一种室温附近的磁开关材料及其制备方法技术

一种室温附近的磁开关材料[C3‑MIM][Ni(mnt)2]及其制备方法。所述材料的化学式为C15H13N6NiS4，属于三斜晶系空间群P‑1，其中一个不对称单元包含一个有机阳离子和一个[Ni(mnt)2]

Magnetic switch material near room temperature and preparation method thereof

A near room temperature magnetic switch material [C3 MIM][Ni (MNT) 2] and its preparation method. The chemical formula of the material is C15H13N6NiS4, belonging to P three triclinic space group 1, one asymmetric unit contains an organic cation and a [Ni (MNT) 2]

【技术实现步骤摘要】
一种室温附近的磁开关材料及其制备方法
本专利技术属于磁开关材料领域，具体涉及一种室温附近的磁开关材料及其制备方法。
技术介绍
磁电阻材料(magneto-resistancematerial)是一种具有显著磁电阻效应的磁性材料。强磁性材料在受到外加磁场作用时引起的电阻变化，称为磁电阻效应。不论磁场与电流方向平行还是垂直，都将产生磁电阻效应。前者(平行)称为纵磁场效应，后者(垂直)称为横磁场效应。一般强磁性材料的磁电阻率(磁场引起的电阻变化与未加磁场时电阻之比)在室温下小于8％，在低温下可增加到10％以上。已使用的磁电阻材料主要有镍铁系和镍钴系磁性合金。室温下镍铁系坡莫合金的磁电阻率约1％～3％，若合金中加入铜、铬或锰元素，可使电阻率增加；镍钴系合金的电阻率较高，可达6％。与利用其他磁效应相比，利用磁电阻效应制成的换能器和传感器，其装置简单，对速度和频率不敏感。磁电阻材料已用于制造磁记录磁头、磁泡检测器和磁膜存储器的读出器等。随着微电子的迅速发展，分子水平的电子器件材料的研究越来越受到人们的关注。越来越多的双稳体系被用作分子基材料器件的载体，在温度传感器、光开关及信息记忆、储存等领域得本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种室温附近的磁开关材料[C3‑MIM][Ni(mnt)2]，其化学式为C15H13N6NiS4，属于三斜晶系空间群P‑1，其中一个不对称单元包含一个有机阳离子和一个[Ni(mnt)2]

【技术特征摘要】
1.一种室温附近的磁开关材料[C3-MIM][Ni(mnt)2]，其化学式为C15H13N6NiS4，属于三斜晶系空间群P-1，其中一个不对称单元包含一个有机阳离子和一个[Ni(mnt)2]-阴离子。2.根据权利要求1所述的磁开关材料[C3-MIM][Ni(mnt)2]，其特征在于，所述材料[C3-MIM][Ni(mnt)2]沿着晶体学a-轴方向形成独立柱状堆积，在[Ni(mnt)2]-阴离子堆积柱内相邻的阴离子形成阴离子二聚体；优选地，所述材料[C3-MIM][Ni(mnt)2]中[Ni(mnt)2]-柱内相邻的Ni…Ni距离为和3.权利要求1或2所述的室温附近的磁开关材料[C3-MIM][Ni(mnt)2]的制备方法，包括如下步骤：(1)向NiCl2·6H2O水溶液中加入Na2mnt的水溶液，反应后过滤得到溶液A；(2)将1-甲基咪唑和1-溴丙烷溶于丙酮中，然后在加热下反应，溶液出现分层，将下层液体分出，并将其萃取，蒸干后溶于水中得到溶液B；(3)向溶液A中加入溶液B，搅拌，过滤沉淀物，洗涤，干燥；粗产物溶解并过滤后，半密闭，挥发结晶，得红色晶体C；(4)将I2甲醇溶液加入到C的甲醇溶液中，搅拌后加入甲醇，静置后过滤析出的微晶，洗涤，干燥，将干燥后得到的粗产品溶解后挥发，得到目标产物[C3-MIM][Ni(mnt)2]。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中NiCl2·6H2O水溶液中NiCl2·6H2O的浓度为5-20mol/mL，优选为10mol/mL；优选地，Na2mnt的水溶液中Na2mnt的浓度为4-20mol/mL，优选为8-10mol/mL；优选地，NiCl2·6H2O水溶液与Na2mnt的水溶液的体积比为1:1-4，优选为1:2；优选地，所述加入在略微加热和/或搅拌下进行；优选地，所述略微加热的温度为30-60℃；优选地，所述搅拌的时间为5min以上，优选为10min。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：张辉，段海宝，于姗姗，
申请(专利权)人：南京晓庄学院，
类型：发明
国别省市：江苏,32