一种低驱动电压铌酸锂电光调制器制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种低驱动电压铌酸锂电光调制器
本技术涉及光纤通信、相干光通信、微波光子学
，特别是涉及一种低驱动电压铌酸锂电光调制器。
技术介绍
电光调制器是光纤通信系统中的核心器件之一，承载着电信号向光信号进行转换的关键作用。随着通信技术的不断发展，以采用超低损耗的光纤作为信息传输介质的技术也被应用于相干光通信以及微波光子学等
在光纤通信特别是相干光通信系统中，所使用的光模块在向着低功耗的技术方向发展，而光模块功耗的降低必然要求电光调制器的驱动电压做进一步地降低。在微波光子学领域，电光调制器作为微波或毫米波信号加载到光信号的核心器件，其驱动电压的降低对于提升微波/毫米波光纤链路的链路增益、降低链路信噪比，起到了十分关键的作用。铌酸锂晶体以其较高的电光系数、热稳定性以及成熟的波导结构制备工艺，是当前商业化电光调制器产品中最为广泛采用的材料。然而，铌酸锂电光调制器目前仍存在着驱动电压较高的问题。铌酸锂电光调制器较高的驱动电压主要来自于以下两个方面：(1)铌酸锂电光调制器采用的是共面电极结构，加载在共面电极结构上的电场对光场的调制效率不高，增加了调制器驱动电压；(2)...
【技术保护点】
一种低驱动电压铌酸锂电光调制器，其特征在于，包括铌酸锂晶片(1)、脊型结构(2)、光学波导(3)、二氧化硅薄膜(4)、调制电极(5)，所述铌酸锂晶片(1)为铌酸锂单晶材料，晶体切向为X切Y传，厚度在0.1mm至2mm；所述脊型结构(2)制作于铌酸锂晶片(1)上，其宽度在1μm至10μm，高度在1μm至10μm；所述光学波导(3)采用钛扩散工艺或退火质子交换工艺制备，为直条结构，形成于脊型结构(2)中；所述二氧化硅薄膜(4)起到了减小速度失配、提升阻抗匹配的作用，其厚度在0.1μm至5μm；所述调制电极(5)为采用金或铝金属薄膜制成的行波式电极，电极厚度为1μm至30μm，调...
【技术特征摘要】
1.一种低驱动电压铌酸锂电光调制器，其特征在于，包括铌酸锂晶片(1)、脊型结构(2)、光学波导(3)、二氧化硅薄膜(4)、调制电极(5)，所述铌酸锂晶片(1)为铌酸锂单晶材料，晶体切向为X切Y传，厚度在0.1mm至2mm；所述脊型结构(2)制作于铌酸锂晶片(1)上，其宽度在1μm至10μm，高度在1μm至10μm；所述光学波导(3)采用钛扩散工艺或退火质子交换工艺制备，为直条结构，形成于脊型结构(2)中；所述二氧化硅薄膜(4)起到了减小速度失配、提升阻抗匹配的作用，其厚度在0.1μm至5μm；所述调制电极(5)为采用金或铝金属薄膜制成的行波式电极，电极厚度为1μm至30μm，调制电极(5)的边缘与脊型结构(2)的边缘有1μm至10μm的间隔，以避免调制电极(5)对脊型结构(2)中传输的光学模式的能量形成吸收，增大电光调制器的插入损耗。2.一种低驱动电压铌酸锂电光调制器，其特征在于，包括：铌酸锂晶片(1)、脊型结构(2)、光学波导(3)、二氧化硅薄膜(4)、调制电极(5)，所述铌酸锂晶片(1)为铌酸锂单晶材料，晶体切向为X切Y传，厚度在0.1mm至2mm；所述光学波导(3)采用钛扩散工艺或退火质子交换工艺制备，为MZ结构，形成于脊型结构(2)中；所述脊型结构(2)的宽度在1μm至10μm，高度在1μm至10μm，由于光学波导(3)为MZ结构，其中有Y分支形的弯曲部分，因此在制作脊型结构(2)时，只需在光学波导(3)的调制双臂左右侧进行精密切割，即切割位置位于调制双臂的左侧、中间和右侧，使光学波导(3)的调制双臂形成于脊型结构(2)中；所述二氧化硅薄膜(4)起到了减小速度失配、提升阻抗匹配的作用，其厚度在0.1μm至5μm；所述调制电极(5)采用金或铝金属薄膜制成的行波式电极，电极厚度为0.1μm至2μm，调制电极(5)的边缘与脊型结构(2)的边缘有1μm至10μm的间隔，以避免调制电极(5)对脊型结构(2)中传输的光学模式的能量形成吸收，增大电光调制器的插入损耗。3.一种低驱动电压铌酸锂电光调制器，其特征在于，包括基底晶片(6)、铌酸锂薄膜(7)、脊型结构(2)、光学波导(3)、调制电极(5)；所述基底晶片(6)作为铌酸锂薄膜(7)的衬底介质，为铌酸锂晶片以及减薄后的铌酸锂薄膜(7)提供支撑作用，基...
【专利技术属性】
技术研发人员：李萍，范宝泉，尚含予，
申请(专利权)人：天津领芯科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：天津,12
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