【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】压电材料及其制造方法以及压电元件和应用压电元件的设备
本专利技术涉及压电材料及其制造方法以及具备该压电材料的压电元件。另外,本专利技术涉及搭载有该压电元件的应用压电元件的设备。作为应用压电元件的设备,可举出致动器、超声波振荡器等超声波设备、超声波传感器、超声波电机、压力传感器、压电电机、IR传感器等热电元件、发电装置等。
技术介绍
以往,对构成压电元件等的压电体层(压电陶瓷)所使用的压电材料要求高的压电特性,该压电元件搭载于致动器、超声波振荡器等超声波设备、超声波电机、压力传感器、IR传感器等热电元件等使用压电元件作为驱动源的设备(应用压电元件的设备)。作为压电体所要求的特性,有压电常数、介电常数、杨氏模量等各种特性,本专利技术中,着眼于压电常数(d33)。以下,“压电特性”是指压电常数(d33)。作为具有高压电特性的压电材料的代表例,可举出锆钛酸铅(PZT)。然而,从环境问题的观点考虑,需要抑制了铅含量的压电材料。作为这样的非铅系压电材料,有KxNa(1-x)NbO3、(Ba,Na)TiO3等含有碱金属的压电材料,BiFeO3-BaTiO3等不含碱金属的压电材料 ...
【技术保护点】
一种压电材料,其特征在于,含有第1成分、第2成分和第3成分,所述第1成分在单独组成时为菱方晶系,居里温度为Tc1且由具有钙钛矿型结构的非铅系的复合氧化物构成,所述第2成分在单独组成时为菱方晶系以外的晶体,居里温度Tc2比所述Tc1高且由具有钙钛矿型结构的非铅系的复合氧化物构成,所述第3成分在单独组成时为菱方晶系,居里温度Tc3为所述Tc2以上,由具有钙钛矿型结构且与所述第1成分不同的非铅系的复合氧化物构成,将所述第3成分相对于所述第1成分和所述第3成分的合计的摩尔比设为α,α×Tc3+(1-α)×Tc1=Tc4时,|Tc4-Tc2|为50℃以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种压电材料,其特征在于,含有第1成分、第2成分和第3成分,所述第1成分在单独组成时为菱方晶系,居里温度为Tc1且由具有钙钛矿型结构的非铅系的复合氧化物构成,所述第2成分在单独组成时为菱方晶系以外的晶体,居里温度Tc2比所述Tc1高且由具有钙钛矿型结构的非铅系的复合氧化物构成,所述第3成分在单独组成时为菱方晶系,居里温度Tc3为所述Tc2以上,由具有钙钛矿型结构且与所述第1成分不同的非铅系的复合氧化物构成,将所述第3成分相对于所述第1成分和所述第3成分的合计的摩尔比设为α,α×Tc3+(1-α)×Tc1=Tc4时,|Tc4-Tc2|为50℃以下。2.根据权利要求1所述的压电材料,其特征在于,具有以下相图中的MPB附近的组成,所述相图的横轴表示所述第2成分相对于所述第1成分、所述第3成分及所述第2成分的合计的摩尔比,纵轴表示温度。3.根据权利要求1或2所述的压电材料,其特征在于,所述MPB附近的组成的居里温度高于280℃。4.根据权利要求1~3中任一项所述的压电材料,其特征在于,所述第1成分是在A位含有钡的Ba系、在B位含有铌的Nb系以及在A位含有铋的Bi系成分中的任1个成分,所述第2成分是在A位含有钡的Ba系、在B位含有铌的Nb系以及在A位含有铋的Bi系成分中的与所述第1成分不同的任1个成分。5.根据权利要求1~4中任一项所述的压电材料,其特征在于,在所述第2成分相对于所述第1成分、所述第3成分及所述第2成分的合计的摩尔比为0.1~0.9的...
【专利技术属性】
技术研发人员:角浩二,北田和也,酒井朋裕,滨田泰彰,一色铁也,木村里至,伊藤彰雄,半田恒雄,
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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