A IGBT drive signal hardware interlock and dead time setting circuit, including two pull-up resistors, four resistors, four capacitors, two diodes, four NAND gate chip and two chip, the invention of the IGBT drive signal hardware interlock and dead time setting circuit is mainly realized by Schmidt and NAND chips Schmidt not dead set chip, mainly through the timing resistor and capacitor to realize. When the dead time between the input signal and the circuit on the bridge under the bridge of the input signal is greater than the dead time setting circuit, the system will ignore the dead time setting circuit according to the dead time given the dead time setting system; when the minimum dead time of dead time on the bridge between the input signal and the input signal of the bridge circuit is less than the set. The system in accordance with the mandatory minimum dead time given dead time has been set up, and the IGBT driver is more secure and more effective to improve the security level of the whole control system function.
【技术实现步骤摘要】
一种IGBT驱动信号硬件互锁和死区设置电路
:本专利技术涉及电学领域,尤其涉及逆变器技术,特别是一种IGBT驱动信号硬件互锁和死区设置电路。
技术介绍
:IGBT—绝缘栅型晶体管,借助其工作电压高,工作电流大,开关频率高,驱动电路简单的优点,目前已经成为中大型功率变频器领域应用最为广泛的电力电子开关元件。IGBT模组因其内部封装多个IGBT单体,体积小,功率密度高,易于装配而逐渐成为变频器功率元件的首选。死区时间主要是针对IGBT开关管来说的,理想情况下,逆变器的单桥臂的IGBT总是互补地导通和关断。由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容,所以会造成器件导通关断的延迟现象。一般在设计电路时已尽量降低该影响,比如尽量提高控制极驱动电压电流,设置结电容释放回路等。为了使IGBT工作可靠,避免由于关断延迟效应造成上、下桥臂直通,有必要设置死区时间,也就是上、下桥臂同时关断时间。死区时间可有效地避免延迟效应所造成的一个桥臂未完全关断、而另一桥臂又处于导通状态,避免直通损害模块。因此,在实际应用中,使同一桥臂的上下IGBT的导通和关断错开一定的时间,即死区时间,以保证同一 ...
【技术保护点】
一种IGBT驱动信号硬件互锁和死区设置电路,包括第一上拉电阻器、第二上拉电阻器、第三电阻器、第四电阻器、第五电阻器、第六电阻器、第一电容器、第二电容器、第三电容器、第四电容器、第一二极管、第二二极管、第一与非门芯片、第二与非门芯片、第三非门芯片、第四与非门芯片、第五与非门芯片和第六非门芯片,其特征在于:所述的上桥输入信号通过第三电阻器连接第一与非门芯片的两个输入脚,所述的第三电阻器通过第三电容器连接地端,第一与非门芯片的两个输入脚连接第二与非门芯片的第一输入脚,所述的第一与非门芯片的输出端连接第一二极管的阴极,所述的第一二极管的阳极连接第五与非门芯片的第一输入脚,并通过第一 ...
【技术特征摘要】
1.一种IGBT驱动信号硬件互锁和死区设置电路,包括第一上拉电阻器、第二上拉电阻器、第三电阻器、第四电阻器、第五电阻器、第六电阻器、第一电容器、第二电容器、第三电容器、第四电容器、第一二极管、第二二极管、第一与非门芯片、第二与非门芯片、第三非门芯片、第四与非门芯片、第五与非门芯片和第六非门芯片,其特征在于:所述的上桥输入信号通过第三电阻器连接第一与非门芯片的两个输入脚,所述的第三电阻器通过第三电容器连接地端,第一与非门芯片的两个输入脚连接第二与非门芯片的第一输入脚,所述的第一与非门芯片的输出端连接第一二极管的阴极,所述的第一二极管的阳极连接第五与非门芯片的第一输入脚,并通过第一上拉电阻器连接电源端,通过第五电阻器和第一电容器连接地端,所述的下桥输入信号...
【专利技术属性】
技术研发人员:李大伟,马岭,杨文杰,竺仁杰,徐锋,
申请(专利权)人:华域汽车电动系统有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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