作为导电聚合物分散的功能添加剂的氟化芳香族小分子制造技术

本发明专利技术涉及具有选自式Ia和Ib的通式的化合物

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】作为导电聚合物分散的功能添加剂的氟化芳香族小分子本专利技术涉及一种化合物、包含该化合物的组合物、使用该组合物制备导电层的方法、包含本专利技术化合物的导电层、包含该导电层的电子组件和本专利技术化合物作为OLED的空穴注入层中的添加剂的用途。导电聚合物已经用于各种有机电子器件中，包括在用于发光显示的电致发光(EL)器件的开发中。对于诸如包含导电聚合物的有机发光二极管(OLED)的EL器件，这样的器件通常具有以下配置：阳极/空穴注入层/EL聚合物/阴极阳极通常是具有将空穴注入到半导体EL聚合物(例如铟/锡氧化物(ITO))的另外填充的π带中的能力的任何材料。阳极任选负载在玻璃或塑料基质上。EL聚合物通常是共轭半导体聚合物，例如聚(对亚苯基亚乙烯基)或聚芴。阴极通常是具有将电子注入到半导体EL聚合物的另外空的π*带的能力的任何材料(例如Ca或Ba)。空穴注入层(也称为“缓冲层”)通常是导电聚合物，并且便于将来自阳极的空穴注入到EL聚合物层中。用作空穴注入层的典型导电聚合物包括聚苯胺和聚二氧噻吩。用于制备有机电子器件中的导电层的众所周知的导电聚合物是聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)和聚苯乙烯磺酸的配本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有选自式Ia和Ib的通式的化合物：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.18 EP 14193716.91.一种具有选自式Ia和Ib的通式的化合物：其中K表示芳族或杂芳族基团，其中至少一个氢原子可以被选自磺酸基，硫酸基，铵基和脂族基团的官能团取代；X选自C-C键，O，S，SO2和NR'，其中R'表示氢或者脂族或芳族基团；A表示氟化或全氟化芳族基团；n表示2-6的整数，m表示1-3的整数。2.根据权利要求1的化合物，其中官能团选自由以下组成的组：i)-SO3M，其中M选自H+、Na+、K+、Li+、NH4+、Ca2+和Mg2+，ii)-OSO3M，其中M选自H+、Na+、K+、Li+、NH4+、Ca2+和Mg2+，iii)-CO2M，其中M选自H+、Na+、K+、Li+、NH4+、Ca2+和Mg2+，iv)选自-N(CH3)4+、-N(CH2CH3)4+、-N(C3H7)4+、-N(C4H9)4+和-N(C5H11)4+的铵基，和v)选自-CH3、-C2H5、-C3H7、-C4H9、-C5H11、-C6H13、-C7H15、-C8H17、-C9H19、-C10H21、-C11H23和-C12H25的烷基。3.根据权利要求1或2的化合物，其中R'选自–CH3、–C2H5、–C3H7和–C4H9。4.根据权利要求1至3中任一项的化合物，其中K表示单环芳族或杂芳族基团，其中式Ia的结构亚单元Ia'或式Ib的结构亚单元Ib'具有选自通式IIa至IIk(单环芳族基团K)或通式IIl至IIx(单环杂芳族基团K)的一般结构：其中-Y表示S，O或NR”，其中R”表示氢原子或具有1至20个碳原子的脂族基团，-R选自H、-SO3M、-OSO3M、-CO2M、-N(CH3)4+、-N(CH2CH3)4+、-N(C3H7)4+、-N(C4H9)4+、-N(C5H11)4+、-CH3、-C2H5、-C3H7、-C4H9、-C5H11、-C6H13、-C7H15、-C8H17、-C9H19、-C10H21、-C11H23和-C12H25，其中M如权利要求2中所定义且其中虚线表示与A的键。5.根据权利要求4的化合物，其中X表示O，并且其中满足以下取代基R每实体K的组合：n＝2，且R＝1×-SO3M和3×H或R＝2×-SO3M和2×H，或者n＝3，且R＝3×H或R＝3×-SO3M，其中M如权利要求2中所定义。6.根据权利要求1至3中任一项的化合物，其中K表示双环芳族或杂芳族基团，n表示2，并且其中式Ia的结构亚单元Ia'或式Ib的结构亚单元Ib'具有选自通式IIIa至IIIj(双环芳族基团K)或通式IIIk至IIIu(双环杂芳族基团K)的一般结构：其中-Y表示S，O或NR”，其中R”表示氢原子或具有1至20个碳原子的脂族基团，-R选自H、-SO3M、-OSO3M、-CO2M、-N(CH3)4+、-N(CH2CH3)4+、-N(C3H7)4+、-N(C4H9)4+、-N(C5H11)4+、-CH3、-C2H5、-C3H7、-C4H9、-C5H11、-C6H13、-C7H15、-C8H17、-C9H19、-C10H21、-C11H23和-C12H25，其中M如权利要求2中所定义且其中虚线表示与A的键。7.根据权利要求6的化合物，其中X表示O，并且其中满足以下取代基R每实体K的组合：R＝2×-SO3M和4×H，或者R＝3×-SO3M和3×H，其中M如权利要求2中所定义。8.根据权利要求1至3中任一项的化合物，其中K表示双环芳族或杂芳族基团，n表示3，并且其中式Ia的结构亚单元Ia'或式Ib的结构亚单元Ib'具有选自通式IVa至IVl(双环芳族基团K)或通式IVm和IVn(双环杂芳族基团K)的一般结构：其中R选自H、-SO3M、-OSO3M、-CO2M、-N(CH3)4+、-N(CH2CH3)4+、-N(C3H7)4+、-N(C4H9)4+、-N(C5H11)4+、-CH3、-C2H5、-C3H7、-C4H9、-C5H11、-C6H13、-C7H15、-C8H17、-C9H19、-C10H21、-C11H23和-C12H25，其中M为如权利要求2中所定义，并且其中虚线表示与A的键。9.根据权利要求1至3中任一项的化合物，其中K表示双环芳族或杂芳族基团，n表示4，并且其中式Ia的结构亚单元Ia'或式Ib的结构亚单元Ib'具...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·勒韦尼希，N·考施比西埃斯，S·A·波诺马连科，A·埃尔施纳，Y·N·科诺尼维奇，A·S·捷列先科，
申请(专利权)人：贺利氏德国有限责任两合公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE