基底和包括多个该基底的多重基底以及用于其制造的方法技术

本发明专利技术涉及一种基底，所述基底具有陶瓷板或陶瓷层(21)和平面地固定在陶瓷层(21)的至少一个表面侧上的至少一个金属层(22)，所述金属层在至少一个边缘区域(23，24，25，26)上具有至少一个下沉部(27，28，29，30)。在此，至少一个下沉部(27，28，29，30)在边缘区域(23，24，25，26)中对信息进行编码。此外，本发明专利技术涉及一种包括多个所述基底的多重基底，以及涉及一种用于制造所述基底的方法。

Substrate and a multiple substrate including a plurality of substrates and methods for making the same

The invention relates to a substrate, the substrate has a ceramic plate or a ceramic layer (21) plane fixed in the ceramic layer (21) at least one metal layer and at least one side of the surface (22), the metal layer in at least one edge (23, 24, 25, 26) has at least one sink (27, 28, 29, and 30). Herein, at least one sink (27, 28, 29, 30) encodes the information in the edge regions (23, 24, 25, 26). In addition, the present invention relates to a multiple substrate including a plurality of said substrates and to a method for manufacturing the substrate.

【技术实现步骤摘要】
基底和包括多个该基底的多重基底以及用于其制造的方法
本专利技术涉及一种根据权利要求1的前序部分所述的基底、特别是陶瓷基底，以及涉及一种根据权利要求9的前序部分所述的多重基底。此外，本专利技术涉及一种用于制造基底的方法。
技术介绍
公知的是在多重用途部分(Mehrfachnutzen)中制造基底，特别也是制造具有由陶瓷、例如氧化铝陶瓷构成的绝缘层或载体层的基底，也就是说，通过将数个单个基底制造在共同的绝缘层和载体层上作为多重基底并且也装备电子元件，其中，多重基底接着被分离成或分成单个基底以用于其他应用。这种分离特别是在多重基底具有由陶瓷构成的绝缘层和载体层的情况下通过特别是借助于激光沿着由单个基底限界的切割线切割和/或通过沿着切割线或应断开线断开来实现。这种多重基底例如在DE19504378A1、DE4444680A1和DE9310299U1中被描述。前述的陶瓷基底被用于制造电路、特别是功率电路，并且通常在至少一个表面侧上设有金属化层，所述金属化层在使用蚀刻技术的情况下这样结构化，以使得所述金属化层形成对于电路所需要的印刷电路、接触面以及类似的结构。为了合理地制造电路而公知的是，在多重本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基底，所述基底具有陶瓷板或陶瓷层(21)和平面地固定在所述陶瓷层(21)的至少一个表面侧上的至少一个金属层(22)，所述金属层在至少一个边缘区域(23，24，25，26)上具有至少一个下沉部(27，28，29，30)，其特征在于，所述至少一个下沉部(27，28，29，30)在所述边缘区域(23，24，25，26)中对信息进行编码。

【技术特征摘要】
2016.03.07 EP 16158942.91.一种基底，所述基底具有陶瓷板或陶瓷层(21)和平面地固定在所述陶瓷层(21)的至少一个表面侧上的至少一个金属层(22)，所述金属层在至少一个边缘区域(23，24，25，26)上具有至少一个下沉部(27，28，29，30)，其特征在于，所述至少一个下沉部(27，28，29，30)在所述边缘区域(23，24，25，26)中对信息进行编码。2.根据权利要求1所述的基底，其特征在于，借助于所述至少一个下沉部(27，28，29，30)对所述信息进行二进制编码、位置编码或四进制编码。3.根据前述权利要求中任一项所述的基底，其特征在于，借助于所述至少一个下沉部(27，28，29，30)对所述信息进行反编码。4.根据前述权利要求中任一项所述的基底，其特征在于，所述下沉部(27，28，29，30)完全穿过所述金属层(22)的厚度。5.根据权利要求1至3中任一项所述的基底，其特征在于，所述下沉部(27，28，29，30)仅仅部分地进入到所述金属层(22)中。6.根据前述权利要求中任一项所述的基底，其特征在于，所述下沉部(27，28，29，30)朝所述陶瓷层(21)的边缘区域开口，该陶瓷层的边缘区域朝向所述金属层(22)的边缘区域(23，24，25，26)，在该金属层的边缘区域中布置有所述至少一个下沉部(27，28，29，3...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·罗特，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE