有机发光二极管制造技术

本发明专利技术的实施方案公开了一种包括由一层或更多层组成的有机层的有机发光二极管，其包括透明电极，设置为面向透明电极的反射电极，以及设置在透明电极与反射电极之间的发光层。在此，发光层包括两种或更多种发光材料，并且其特征在于，发光材料中一种发光材料的偶极矩值与另一发光材料的偶极矩值之差为1.5德拜或更大。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机发光二极管
本申请要求于2015年9月25日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0136642号的优先权和权益，其全部内容以引用的方式并入本文中。本说明书涉及一种有机发光二极管。
技术介绍
有机发光现象是经由特定有机分子的内部过程将电流转化成可见光的实例之一。有机发光现象的原理如下。当将有机材料层布置于阳极与阴极之间时，若在两个电极之间施加电压，则电子和空穴分别自阴极和阳极被注入到有机材料层中。注入到有机材料层中的电子和空穴经重组形成激子，并且激子再次回落至基态以发光。利用此原理的有机发光二极管可由阴极、阳极和设置在其间的有机材料层构成，例如包括空穴注入层、空穴传输层、发光层以及电子传输层的有机材料层。用于有机发光二极管的材料主要为纯有机材料或络合化合物，其中有机材料与金属形成络合化合物，并且可根据其用途分类成空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料等。在此，具有p型特性的有机材料，即容易被氧化且在材料被氧化时电化学稳定的有机材料，通常用作空穴注入材料或空穴传输材料。同时，具有n型特性的有机材料，即容易被还原且在材料被还原时电化学稳定的有机材料，通常用作电子注入材料或电子传输材料。作为发光层材料，具有p型和n型特性二者的材料，即，在氧化和还原状态二者期间均稳定的材料是优选的，并且当形成激子时，用于将激子转化成光的具有高发光效率的材料是优选的。本领域中需要开发具有高效率的有机发光二极管。
技术实现思路
技术问题本说明书致力于提供具有优异的视角特性和优异的色纯度的有机发光二极管。技术方案本说明书提供了一种有机发光二极管，其包括：透明电极；设置为面向透明电极的反射电极；以及一个或更多个设置在透明电极与反射电极之间的包括发光层的有机材料层，其中所述发光层包括两种或更多种发光材料，以及在发光材料中一种发光材料的偶极矩值与另一发光材料的偶极矩值之差为1.5德拜(Debye)或更大。此外，本说明书提供了一种显示器件，其包括上述有机发光二极管。最后，本说明书提供了一种发光器件，其包括上述有机发光二极管。有益效果根据本说明书的示例性实施方案的有机发光二极管可增加发光光谱的半高全宽以改善视角特性。另外，根据本说明书的示例性实施方案的有机发光二极管可控制发光光谱的色纯度，因此当有机发光二极管施用于发光器件时预期可改善显色指数(CRI)。此外，随着半高全宽得以增加且色纯度得以控制，选择发光层中所包括的主体材料和/或用于掺杂剂的材料的机会增加。因此，可提供一种有机发光二极管，其通过使用有利于改善二极管的性能的主体和/或掺杂剂而具有高发光效率。附图说明图1为说明根据本说明书的示例性实施方案的有机发光二极管的视图。图2为说明比较例1和比较例3的有机发光二极管中电流密度随电压变化的视图。图3为说明比较例1和比较例3的有机发光二极管的发光光谱的视图。图4为说明比较例1和比较例3的有机发光二极管中量子效率随电流变化的视图。图5为说明比较例1和比较例2的有机发光二极管中电流密度随电压变化的视图。图6为说明比较例1和比较例2的有机发光二极管的发光光谱的视图。图7为说明比较例1和比较例2的有机发光二极管中量子效率随电流变化的视图。图8为说明比较例1和比较例2以及实施例1的发光光谱的视图。图9为说明比较例1和比较例2以及实施例1的发光光谱经归一化的视图。具体实施方式在下文中，将更详细地描述本说明书。当在本说明书中一个构件被设置在另一构件“上”时，这不仅包括一个构件与另一构件接触的情况，而且包括在两个构件之间存在又一构件的情况。当在本说明书中一个部件“包括”一个构成元件时，除非另外特别描述，否则此不意指排除另一构成元件，而意指可进一步包括另一构成元件。本说明书提供一种有机发光二极管，其包括：透明电极；设置为面向透明电极的反射电极；以及一个或更多个设置于透明电极与反射电极之间的包括发光层的有机材料层，其中发光层包括两种或更多种发光材料，并且在发光材料中一种发光材料的偶极矩值与另一发光材料的偶极矩值之差为1.5德拜或更大。在本说明书的另一示例性实施方案中，发光材料中一种发光材料的偶极矩值与另一发光材料的偶极矩值之差为1.5德拜或更大且10德拜或更小。当发光层仅包括具有较小偶极矩值的发光材料时，存在的问题为当将包括所述发光材料的有机发光二极管施用于显示器件时，视角特性由于小的半高全宽(FWHM)而劣化。相反，当发光层仅包括具有较大偶极矩值的发光材料时，虽然半高全宽增加，但色纯度可能劣化。此外，在有机发光二极管包括具有适当偶极矩值的发光材料的情况下，可预期半高全宽增加和/或获得优异的色纯度，但选择材料方面存在限制。在本说明书的示例性实施方案中，可提供一种有机发光二极管，其可通过在发光层中包括具有不同偶极矩值的两种发光材料来增加半高全宽且控制视角特性。另外，根据本说明书的示例性实施方案的有机发光二极管可控制发光光谱的半高全宽，因此当将有机发光二极管施用于发光器件时预期可改善显色指数(CRI)。更具体地，作为在本说明书的示例性实施方案中，包括偶极矩值之差为1.5德拜或更大的两种发光材料的有机发光二极管可提供优异的色纯度，同时维持半高全宽增加，因此，由于可使用各种发光材料，选择材料的广度增加，因此有机发光二极管的性能可最大化。在本说明书中，“半高全宽”意指对应于发光光谱的峰的1/2的分布宽度。在本说明书中，“色纯度”意指一种颜色再现的程度，并且随着半高全宽降低，色纯度可增加，但亮度随视角的变化量增加。在本说明书中，“视角”意指屏幕可看到的范围，并且一般地，在具有窄的半高全宽(FWHM)的光致发蓝光的情况下，随着半高宽度加宽，视角改善。随着光谱的半高全宽(FWHM)降低，色纯度增加，但亮度随视角的变化量增加，因此当将所述发光二极管施用于显示器时图像品质特性劣化，需要具有适当半高全宽(FWHM)的光谱。出于此目的，改变掺杂剂为最常见方法，但在选择具有所需半高全宽(FWHM)同时满足效率和/或寿命等的掺杂剂方面存在限制。为克服所述限制，可通过组合两种或更多种偶极矩之间差值大的主体以调整二极管的半高全宽(FWHM)来获得适当色纯度，同时改善色视角特性。在本说明书中，“显色指数”为再现自然颜色的能力，由Ra表示，并且具有0至100的值。显色指数表明在光源下观测的物体再现颜色的能力，通过使用5,500K温度下的夏季正午日光作为标准光(100Ra)获得的数值形式，所述日光的光谱在可见光区域的波长范围中具有广谱，并且有机发光二极管的半高全宽越宽，越有利于获得类似于上述光谱的光谱，并且高显色指数表明接近于实际自然光的优异光源。本说明书中的偶极矩为表明极性程度的物理量，并且可通过以下方程式1计算。[方程式1]■ρ(r0)：分子密度■V：体积■r：观察点■d3r0：基本体积偶极矩的值可通过计算方程式1中的分子密度获得。例如，分子密度可通过使用称作希什菲尔德电荷分析(HirshfeldChargeAnalysis)的方法获得各原子的电荷和偶极子且根据以下方程式进行计算而获得，并且偶极矩可通过将计算结果代入方程式1获得。权函数(WeightFunction)■ρα(r-Rα)：球形平均基态原子密度■前分子密度变形密度■ρ(r)：分子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管，包括：透明电极；设置为面向所述透明电极的反射电极；以及一个或更多个设置在所述透明电极与所述反射电极之间的包括发光层的有机材料层，其中所述发光层包括两种或更多种发光材料，并且所述发光材料中一种发光材料的偶极矩值与另一发光材料的偶极矩值之差为1.5德拜或更大。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.25 KR 10-2015-01366421.一种有机发光二极管，包括：透明电极；设置为面向所述透明电极的反射电极；以及一个或更多个设置在所述透明电极与所述反射电极之间的包括发光层的有机材料层，其中所述发光层包括两种或更多种发光材料，并且所述发光材料中一种发光材料的偶极矩值与另一发光材料的偶极矩值之差为1.5德拜或更大。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述发光层包括：掺杂剂；和两种或更多种主体，以及所述两种或更多种主体中一种主体的偶极矩值与另一主体的偶极矩值之差为1.5德拜或更大。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其中按总重量计，所述掺杂剂的含量为多于0重量％且30重量％或更少，并且按所述总重量计，所述两种或更多种主体的含量为70重量％或更多且少于100重量％。4.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其中一种主体的偶极矩值与另一主体的偶极矩值之差为1.5德拜或更大的所述两种主体具有混合主体结构。5.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其中按所述主体的总重量计，所述两种主体中具有较小偶极矩值的主体的含量为10重量％或更多且少于100重量％，并且按所述主体的总重量计，所述两种主体中具有较大偶极矩值的主体的含量为多于0重量％且90重量％或更少。6.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其中一种主体的偶极矩值与另一主体的偶极矩值之差为1.5德拜或更大的所述两种主体具有分层主体结构。7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中所述分层主体结构包括第一主体层和第二主体层，所述第一主体层包括在一种主体的偶极矩值与另一主体的偶极矩值之差为1.5德拜或更大的所述两种主体中具有较大偶极矩值的主体，所述第二主体层包括在一种主体的偶极矩值与另一主体的偶极矩值之差为1.5德拜或更大的所述两种主体中具有较小偶极矩值的主体，以及相比于所述第二主体层，所述第一主体层设置为与所述透明电极邻近。8.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其中所述两种主体中的至少一者的三重态能量大于所述掺杂剂的三重态能量。9.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述发光层包括420nm至480nm的光致发光光谱的峰值波长。10.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述发光层包括530nm至590nm的光致发光光谱的峰值波长。11.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述有机发光二极管的半高全宽为包括两种或更多种发光材料中一种发光材料的偶极矩值与另一发光材料的偶极矩值之差小于1.5德拜的发光层的有机发光二极管的半高全宽的1.03倍或更大。12.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中一种发光材料的偶极矩值与另一发光材料的偶极矩值之差为1.5德拜或更大的所述两种发光材料中的至少一者包括芳族环。13.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述有机发光二极管包括发射蓝色荧光的发光层。14.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述有机发光二极管还包括一个或两个或更多个选自以下的层：空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层以及空穴阻挡层。15.根据权利要求13所述的有机发光二极管，其中所述发光层包括由以下化学式1-A表示的化合物：[化学式1-A]在化学式1-A中，n1为1或更大的整数，Ar7为经取代或未经取代的单价或更高价苯并芴基；经取代或未经取代的单价或更高价荧蒽基；经取代或未经取代的单价或更高价芘基；或经取代或未经取代的单价或更高价基，L4为直连键；经取代或未经取代的亚芳基；或经取代或未经取代的杂亚芳基，Ar8和Ar9彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或...

【专利技术属性】
技术研发人员：金禾景，金昌焕，千民承，赵圣美，金东宪，郑寓用，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国,KR