一种AlSiC底板及其安装孔防裂的方法技术

本发明专利技术公开了一种AlSiC底板及其安装孔防裂的方法，在加工碳化硅胚体用于容纳螺栓的通孔时，在通孔的两端边缘处开设倒角，再通过渗铝工艺并对通孔内的金属铝进行加工，形成AlSiC底板的安装孔。本发明专利技术通孔周边的铝层比较均匀，胚体渗铝完成后即使铝层较薄且铝层收缩后也不会使胚体外露，碳化硅胚体没有形状突变的区域，能够避免安装时应力在胚体通孔处的集中，减小了开裂的风险，避免了在安装孔处胚体碎裂而导致的功率半导体器件无法正常使用的后果，大大提高了AlSiC底板的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种AlSiC底板及其安装孔防裂的方法
本专利技术涉及电力电子领域，尤其是一种AlSiC底板及其安装孔防裂的方法。
技术介绍
AlSiC即铝碳化硅，是铝基碳化硅颗粒增强复合材料的简称。AlSiC是采用高科技手段将铝渗透进碳化硅的内部，形成内外一体，性质炯异的新型材料。AlSiC是金属基热管理复合材料，是电子元器件专用封装材料，主要是将铝与高体积分数的SiC复合成为低密度、高导热率和低膨胀系数的封装材料，以解决电子电路的热失效问题。由于功率半导体器件发热严重，工作温度较高，往往由于封装材料的热膨胀系数不匹配造成失效，AlSiC的热膨胀系数较铜更接近半导体器件，而且还具有重量轻、密度小、高刚度、不变形的特点，因此广泛应用于功率半导体行业。但是，AlSiC作为功率半导体器件的底板，两个较大表面往往采用一平一凸设计，其用于安装螺栓的通孔内留铝较多，且碳化硅胚体与铝的热膨胀系数有差异，铝的热膨胀系数较大，因此渗铝工序完成后，在通孔中的金属铝会向中间收缩，由于铝的收缩胚体通孔边角处的铝层非常薄加上胚体通孔处的应力集中，因此安装孔处胚体边角很容易开裂，甚至使碳化硅胚体外露，更加剧其边缘碎裂。在使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AlSiC底板及其安装孔防裂的方法，其特征在于，在加工碳化硅胚体(1)用于容纳螺栓的通孔(2)时，在通孔(2)的两端边缘处开设倒角，再通过渗铝工艺并对通孔内的金属铝(3)进行加工，形成AlSiC底板的安装孔。

【技术特征摘要】
1.一种AlSiC底板及其安装孔防裂的方法，其特征在于，在加工碳化硅胚体(1)用于容纳螺栓的通孔(2)时，在通孔(2)的两端边缘处开设倒角，再通过渗铝工艺并对通孔内的金属铝(3)进行加工，形成AlSiC底板的安装孔。2.根据权利要求1所述的一种AlSiC底板及其安装孔防裂的方法，其特征在于，所述倒角的倾斜角度为30°～60°。3.根据权利要求1所述的一种AlSiC底板及其安装孔防裂的方法，其特征在于，所述倒角为倒圆角。4.根据权利要求1所述的一种AlSiC底板及其安装孔防裂的方法，其特征在于，所述倒角的长度为0.5mm至3mm。5.根据权利要求1所述的一种AlSiC底板及其安装孔防裂的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐文辉，王玉林，滕鹤松，
申请(专利权)人：扬州国扬电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32