一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法技术

一种用于高压陶瓷的半导体釉，所述半导体釉由以下重量份的原料组成：氧化镁17‑28份，碳酸钡15‑25份，氧化钴9‑12份，石英5‑7份，氧化铝粉12‑15份，石灰5‑8份，蛭石8‑10份，膨润土12‑15份，粉末状二氧化钛17‑28份，珍珠岩15‑25份，氧化铁9‑12份，白釉基料20‑25份，光泽剂8‑10份，防腐蚀剂5‑7份。本发明专利技术采用了特有的陶瓷釉料配方以及制作工艺，得到的半导体釉，具有较强的抗腐蚀性能，涂覆在高压电瓷外表面长时间保持性能稳定，表面光泽，使用寿命长，尤其适合用在环境恶劣的自然条件中。

Semiconductor glaze used for high pressure ceramic and preparation method thereof

A semiconductor for high voltage ceramic glaze, the semiconductor glaze by weight of raw materials: Magnesium Oxide 17 28 copies, 25 copies of 15 barium carbonate, cobalt oxide, 9 12 copies, 7 copies of 5 quartz, alumina 12 lime 5 15 copies, 8 copies, 8 10 vermiculite a bentonite 12 15 copies, 17 copies of 28 titanium dioxide powder, perlite 15 25 copies, 12 copies of 9 iron oxide, white base material 20 25 copies, 10 copies of 8 gloss agent, corrosion inhibitor 5 7. The invention adopts the unique ceramic glaze formulation and fabrication process of semiconductor, the glaze, with strong anti-corrosion coating, maintain stable performance in high voltage porcelain outer surface long time surface gloss, long service life, especially suitable for use in harsh natural conditions.

【技术实现步骤摘要】
一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法
本专利技术涉及陶瓷釉料
，具体涉及一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法。
技术介绍
随着陶瓷制品进入千家万户，陶瓷釉料为陶瓷制品不可缺少的装饰材料，现有的陶瓷釉料按照类别与用途可以大致分类如下：1、铅釉和无铅釉；2、生料釉与熔块釉；3、一次烧成或二次烧成用釉；4、瓷砖，餐具，卫生陶瓷与电瓷用釉；5、按施釉方法划分的浸釉、喷釉、浇釉；6、高温釉和低温釉；7、高膨胀釉和低膨胀釉；8、烧成气氛氧化焰、中性焰和还原焰；9、颜色釉与无色釉；10、透明釉与乳浊釉；11、光泽釉、无光釉、半无光釉或花纹釉等等。半导体釉是一种用于高压电磁而具有特殊性能的釉，其表面电阻率介于绝缘体与导体之间。该釉通常是在普通电瓷釉中加入一定量(约30％)的导电性金属氧化物或化合物构成。形成的显微结构与普通釉不同，在半导体釉中除了含有大量的玻璃相及少量气泡外，还含有各种形态的导电结晶或固溶体，这些导电相贯穿于玻璃基质之间，构成不间断的导电网络。由于半导体釉涂覆在高压电磁外表面，容易受到外界环境的腐蚀，发生各种电化腐蚀，同时现有半导体釉抗污能力差。
技术实现思路
本专利技术为解决上述问题，提供一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法。本专利技术所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现：一种用于高压陶瓷的半导体釉，所述半导体釉由以下重量份的原料组成：氧化镁17-28份，碳酸钡15-25份，氧化钴9-12份，石英5-7份，氧化铝粉12-15份，石灰5-8份，蛭石8-10份，膨润土12-15份，粉末状二氧化钛17-28份，珍珠岩15-25份，氧化铁9-12份，白釉基料20-25份，光泽剂8-10份，防腐蚀剂5-7份；所述白釉基料由以下重量份的原料组成：钾长石3-7份，氧化锌5-9份，新会粉8-15份，水洗高岭土4-9份，星子高岭土5-8份，滑石8-15份，石灰石4-7份，硅酸锆2-6份。所述光泽剂由以下重量份的原料组成：硫酸锌3-7份，碳酸钠2-5份，钛白粉1-3份，丙炔醇4-7份，丁炔二醇2-6份，吡啶嗡盐3-5份。所述防腐蚀剂由以下重量份的原料组成：羟基乙叉二膦酸2-3份，羟基乙叉二膦酸钠3-5份，聚丙烯酸2-6份，亚硝酸盐6-8份。一种用于高压陶瓷的半导体釉制备方法，包括以下步骤：(1)称取配方比的各组分，混合均匀，得混合料；(2)将混合料过60～80目筛后，在900～1000℃下熔炼1.5～2小时，接着在1300～1500℃下，熔炼1～2小时，然后水淬，得到块状釉料；(3)将块状釉料经湿法球磨后，过筛除杂得到釉浆，将釉浆施于坯体表面，干燥至釉浆中的水分小于1％后，分别在1000～1100℃和1200～1250℃下交替烧制2～3次，每次烧制时间为20～30分钟，冷却后，得到陶瓷釉料。本专利技术的有益效果为：本专利技术采用了特有的陶瓷釉料配方以及制作工艺，得到的半导体釉，具有较强的抗腐蚀性能，涂覆在高压电瓷外表面长时间保持性能稳定，表面光泽，使用寿命长，尤其适合用在环境恶劣的自然条件中。半导体釉层对漏电产生吸附效应，避免漏电直接传输到输电线杆上，组成半导体釉中的氧化铝成分具有极强的耐高温性能，增强了绝缘陶瓷的耐高温性能，延长了其使用寿命，二氧化钛被认为是世界上性能最好的白色颜料，可以产生一种光亮的、硬而耐酸的表面；绝缘陶瓷表面为高能面，被水浸润后形成连续水膜，易于形成导电通路，半导体釉层可避免形成水膜。具体实施方式：为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合实施例，进一步阐述本专利技术。实施例1一种用于高压陶瓷的半导体釉，所述半导体釉由以下重量份的原料组成：氧化镁17份，碳酸钡15份，氧化钴9份，石英5份，氧化铝粉12份，石灰5份，蛭石8份，膨润土12份，粉末状二氧化钛17份，珍珠岩15份，氧化铁9份，白釉基料20份，光泽剂8份，防腐蚀剂5份；所述白釉基料由以下重量份的原料组成：钾长石3份，氧化锌5份，新会粉8份，水洗高岭土4份，星子高岭土5份，滑石8份，石灰石4份，硅酸锆2份。所述光泽剂由以下重量份的原料组成：硫酸锌3份，碳酸钠2份，钛白粉1份，丙炔醇4份，丁炔二醇2份，吡啶嗡盐3份。所述防腐蚀剂由以下重量份的原料组成：羟基乙叉二膦酸2份，羟基乙叉二膦酸钠3份，聚丙烯酸2份，亚硝酸盐6份。实施例2一种用于高压陶瓷的半导体釉，所述半导体釉由以下重量份的原料组成：氧化镁23份，碳酸钡20份，氧化钴11份，石英6份，氧化铝粉14份，石灰6份，蛭石9份，膨润土13份，粉末状二氧化钛23份，珍珠岩20份，氧化铁11份，白釉基料23份，光泽剂9份，防腐蚀剂6份；所述白釉基料由以下重量份的原料组成：钾长石5份，氧化锌7份，新会粉12份，水洗高岭土7份，星子高岭土6份，滑石11份，石灰石5份，硅酸锆4份。所述光泽剂由以下重量份的原料组成：硫酸锌5份，碳酸钠4份，钛白粉2份，丙炔醇5份，丁炔二醇4份，吡啶嗡盐4份。所述防腐蚀剂由以下重量份的原料组成：羟基乙叉二膦酸2份，羟基乙叉二膦酸钠4份，聚丙烯酸4份，亚硝酸盐7份。实施例3一种用于高压陶瓷的半导体釉，所述半导体釉由以下重量份的原料组成：氧化镁28份，碳酸钡25份，氧化钴12份，石英7份，氧化铝粉15份，石灰8份，蛭石10份，膨润土15份，粉末状二氧化钛28份，珍珠岩25份，氧化铁12份，白釉基料25份，光泽剂10份，防腐蚀剂7份；所述白釉基料由以下重量份的原料组成：钾长石7份，氧化锌9份，新会粉15份，水洗高岭土9份，星子高岭土8份，滑石15份，石灰石7份，硅酸锆6份。所述光泽剂由以下重量份的原料组成：硫酸锌7份，碳酸钠5份，钛白粉3份，丙炔醇7份，丁炔二醇6份，吡啶嗡盐5份。所述防腐蚀剂由以下重量份的原料组成：羟基乙叉二膦酸3份，羟基乙叉二膦酸钠5份，聚丙烯酸6份，亚硝酸盐8份。一种用于高压陶瓷的半导体釉制备方法，包括以下步骤：(1)称取配方比的各组分，混合均匀，得混合料；(2)将混合料过60～80目筛后，在900～1000℃下熔炼1.5～2小时，接着在1300～1500℃下，熔炼1～2小时，然后水淬，得到块状釉料；(3)将块状釉料经湿法球磨后，过筛除杂得到釉浆，将釉浆施于坯体表面，干燥至釉浆中的水分小于1％后，分别在1000～1100℃和1200～1250℃下交替烧制2～3次，每次烧制时间为20～30分钟，冷却后，得到陶瓷釉料。通过本专利技术制备方法制备实施例1-3半导体釉并分别涂覆在绝缘陶瓷上，并与普通陶瓷各项参数进行对比，如下表所示：结果表面，使用涂覆本专利技术的半导体釉绝缘陶瓷各项指标均优于普通绝缘陶瓷。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本专利技术的优选例，并不用来限制本专利技术，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于高压陶瓷的半导体釉，其特征在于，所述半导体釉由以下重量份的原料组成：氧化镁17‑28份，碳酸钡15‑25份，氧化钴9‑12份，石英5‑7份，氧化铝粉12‑15份，石灰5‑8份，蛭石8‑10份，膨润土12‑15份，粉末状二氧化钛17‑28份，珍珠岩15‑25份，氧化铁9‑12份，白釉基料20‑25份，光泽剂8‑10份，防腐蚀剂5‑7份。

【技术特征摘要】
1.一种用于高压陶瓷的半导体釉，其特征在于，所述半导体釉由以下重量份的原料组成：氧化镁17-28份，碳酸钡15-25份，氧化钴9-12份，石英5-7份，氧化铝粉12-15份，石灰5-8份，蛭石8-10份，膨润土12-15份，粉末状二氧化钛17-28份，珍珠岩15-25份，氧化铁9-12份，白釉基料20-25份，光泽剂8-10份，防腐蚀剂5-7份。2.如权利要求1所述的一种用于高压陶瓷的半导体釉，其特征在于，所述白釉基料由以下重量份的原料组成：钾长石3-7份，氧化锌5-9份，新会粉8-15份，水洗高岭土4-9份，星子高岭土5-8份，滑石8-15份，石灰石4-7份，硅酸锆2-6份。3.如权利要求1所述的一种用于高压陶瓷的半导体釉，其特征在于，所述光泽剂由以下重量份的原料组成：硫酸锌3-7份，碳酸钠2-5份，钛...

【专利技术属性】
技术研发人员：许五妮，
申请(专利权)人：许五妮，
类型：发明
国别省市：安徽,34