一种InP PIN光电探测器光电集成器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种InP PIN光电探测器光电集成器件，即将InP PIN光电探测器、InGaP HBT跨阻放大器（TIA）、GaAs PN限幅器和GaAs pHEMT低噪放通过外延层设计，实现光接收组件的器件极集成，从而使以下设想成为可能：在光纤通信中，光信号进入光接收机，通过PIN光电探测器，将光信号转化为电流信号，InGaP HBT TIA将电流信号放大后，通过GaAs PN限幅器，将电信号传输给GaAs pHEMT低噪放，最后传输给后端的信号处理芯片。

【技术实现步骤摘要】
一种InPPIN光电探测器光电集成器件
本技术涉及一种系统器件级集成器件，包括InPPIN光电探测器、InGaPHBT放大器、GaAsPN限幅器和GaAspHEMT低噪放集成，属于半导体制造领域。
技术介绍
进入二十一世纪以来，社会迈入了超高速发展的信息时代，全球数据业务呈现爆炸式增长，对网络带宽的需求飞速增长,这为传统电信业务的迅速发展提供了新的挑战和机遇。进入2015年，中央提出“提网速，降网费”的要求。因此，大力发展光纤通信系统成为当前发展的重点。本专利主要针对光接收机，提出了一种器件级光电集成系统。目前，主流的光电接收机的接收端架构为：PIN光电探测器+TIA+限幅器+低噪放，四种独立的芯片构成一个完整的接收端，但存在以下问题：1.组装时需调试，不利于大生产且人为因素的介入引入不确定因素，不利于提升整个组件的质量；2.四款独立的芯片无法集成，对系统的进一步小型化不利；3.四款独立的芯片，不利于成本的进一步降低。因此，本专利涉及将InPPIN光电探测器、InGaPHBT跨阻放大器（TIA）、GaAsPN限幅器与GaAspHEMT低噪放集成。首先InPPIN光电探测器将光信号转换本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种InP PIN光电探测器光电集成器件，其特征在于，包括；InP PIN光电探测器、GaAs异质结双极型晶体管、GaAs高电子迁移率晶体管和GaAs PN二极管限幅器；所述InP PIN光电探测器、GaAs异质结双极型晶体管、GaAs高电子迁移率晶体管和GaAs PN二极管限幅器之间有离子注入形成的隔离器件。

【技术特征摘要】
1.一种InPPIN光电探测器光电集成器件，其特征在于，包括；InPPIN光电探测器、GaAs异质结双极型晶体管、GaAs高电子迁移率晶体管和GaAsPN二极管限幅器；所述InPPIN光电探测器、GaAs异质结双极型晶体管、GaAs高电子迁移率晶体管和GaAsPN二极管限幅器之间有离子注入形成的隔离器件。2.根据权利要求1所述的InPPIN光电探测器光电集成器件，其特征在于：所述集成器件从下至上包括衬底、缓冲层、spacer1隔离层、沟道层、spacer2隔离层、势垒层以及势垒层和spacer2隔离层之间的δ掺杂层作为器件的公共底层。3.根据权利要求1所述的InPPIN光电探测器光电集成器件，其特征在于：所述GaAs高电子迁移率晶体管器件为单势垒层结构，位于公共底层一侧，其上N+GaAs层中间设置沟槽，沟槽内设置T型栅；N+-GaAs层上设置P型和N型电极。4.根据权利要求1所述的InPPIN光电探测器光电集成器件，其特征在于：所述G...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈一峰，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51