紫外线传感器及其制备方法技术

本申请提供了一种紫外线传感器及其制备方法，该紫外线传感器包括：基底；栅极，形成于所述基底；电介质层，形成于所述栅极；源极和漏极，形成于所述电介质层，所述源极和漏极之间存在未覆盖所述电介质层的沟道；紫外光敏有机半导体层，相应的形成于所述沟道，厚度大于所述源极和漏极。可以有效解决硅基器件制备过程中高能耗、高污染、价格昂贵等问题。

【技术实现步骤摘要】
紫外线传感器及其制备方法
本申请涉及半导体器件领域，尤其涉及一种紫外线传感器及其制备方法。
技术介绍
长期暴露在高强度紫外线的环境，会对眼睛、皮肤、免疫系统造成不良的影响。为了掌握环境中的紫外线强度以做好相关的防护措施，一般会采用紫外线传感器来获取环境中的紫外线强度信息。紫外线传感器是一种将紫外光信号转换为电信号的电子器件。目前应用的紫外线传感器的基底一般为硅基材料(包括玻璃)或者金属等，其活性层包括：无机材料(氮化镓、硫化锌、氧化锌等)和氧化石墨烯等，但是其制备工艺复杂，价格昂贵，对环境污染较大。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供了一种紫外线传感器及其制备方法，用以解决现有技术中紫外线传感器制备过程中高能耗、高污染、价格昂贵的技术问题。根据本申请实施例的一个方面，提供了一种紫外线传感器，其特征包括：基底；栅极，形成于所述基底；电介质层，形成于所述栅极；源极和漏极，形成于所述电介质层，所述源极和漏极之间存在未覆盖所述电介质层的沟道；紫外光敏有机半导体层，相应的形成于所述沟道，厚度大于所述源极和漏极。优选的，所述紫外光敏有机半导体层的材料是C8-BTBT及其衍生物。所述基底的材料是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种紫外线传感器，其特征在于，包括：基底；栅极，形成于所述基底；电介质层，形成于所述栅极；源极和漏极，形成于所述电介质层，所述源极和漏极之间存在未覆盖所述电介质层的沟道；紫外光敏有机半导体层，相应的形成于所述沟道，厚度大于所述源极和漏极。

【技术特征摘要】
1.一种紫外线传感器，其特征在于，包括：基底；栅极，形成于所述基底；电介质层，形成于所述栅极；源极和漏极，形成于所述电介质层，所述源极和漏极之间存在未覆盖所述电介质层的沟道；紫外光敏有机半导体层，相应的形成于所述沟道，厚度大于所述源极和漏极。2.根据权利要求1所述的紫外线传感器，其特征在于，所述紫外光敏有机半导体层的材料是2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(2,7-Dioctyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene，C8-BTBT)及其衍生物。3.根据权利要求1所述的紫外线传感器，其特征在于，所述基底的材料是柔性材料。4.根据权利要求3所述的紫外线传感器，其特征在于，所述柔性材料是聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalatetwoformicacidglycolester，PEN)薄膜。5.根据权利要求1所述的紫外线传感器，其特征在于，所述栅极、源极和漏极的材料是金属或者有机聚合物；所述电介质层的材料是有机聚合物或者无机材料。6.根据权利要求1所述的紫外线传感器，其特征在于，所述沟道的长度范围是10纳米到1毫米。7.一种紫外线传感器的制备方法，其特征在于，包括：形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文显，
申请(专利权)人：上海幂方电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31