一种纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板及制备方法技术

一种纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板及制备方法，包括以下步骤：在陶瓷基板上进行精密线路刻蚀形成LED光源金属导电层、LED光源N极和LED光源P极，该LED光源N极和LED光源P极均与LED光源金属导电层电连接；通过化学和电火花放电合成制备纳米Ag复合焊膏层，将该纳米Ag复合焊膏层印刷或涂覆于LED光源金属导电层上，以加压加热的方式使纳米Ag复合焊膏层与陶瓷基板烧结连接；将LED倒装芯片覆合在Ag纳米复合焊膏层上，进行LED光源封装，制作得到具有LED光源的陶瓷基板。本发明专利技术的导电和导热率较高，能够在300℃以上的高温环境下使用，耐高温性较佳。

Ceramic substrate for nano Ag composite solder paste LED light source and preparation method thereof

The ceramic substrate and the preparation method of nano Ag composite solder paste LED light source, which comprises the following steps: precise line etching to form conductive metal layer, LED light source LED light source N pole and LED pole P light source on a ceramic substrate, the LED light source N pole and LED pole are connected with the light source P LED light source electric conductive metal layer the chemical and electrical discharge; the synthesis of nano sized Ag composite solder layer, the nano Ag composite solder paste printing or coating layer on the LED light metal conducting layer, with pressurized heating to make nano Ag composite solder layer connection and ceramic sintering; LED flip chip covered in Ag nano composite solder layer on the LED source package, made from ceramic substrate with LED light source. The present invention has high conductivity and heat conductivity and can be used at high temperature above 300 DEG C, and has better high-temperature resistance.

【技术实现步骤摘要】
一种纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板及制备方法
本专利技术属于LED光源封装技术的应用领域，具体涉及一种纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板及制备方法。
技术介绍
随着基于第三代半导体材料电子器件，包括大功率LED、电子器件和微波射频器件等，向着高速化、多功能、小型化的方向发展，电子系统中的功率密度随之增加，因此散热问题越来越严重。散热不良将导致LED光源的性能恶化、结构损坏、分层或烧毁。据计算，在基准温度（100℃）以上，工作温度每升高25℃，电路的失效率就会增加5-6倍。良好的高集成、高导热LED光源散热依赖于优化的散热结构设计、封装材料选择及封装制造工艺等。因此具有高导热率的器件封装结构，衬底材料，热界面材料以及封装技术的研究开发对未来大功率功率、高性能器件与电路的发展尤为重要。LED高功率器件芯片（如倒装焊FlipChip）工艺是将芯片有源区面对基板，通过芯片上呈阵列排列的焊料凸点实现芯片和填充的材料与基板线路的互连。但是通过芯片上的凸点和使用填充的材料与基板线路的互连封装工艺，存在着极大的缺陷：由于晶片、焊料和基底热胀系数的不同，在高温度变化时焊点可能承受很大应力；同时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板，包括陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板上设有光源N极、光源P极和LED光源金属导电层，该LED光源金属导电层一端通过线路与光源N极连接、另一端通过线路与光源P极连接，LED光源金属导电层上设有纳米Ag复合焊膏层，该纳米Ag复合焊膏上贴装有与LED光源金属导电层电连接的LED倒装芯片。

【技术特征摘要】
1.一种纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板，包括陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板上设有光源N极、光源P极和LED光源金属导电层，该LED光源金属导电层一端通过线路与光源N极连接、另一端通过线路与光源P极连接，LED光源金属导电层上设有纳米Ag复合焊膏层，该纳米Ag复合焊膏上贴装有与LED光源金属导电层电连接的LED倒装芯片。2.根据权利要求1所述的纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板为氧化铝陶瓷基板或氮化铝陶瓷基板。3.根据权利要求2所述的纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板，其特征在于，所述纳米Ag复合焊膏层以印刷或者涂覆方式设在LED光源导电金属层上，并且以加压加热的方式使米Ag复合焊膏层与陶瓷基板烧结连接。4.根据权利要求3所述的纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡西多，童玉珍，郑小平，
申请(专利权)人：东莞理工学院，
类型：发明
国别省市：广东,44