用于在沟槽侧壁或平整表面上选择性形成氮化硅膜的方法技术
【技术实现步骤摘要】
用于在沟槽侧壁或平整表面上选择性形成氮化硅膜的方法背景专利
本专利技术涉及一种用于在基材的上表面中形成的沟槽中制备由含有Si-N键的介电膜组成的层结构的方法。
技术介绍
在大规模集成电路(LSI)的生产过程中，有一些工艺用于在沟槽中形成侧壁。侧壁被用作间隔体或被用于阻挡从沟槽的侧边表面上蚀刻结构。通常，通过以下方法来形成侧壁：在沟槽的表面上形成共形膜，并随后通过不对称蚀刻去除在形成沟槽的上表面上形成的所述膜的部分和在所述沟槽的底表面上形成的所述膜的部分。不过，当使用这样的形成方法时，需要过蚀刻从而去除侧壁的基脚(footing)，在所述基脚处侧壁的厚度在底部和底部附近增加，形成斜坡。过蚀刻引起了下方层的蚀刻并且造成层结构破坏。本专利技术中包括的与
技术介绍
相关的任何问题和方案的讨论仅用于为本专利技术提供背景的目的，不应作为对专利技术本专利技术时已知任何或所有讨论的认同。概述在一些实施方式中，在形成有沟槽的基材的顶表面上和在所述沟槽的底表面上形成的膜与在所述沟槽的侧壁上形成的膜具有与湿蚀刻相关的不同的膜性质(即膜性质的方向控制)。通过使基材湿蚀刻，可选择性去除在沟槽的...
【技术保护点】
一种用于在基材的上表面中形成的沟槽中制备由含有Si‑N键的介电膜组成的层结构的方法，所述方法包括：(i)同时在沟槽的上表面和底表面以及侧壁上形成含有Si‑N键的介电膜，其中通过由在两个电极之间施加电压激发的等离子体的轰击而使在上表面和底表面上形成的介电膜的顶部/底部部分和在侧壁上形成的介电膜的侧壁部分具有不同的耐化学性，在所述两个电极之间将基材平行于两个电极放置；并且(ii)通过湿蚀刻基本去除所述介电膜的顶部/底部部分和侧壁部分中的任一个但不同时去除两个，所述湿蚀刻根据不同的耐化学性，相对于所述介电膜的顶部/底部部分和侧壁部分中的一个，更主要地去除所述介电膜的顶部/底部部分...
【技术特征摘要】
2016.02.19 US 15/048,4221.一种用于在基材的上表面中形成的沟槽中制备由含有Si-N键的介电膜组成的层结构的方法，所述方法包括：(i)同时在沟槽的上表面和底表面以及侧壁上形成含有Si-N键的介电膜，其中通过由在两个电极之间施加电压激发的等离子体的轰击而使在上表面和底表面上形成的介电膜的顶部/底部部分和在侧壁上形成的介电膜的侧壁部分具有不同的耐化学性，在所述两个电极之间将基材平行于两个电极放置；并且(ii)通过湿蚀刻基本去除所述介电膜的顶部/底部部分和侧壁部分中的任一个但不同时去除两个，所述湿蚀刻根据不同的耐化学性，相对于所述介电膜的顶部/底部部分和侧壁部分中的一个，更主要地去除所述介电膜的顶部/底部部分和侧壁部分中的另一个。2.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体是Ar、N2或O2的等离子体。3.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体是通过对两个电极中的一个施加RF功率而激发的电容耦合等离子体(CCP)。4.如权利要求3所述的方法，其中所述RF功率比所述介电膜的顶部/底部部分和所述介电膜的侧壁部分的耐化学性基本相当时的参考RF功率高，其中相对于所述介电膜的侧壁部分，所述湿蚀刻选择性地去除了所述介电膜的顶部/底部部分。5.如权利要求4所述的方法，其还包括，在步骤(i)和(ii)之前，重复以下步骤以确定参考RF功率：在与步骤(i)相同的条件下同时形成介电膜，不同之处在于改变RF功率作为可变量；并且在与步骤(ii)相同的条件下，通过湿蚀刻基本去除所述介电膜的顶部/底部部分和侧壁部分中的一个但不同时去除两个。6.如权利要求1所述的方法，其中所述介电膜是SiN膜。7.如权利要求1所述的方法，其中使用氟化氢(HF)溶液进行所述湿蚀刻。8.如权利要求1所述的方法，其中步骤(i)包括：将在其上表面中具有沟槽的基材放置在电极之间；并且通过使用氮气作为反应气体的等离子体增强原子层沉积(PEALD)在所述基材上沉积介电膜，其中所述等离子体是在PEALD的每个循环中通过对两个电极中的一个施加RF功率激发的电容耦合等离子体...
【专利技术属性】
技术研发人员：石川大，深泽笃毅，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL
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