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本申请提供了一种紫外线传感器及其制备方法，该紫外线传感器包括：基底；栅极，形成于所述基底；电介质层，形成于所述栅极；源极和漏极，形成于所述电介质层，所述源极和漏极之间存在未覆盖所述电介质层的沟道；紫外光敏有机半导体层，相应的形成于所述沟道，...
该专利属于上海幂方电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海幂方电子科技有限公司授权不得商用。

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