤1，在硅片的背面用两阶刻蚀法制作空硅腔体；步骤2，在硅片的正面用同一金属层同时制作加热电阻和气敏电阻的测量电极；步骤3，在硅片的正面制作气敏电阻以及加热电阻的电极。优选地，步骤1包括：步骤1.1，在硅片的正面和背面同时生长第一介质层；步骤1.2，在硅片背面进行光罩感光；步骤1.3，用干法刻蚀背面的硅片衬底，形成一阶硅空腔；步骤1.4，用湿法刻蚀背面的硅片衬底，直至第一介质层，形成的二阶硅空腔；一阶硅空腔和二阶硅空腔合成空硅腔体。优选地，步骤2包括：步骤2.1，在第一介质层上用物理气相沉积法淀积金属薄膜层；步骤2.2，对金属薄膜层进行光刻和干法刻蚀，形成四个气敏电阻测量电极及加热电阻；步骤2.3，在金属薄膜层上用等离子体增强化学气相沉积法淀积第二介质层；步骤2.4，对第二介质层进行光刻和干法刻蚀，在第二介质层上形成贯穿第二介质层的第一接触孔；步骤2.5，在第二介质层上涂布光刻胶；步骤2.6，对光刻胶进行光罩感光和显影，得到金属氧化物气敏电阻图形，显影后气敏电阻图形内的光刻胶被显影液去除，图形外的光刻胶保留；步骤2.7，在光刻胶及第二介质层上用物理气相沉积法淀积金属氧化物薄膜，金属氧化物薄膜在气敏电阻图形内覆盖第二介质层和四个气敏电阻测量电极和加热电阻；金属氧化物薄膜在气敏电阻图形外覆盖光刻胶；步骤2.8，去除光刻胶，将气敏电阻图形外覆盖光刻胶的金属氧化物薄膜去除，留下气敏电阻图形内的金属氧化物薄膜；步骤2.9，对金属氧化物薄膜进行烘烤，形成气敏电阻。优选地，步骤3包括：步骤3.1，对非金属氧化物薄膜覆盖的第二介质层进行光刻和刻蚀，在第二介质层上Pad区域形成贯穿第二介质层的第二接触孔，并同时保留光刻胶；步骤3.2，在光刻胶及第二接触孔上用物理气相沉积法淀积合金薄膜；步骤3.3，去除光刻胶，使合金薄膜形成Pad图形，Pad合金薄膜通过第二接触孔与下面的加热电阻的金属薄膜层或气敏电阻的测量电极的金属薄膜层连接。优选地，第一介质层的厚度为0.5微米～2微米，第一介质层的材质为氧化硅或氮化硅；第二介质层的厚度为100纳米～1000纳米，第二介质层的材质为氧化硅或氮化硅。优选地，步骤1.3中，用干法刻蚀背面的硅片衬底，剩余的硅片衬底的厚度为10微米～100微米，形成一阶硅空腔。优选地，金属薄膜层的厚度为100纳米～2微米，金属薄膜层的材质为耐熔金属，优选为金属钨或钨钛合金。优选地，金属氧化物薄膜的厚度为100纳米～800纳米，金属氧化物薄膜的材质为气敏材料，优选为SnO2、ZnO、TiO2或经过Fe、Zn、Pt或Pd掺杂的SnO2、ZnO或TiO2；合金薄膜的厚度为0.5微米～3微米，合金薄膜的材质为铝铜合金或铝铜硅合金。优选地，步骤2.9中，在真空或氮气气氛中对金属氧化物薄膜进行烘烤，烘烤的温度为在300℃～900℃，时间为10分钟～8小时。一种气体传感器，气体传感器采用气敏电阻的制造方法制造。与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：采用干法湿法两步工艺，可以明显提高刻蚀的效率和质量。工艺流程可以使用一层金属布线同时实现气敏电阻的加热功能和电阻测试功能，简化工艺。气敏材料的测量采用四端的Kevin结构，可以同时精确测量材料的电阻率变化。本专利技术采用Liftoff工艺制作气敏电阻和铝金属连线，可以独立制作多个气敏材料的传感单元。本专利技术的工艺流程同时可以与成熟的低成本的铝铜金属布线工艺兼容，有利于产品的量产化。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征目的和优点将会变得更明显。图1为本专利技术气敏电阻的制造方法示意图一图2为本专利技术气敏电阻的制造方法示意图二图3为本专利技术气敏电阻的制造方法示意图三图4为本专利技术气敏电阻的制造方法示意图四图5为本专利技术气敏电阻的制造方法示意图五图6为本专利技术气敏电阻的制造方法示意图六图7为本专利技术气敏电阻的制造方法示意图七图8为本专利技术气敏电阻的制造方法示意图八图9为本专利技术气敏电阻的制造方法示意图九。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本专利技术，但不以任何形式限制本专利技术。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本专利技术的保护范围。如图1～图9所示，本专利技术气敏电阻的制造方法，包括：步骤1：在100晶向的N型或P型硅片1上正反面生长氧化硅或氮化硅第一介质层2，厚度在0.5微米至2微米之间；步骤2：在硅片背面做第一次光罩3(感光)；步骤3：先用干法刻蚀背面硅衬底，剩余硅厚度约在10微米到100微米之间，形成一阶硅空腔4；步骤4：再做湿法刻蚀背面硅片1，停止在表面的第一介质层2上，形成二阶硅空腔5，一阶硅空腔4和二阶硅空腔5合成空硅腔体8；由于湿法硅刻蚀对介质层有很好的选择性，因此刻蚀自动停止在介质层上，工艺稳定，结构可靠。步骤5：用PVD淀积金属薄膜层6，厚度在100纳米至2微米之间，材料可以为金属钨，或钨钛合金，或其它耐熔金属。金属薄膜层6同时起到两个重要功能：一是作为加热电阻，二是作为测量气敏金属氧化物的电极。步骤6：在金属薄膜层6上做第二次正面光刻和干法刻蚀，形成加热电阻和气敏电阻的测量电极。步骤7：在金属薄膜层6上面用PECVD工艺淀积氧化硅或氮化硅第二介质层7，厚度在100纳米1000纳米之间。步骤8：在氧化硅或氮化硅第二介质层7上做第三次正面光刻和第2介质层刻蚀，得到第一接触孔9。第一接触孔9暴露出来的是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气敏电阻的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在硅片的背面用两阶刻蚀法制作空硅腔体；步骤2，在硅片的正面用同一金属层同时制作加热电阻和气敏电阻的测量电极；步骤3，在硅片的正面制作气敏电阻以及加热电阻的电极。

【技术特征摘要】
1.一种气敏电阻的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在硅片的背面用两阶刻蚀法制作空硅腔体；步骤2，在硅片的正面用同一金属层同时制作加热电阻和气敏电阻的测量电极；步骤3，在硅片的正面制作气敏电阻以及加热电阻的电极。2.根据权利要求1所述的气敏电阻的制造方法，其特征在于，步骤1包括：步骤1.1，在硅片的正面和背面同时生长第一介质层；步骤1.2，在硅片背面进行光罩感光；步骤1.3，用干法刻蚀背面的硅片衬底，形成一阶硅空腔；步骤1.4，用湿法刻蚀背面的硅片衬底，直至第一介质层，形成的二阶硅空腔；一阶硅空腔和二阶硅空腔合成空硅腔体。3.根据权利要求2所述的气敏电阻的制造方法，其特征在于，步骤2包括：步骤2.1，在第一介质层上用物理气相沉积法淀积金属薄膜层；步骤2.2，对金属薄膜层进行光刻和干法刻蚀，形成四个气敏电阻测量电极及加热电阻；步骤2.3，在金属薄膜层上用等离子体增强化学气相沉积法淀积第二介质层；步骤2.4，对第二介质层进行光刻和干法刻蚀，在第二介质层上形成贯穿第二介质层的第一接触孔；步骤2.5，在第二介质层上涂布光刻胶；步骤2.6，对光刻胶进行光罩感光和显影，得到金属氧化物气敏电阻图形，显影后气敏电阻图形内的光刻胶被显影液去除，图形外的光刻胶保留；步骤2.7，在光刻胶及第二介质层上用物理气相沉积法淀积金属氧化物薄膜，金属氧化物薄膜在气敏电阻图形内覆盖第二介质层和四个气敏电阻测量电极和加热电阻；金属氧化物薄膜在气敏电阻图形外覆盖光刻胶；步骤2.8，去除光刻胶，将气敏电阻图形外覆盖光刻胶的金属氧化物薄膜去除，留下气敏电阻图形内的金属氧化物薄膜；步骤2.9，对金属氧化物薄膜进行烘烤，形成气敏电阻。4.根据权利要求3所述的气敏电阻的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖建文，
申请(专利权)人：上海申矽凌微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31