过热保护电路制造技术

本发明专利技术提供了过热保护电路，包括：温变电压产生单元，通过对随温度升高而增大的与温度成比例的电压和随温度升高而降低的第一导通电压求和产生温变电压；以及防过热信号产生单元，比较所述温变电压和随温度升高而降低的第二导通电压，以产生防过热信号，其中，所述第一导通电压和所述第二导通电压具有相同分布。

Overheat protection circuit

The present invention provides an overheat protection circuit, including: temperature change voltage generating unit through increases with the increase of temperature and the temperature is proportional to the voltage and with the increase of temperature and decrease the voltage through the first guide for temperature change and voltage; and a generation unit overheating signal, comparing the voltage and temperature change with temperature increased the second conduction voltage to produce anti overheating signal, among them, the first voltage and the second voltage with the same distribution.

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2012年11月22日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0132966号的优先权，其披露通过引用结合于此。
本专利技术涉及过热保护电路。
技术介绍
过热保护电路包含在半导体集成电路中，并且是用于当发生异常过热时保护半导体集成电路的电路。过热保护电路基于负温度特性配置，由此，双极结型晶体管（BJT）的基极与发射极之间的电压Vbe随温度升高以-2.2mV/℃的速率进行改变。然而，过热保护电路的操作温度根据BJT的基极与发射极之间的电压Vbe的分布而发生改变。专利文献1，即下述的相关技术文件，披露了一种热保护电路，但是没有披露将根据BJT的基极与发射极之间的电压Vbe的分布而发生改变的操作温度维持为恒定值的技术。【相关技术文献】（专利文献1）美国专利公开出版物US5654861。
技术实现思路
本专利技术的一个方面提供了一种过热保护电路，通过使用两个在其基极与发射极之间具有相同电压分布的双极结型晶体管（BJT）补偿基极与发射极之间的电压分布，该过热保护电路能够在恒定温度下运行。根据本专利技术的一个方面，提供了一种过热保护电路，包括：温变电压产生单元，通过对随温度升高而增大的与温度成比例的电压和随温度升高而降低的第一导通电压求和产生温变电压；以及防过热信号产生单元，比较温变电压和随温度升高而降低的第二导通电压，以产生防过热信号，其<br>中，第一导通电压和第二导通电压具有相同分布。与温度成比例的电压随温度升高而增大的增大速率可比第一导通电压随温度升高而降低的降低速率高。温变电压产生单元可包括与温度成比例的电压产生单元，检测具有电流量随温度升高而增大的与温度成比例的电流，以产生与温度成比例的电压；以及分布校正单元，提供第一导通电压以校正第二导通电压的分布。与温度成比例的电压产生单元可包括输出与温度成比例的电流的第一与温度成比例的电流源；以及第一电阻器，将与温度成比例的电流作为与温度成比例的电压检测。分布校正单元可包括第一双极结型晶体管（BJT），该BJT具有连接至与温度成比例的电压产生单元的集电极、连接至集电极的基极和连接至地的发射极，其中，第一BJT根据第一BJT的发射极与第一BJT的基极之间的电压提供第一导通电压。第二导通电压随温度升高而降低的降低速率等于第一导通电压随温度升高而降低的降低速率。防过热信号产生单元可包括：比较器，比较温变电压和第二导通电压；以及反相器，根据比较器的比较结果产生防过热信号。比较器可包括第二与温度成比例的电流源，产生与第一与温度成比例电流源的电流相同的电流量；以及第二BJT，具有连接至第二与温度成比例的电源的集电极、具有在其上施加温变电压的基极和连接至地的发射极，其中，第二BJT根据第二BJT的发射极与第二BJT的基极之间的电压提供第二导通电压。比较器可进一步包括连接带隙电路，该带隙电路连接在第二BJT的发射极与地之间，调整第二导通电压。反相器可包括P沟道场效应晶体管，该P沟道场效应晶体管具有连接至第二与温度成比例的电流源和第二BJT的集电极的连接点的栅极、其上施加驱动电压的源极和连接至输出防过热信号的输出端的漏极；以及连接在漏极和地之间的恒流源。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种过热保护电路，包括：温变电压产生单元，通过对随温度升高而增大的与温度成比例的电压和随温度升高而降低的第一导通电压求和产生温变电压；基准电压产生单元，提供随温度升高而降低的第三导通电压作为基准电压；以及防过热信号产生单元，比较温变电压和基准电压，以产生防过热信号，其中，第一导通电压和第三导通电压具有相同分布。与温度成比例的电压随温度升高而增大的增大速率可比第一导通电压随温度升高而降低的降低速率高。温变电压产生单元可包括：与温度成比例的电压产生单元，检测具有电流量随温度升高而增大的与温度成比例的电流，以产生与温度成比例的电压；以及分布校正单元，提供第一导通电压以校正第三导通电压的分布。与温度成比例的电压产生单元可包括输出与温度成比例的电流的第一与温度成比例的电流源；以及第一电阻器，将与温度成比例的电流作为与温度成比例的电压检测。分布校正单元可包括第一双极结型晶体管（BJT），该BJT具有连接至与温度成比例的电压产生单元的集电极、连接至集电极的基极以及连接至地的发射极，其中，第一BJT根据第一BJT的发射极与第一BJT的基极之间的电压提供第一导通电压。第三导通电压随温度升高而降低的降低速率等于第一导通电压随温度升高而降低的降低速率。基准电压产生单元可包括：第三与温度成比例的电流源，产生与第一与温度成比例的电流源的电流相同电流量的电流；以及第三BJT，具有连接至第三与温度成比例的电流源的集电极、连接至集电极的基极和连接至地的发射极，其中，第三BJT根据第三BJT的发射极与第三BJT的基极之间的电压提供第三导通电压。比较器可进一步包括带隙电路，该带隙电路连接在第三BJT的发射极与地之间，调整第三导通电压。防过热信号产生单元可包括比较器，该比较器在第一导通电压等于或高于第三导通电压时输出防过热信号。比较器可包括向其施加温变电压的同相端，向其施加第三导通电压的反相端，和输出防过热信号的输出端。附图说明结合附图并根据以下详细描述，将更清晰地理解本专利技术的上述和其他方面、特征以及其他优点，其中：图1为一般过热保护电路实例的电路图；图2A和图2B为示出根据图1的过热保护电路的温度升高而产生防过热信号的过程的曲线图；图3为另一个一般过热保护电路实例的电路图；图4A和图4B为示出根据图3的过热保护电路的温度升高而产生防过热信号的过程的曲线图；图5A和图5B为示出根据图1和图3所示的BJT的基极与发射极之间的电压分布的防过热温度分布；图6为根据本专利技术实施方式的过热保护电路的电路图；图7A至图7C为由温变电压产生单元产生的电压曲线图，该温变电压产生单元为根据本专利技术实施方式的过热保护电路的一个元件；图8A和图8B为示出根据图6的过热保护电路的温度升高而产生防过热信号的过程的曲线图；图9为根据本专利技术实施方式的过热保护电路的电路图；以及图10A和图10B为示出根据图9的过热保护电路的温度升高而产生防过热信号的过程的曲线图。具体实施方式在下文中，将参考附图对本专利技术的实施方式进行详细描述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过热保护电路，包括：温变电压产生单元，通过对随温度升高而增大的与温度成比例的电压和随温度升高而降低的第一导通电压求和产生温变电压；以及防过热信号产生单元，比较所述温变电压和随温度升高而降低的第二导通电压，以产生防过热信号，其中，所述第一导通电压和所述第二导通电压具有相同分布。

【技术特征摘要】
2012.11.22 KR 10-2012-01329661.一种过热保护电路，包括：
温变电压产生单元，通过对随温度升高而增大的与温度成比例
的电压和随温度升高而降低的第一导通电压求和产生温变电压；以
及
防过热信号产生单元，比较所述温变电压和随温度升高而降低
的第二导通电压，以产生防过热信号，
其中，所述第一导通电压和所述第二导通电压具有相同分布。
2.根据权利要求1所述的过热保护电路，其中，所述与温度成比例的
电压随温度升高而增大的增大速率比所述第一导通电压随温度升高
而降低的降低速率高。
3.根据权利要求2所述的过热保护电路，其中，所述温变电压产生单
元包括：
与温度成比例的电压产生单元，检测具有电流量随温度升高而
增大的与温度成比例的电流，以产生所述与温度成比例的电压；以
及
分布校正单元，提供第一导通电压用于校正所述第二导通电压
的分布。
4.根据权利要求3所述的过热保护电路，其中，所述与温度成比例的
电压产生单元包括：
第一与温度成比例的电流源，输出所述与温度成比例的电流；
以及
第一电阻器，将所述与温度成比例的电流作为与温度成比例的
电压所述检测。
5.根据权利要求3所述的过热保护电路，其中，所述分布校正单元包
括第一双极结晶体管（BJT），所述双极结型晶体管具有连接至所述
与温度成比例的电压产生单元的集电极、连接至所述集电极的基极
和连接至地的发射极，
其中，所述第一双极结晶体管根据所述第一双极结晶体管的发
射极与所述第一双极结晶体管的基极之间的电压提供所述第一导通
电压。
6.根据权利要求1所述的过热保护电路，其中，所述第二导通电压随
温度升高而降低的降低速率等于所述第一导通电压随温度升高而降
低的降低速率。
7.根据权利要求4所述的过热保护电路，其中，所述防过热信号产生
单元包括：
比较器，比较所述温变电压和所述第二导通电压；以及
反相器，根据所述比较器的比较结果产生所述防过热信号。
8.根据权利要求7所述的过热保护电路，其中，所述比较器包括：
第二与温度成比例的电流源，产生与所述第一与温度成比例的
电流源的电流相同的电流量；以及
第二双极结晶体管，具有连接至所述第二与温度成比例的电流
源的集电极、具有在其上施加所述温变电压的基极和连接至地的发
射极，
其中，所述第二双极结晶体管根据所述第二双极结晶体管的发
射极与所述第二双极结晶体管的基极之间的电压提供所述第二导通
电压。
9.根据权利要求8所述的过热保护电路，其中，所述比较器进一步包
括带隙电路，所述带隙电路连接在所述第二双极结晶体管的发射极
与地之间，调整所述第二导通电压。
10.根据权利要求8所述的过热保护电路，其中，所述反相器包括：
P沟道场效应晶体管，具有连接至所述第二与温度成比例的电
流源和所述第二双极结晶体管的集电极的连接点的栅极，在其上施
加驱动电压的源极，和连接至输出所述防过...

【专利技术属性】
技术研发人员：许畅宰，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR