CMP设备内部喷洒系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种CMP设备内部喷洒系统，包括至少一根支撑杆，所述支撑杆连接在支撑装置上，支撑杆位于相邻两个研磨头之间；支撑杆的安装高度高于研磨头；在支撑杆上固定有喷洒器；所述喷洒器包括底座、底座内部的通道、转接头和喷嘴；两个转接头分别设在底座的两端，与通道连通，且所述转接头为倾斜角度转接头；喷嘴设在转接头上；底座固定在支撑杆上，底座上的两个喷嘴分别位于所在支撑杆的两侧，并朝向外侧下方。本实用新型专利技术可实现CMP设备内部环境的清洁，降低CMP工艺时颗粒密度，提高晶圆良率。

CMP internal sprinkler system

The utility model provides a CMP device internal spraying system, including at least a supporting rod, the supporting rod is connected on the supporting device, the supporting rods are located adjacent to the two grinding head; the supporting rod installation height above the grinding head; the supporting rod is fixed on the sprayer; the sprayer comprises a base, the base inside the channel, and the nozzle adapter; two adapter are respectively arranged at the two ends of the base, and the channel is connected to the adapter, and the adapter for tilt angle; nozzle is arranged on the adapter; the base is fixed on the supporting rod, both sides of the two nozzle on the base are located on the supporting rod, and toward the the lateral below. The utility model can realize the cleanness of the internal environment of the CMP equipment, reduce the particle density in the CMP process and improve the yield of the wafer.

【技术实现步骤摘要】
CMP设备内部喷洒系统
本技术涉及半导体设备化学机械抛光领域，尤其是一种CMP设备内的喷洒系统。
技术介绍
化学机械抛光（简称CMP）设备是半导体晶圆生产的重要设备，现有的CMP设备内部喷洒系统只能用于清洗研磨头，不能清洁机器内部其他部位，以致于研磨液挥发物会沉积污染机器内部，日积月累，大的挥发物颗粒会掉落在研磨垫上导致晶圆划伤，严重时会导致晶圆报废。
技术实现思路
针对现有技术中存在的不足，本技术提供一种CMP设备内部喷洒系统，相较于现有技术能够发挥更好的清洗作用，实现CMP设备内部环境的清洁，降低CMP工艺时颗粒密度，提高晶圆良率。本技术采用的技术方案是：一种CMP设备内部喷洒系统，包括至少一根支撑杆，所述支撑杆连接在支撑装置上，支撑杆位于相邻两个研磨头之间；支撑杆的安装高度高于研磨头；在支撑杆上固定有喷洒器；所述喷洒器包括底座、底座内部的通道、转接头和喷嘴；两个转接头分别设在底座的两端，与通道连通，且所述转接头为倾斜角度转接头；喷嘴设在转接头上；底座固定在支撑杆上，底座上的两个喷嘴分别位于所在支撑杆的两侧，并朝向外侧下方。更优地，支撑杆设有数根，连接在CMP设备大盘中央上方的支撑装置上，并呈放射状向大盘外侧边缘延伸。进一步地，转接头采用45度转接头。本技术的优点在于：1）能够清洁CMP设备内多处位置，清洁效果更好。2）减少CMP设备内部颗粒残留，提高晶圆的良率。附图说明图1为本技术的CMP设备结构示意图。图2为本技术的俯视角度示意图。图3为本技术的喷洒器结构示意图。具体实施方式下面结合具体附图和实施例对本技术作进一步说明。图1所示为CMP设备之重要部分，包括大盘1、抛光垫2、研磨头3、支撑装置4；抛光垫2设置在大盘1的一个表面；研磨头3设置在抛光垫2上方，其一种较优的排布方式是，如图2所示，围绕抛光垫2中心沿周向均布数个；研磨头3下端通过吸附或粘附方式固定住晶圆（图1、图2中未画出晶圆，实际位于研磨头3与抛光垫2之间，吸附或粘附在研磨头3下端）；研磨头3将晶圆压在抛光垫2上，晶圆的一个待抛光面与抛光垫2接触；大盘1在其驱动机构带动下转动，大盘1的驱动机构可安装在大盘1下方；同时研磨头3在其驱动机构作用下带动晶圆转动；此时晶圆相对抛光垫2就会形成围绕晶圆中心自转和围绕抛光垫2中心公转的状态，同时在抛光垫2上喷淋抛光液，晶圆表面就会被抛光；CMP设备内部喷洒系统，包括至少一根支撑杆5，所述支撑杆5连接在支撑装置4上，支撑杆5位于相邻两个研磨头3之间；支撑杆5的安装高度高于研磨头3；优选地，支撑杆5设有数根，连接在大盘1中央上方的支撑装置4上，并呈放射状向大盘1外侧边缘延伸；在支撑杆5上安装如图3所示的喷洒器6；所述喷洒器6包括底座601、底座601内部的通道602、转接头603和喷嘴604；通道602是去离子水的通路，两个转接头603分别设在底座601的两端，与通道602连通，且所述转接头603为倾斜角度转接头，方便喷嘴604向两侧的侧下方喷射去离子水；喷嘴604设在转接头603上；底座601固定在支撑杆5上，底座601上的两个喷嘴604分别位于所在支撑杆5的两侧，并朝向外侧下方；转接头603具体可采用45度转接头；工作时，去离子水通过底座601，再经过转接头603，从喷嘴604上向支撑杆5两侧侧下方的研磨头3喷洒去离子水，由于大盘1带动抛光垫2在转动，同时也可以对抛光垫2起到不间断的清洁作用。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMP设备内部喷洒系统，其特征在于，包括至少一根支撑杆(5)，所述支撑杆(5)连接在支撑装置(4)上，支撑杆(5)位于相邻两个研磨头(3)之间；支撑杆(5)的安装高度高于研磨头(3)；在支撑杆(5)上固定有喷洒器(6)；所述喷洒器(6)包括底座(601)、底座(601)内部的通道(602)、转接头(603)和喷嘴(604)；两个转接头(603)分别设在底座(601)的两端，与通道(602)连通，且所述转接头(603)为倾斜角度转接头；喷嘴(604)设在转接头(603)上；底座(601)固定在支撑杆(5)上，底座(601)上的两个喷嘴(604)分别位于所在支撑杆(5)的两侧，并朝向外侧下方。

【技术特征摘要】
1.一种CMP设备内部喷洒系统，其特征在于，包括至少一根支撑杆(5)，所述支撑杆(5)连接在支撑装置(4)上，支撑杆(5)位于相邻两个研磨头(3)之间；支撑杆(5)的安装高度高于研磨头(3)；在支撑杆(5)上固定有喷洒器(6)；所述喷洒器(6)包括底座(601)、底座(601)内部的通道(602)、转接头(603)和喷嘴(604)；两个转接头(603)分别设在底座(601)的两端，与通道(602)连通，且所述转接头(603)为倾...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦荣，
申请(专利权)人：吉姆西半导体科技无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32