一种网状错位分布的HEMT阵列电控太赫兹波调制器制造技术

本发明专利技术提供了一种网状错位分布的HEMT阵列电控太赫兹波调制器，属于电磁功能器件技术领域。本发明专利技术提供的调制器由半导体材料衬底、异质结构材料外延层、人工微结构以及套接电路组成，通过施加外部电压信号，改变外延层中2‑DEG的浓度，由此改变人工微结构的电磁谐振模式，从而对太赫兹波实现幅度调制。本发明专利技术提供的调制器工作在电磁波透射状态下，并且拥有高达92.8％的调制深度以及600MHz以上的调制速率；可通过微细加工技术实现，制备工艺成熟可靠；属于空间外部太赫兹调幅器件，拥有独立的器件封装和馈电网络，极易于同各种太赫兹通信、成像或探测系统融合，在太赫兹无线通信、太赫兹波谱技术、太赫兹安检成像等领域具有很好的实际应用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种网状错位分布的HEMT阵列电控太赫兹波调制器
本专利技术属于电磁功能器件
，同时也属于包括调制器、滤波器、电控开关等在内的通信器件领域，具体涉及一种网状错位分布的HEMT(高电子迁移率晶体管)阵列电控太赫兹波调制器。
技术介绍
太赫兹波是一种介于光子学与电子学之间的新型电磁波谱，通常指频率位于0.1THz～10THz之内的电磁辐射。近年来，得益于太赫兹源与检测技术的飞速发展，基于太赫兹波的成像、频谱分析、电子信息、雷达定位等
表现出了极大的应用前景。同时，太赫兹无线通信技术作为太赫兹领域的重要方向之一，目前受到了世界各国的重视。太赫兹波作为无线通信载波，具有超高的带宽、良好的穿透能力(相比于红外与光通信)与优越的定向性。超高的带宽使得太赫兹波在未来超宽带通信、大容量无线数据传输、保密通信等民用与国防领域备受瞩目；由于太赫兹波波长位于0.03mm～3mm之间，因而具有良好的穿透能力，在浓烟、沙尘环境下可保持近距离宽带通信；太赫兹波的发散角相对较小，具有优越的定向性，因而在卫星点对点通信、短程大气通信与地面点对点通信中具有较小的功率损耗从而实现超大容量的空间点对点通信。作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种网状错位分布的HEMT阵列电控太赫兹波调制器，其特征在于，包括半导体衬底(1)、异质结构外延层(2)、调制单元阵列(5)和套接电路；所述异质结构外延层(2)设置于半导体衬底(1)的上表面；所述调制单元阵列(5)和套接电路设置于异质结构外延层(2)的上表面；所述调制单元阵列(5)中的每个调制单元包括源极谐振器(6)、漏极谐振器(7)、栅极连接线(8)、欧姆接触电极(9)和半导体掺杂异质结构(10)；所述源极谐振器(6)和所述漏极谐振器(7)是大小相同的“T”形结构；所述源极谐振器(6)和所述漏极谐振器(7)对称设置于栅极连接线(8)的两侧，互为镜像结构；所述栅极连接线(8)设置于半导体掺杂异...

【技术特征摘要】
1.一种网状错位分布的HEMT阵列电控太赫兹波调制器，其特征在于，包括半导体衬底(1)、异质结构外延层(2)、调制单元阵列(5)和套接电路；所述异质结构外延层(2)设置于半导体衬底(1)的上表面；所述调制单元阵列(5)和套接电路设置于异质结构外延层(2)的上表面；所述调制单元阵列(5)中的每个调制单元包括源极谐振器(6)、漏极谐振器(7)、栅极连接线(8)、欧姆接触电极(9)和半导体掺杂异质结构(10)；所述源极谐振器(6)和所述漏极谐振器(7)是大小相同的“T”形结构；所述源极谐振器(6)和所述漏极谐振器(7)对称设置于栅极连接线(8)的两侧，互为镜像结构；所述栅极连接线(8)设置于半导体掺杂异质结构(10)的上方，相邻调制单元的栅极连接线(8)相互连接；所述半导体掺杂异质结构(10)连接源极谐振器(6)和漏极谐振器(7)的“T”形结构横向短枝节；所述半导体掺杂异质结构(10)设置于源极谐振器(6)和漏极谐振器(7)的“T”形结构横向短枝节的下方；所述套接电路包括正电压加载电极(3)和负电压加载电极(4)；所述正电压加载电极(3)包括纵向设置的金属长条和正电极横向连接线阵列(3-1)；所述正电极横向连接线阵列(3-1)中每根金属线等间距排列且连接上一行调制单元中漏极谐振器(7)的“T”形结构纵向枝节末端和下一行调制单元中源极谐振器(6)的“T”形结构纵向枝节末端；所述负电压加载电极(4)为纵向设置的金属长条；所述负电压加载电极(4)与各行调制单元的栅极连接线(8)相连；所述调制单元有规律的呈网状错位分布于正电极横向连接线阵列(3-1)之间构成调...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雅鑫，赵运成，梁士雄，杨梓强，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51