半导体器件安全认证方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件安全认证方法，提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有半导体器件以及至少一个电路元件矩阵，电路元件矩阵包括多个同一种类的电路元件，电路元件包括底层抗反射层，电路元件矩阵中至少部分电路元件的底层抗反射层的形状存在差异；多次比较电路元件矩阵中任意两个电路元件的元件参数值，并且每次比较的电路元件不完全相同，获得多个比较结果；将获得的多个比较结果构成的序列作为半导体器件的密钥。由于电路元件矩阵中至少部分电路元件的底层抗反射层的形状存在差异，因此电路元件矩阵中至少部分电路元件的元件参数值存在差异，利用元件参数值差异应用于半导体器件的安全认证，具有广泛的发展前景。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件安全认证方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体器件安全认证方法。
技术介绍
随着数字编码的应用越来越广，在承载介质用编码方式埋藏信息的也越来越多，埋藏在承载介质的编码的加密方法大都采用数字加密解密方法，这种加密解密方法原则上停留在数字层面上，因此总是能够破译的，因此找到一种无法破译的方法正是本专利技术的目的。另一方面，底层抗反射层(BARC)在器件层上具有收缩现象，收缩后的形状及大小时不可控的。具体的，实际制造电路元件过程中，通常在光刻胶的底部涂覆一层有机底层抗反射层(BARC)，利用有机BARC比覆盖其上的光阻具有较强的吸收性，减少光的反射。但实际应用时，BARC并非适合各种高反射底材，在其覆盖的器件层存在阶梯图形时，BARC的覆盖率和厚度可控性较差，此时的BARC层表现为收缩变形的不规则形状，基于该不规则形状作为掩膜层进行再次曝光刻蚀，得到的电路元件的形状与BARC层形状保持一致。因此，即使制备同一种类电路元件采用完全相同的工艺参数，由于底层抗反射层(BARC)的存在，最终制备的电路元件的形状是不可控的，使得电路元件的元件参数值也会存在差异。专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件安全认证方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体器件以及至少一个电路元件矩阵，所述电路元件矩阵包括多个同一种类的电路元件，所述电路元件包括底层抗反射层，所述电路元件矩阵中至少部分电路元件的底层抗反射层的形状存在差异；多次比较所述电路元件矩阵中任意两个电路元件的元件参数值，并且每次比较的电路元件不完全相同，获得多个比较结果；将获得的多个比较结果构成的序列作为所述半导体器件的密钥。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件安全认证方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体器件以及至少一个电路元件矩阵，所述电路元件矩阵包括多个同一种类的电路元件，所述电路元件包括底层抗反射层，所述电路元件矩阵中至少部分电路元件的底层抗反射层的形状存在差异；多次比较所述电路元件矩阵中任意两个电路元件的元件参数值，并且每次比较的电路元件不完全相同，获得多个比较结果；将获得的多个比较结果构成的序列作为所述半导体器件的密钥。2.如权利要求1所述的半导体器件安全认证方法，其特征在于，所述电路元件为电阻、电容或晶体管。3.如权利要求2所述的半导体器件安全认证方法，其特征在于，所述电阻为薄膜电阻或接触电阻。4.如权利要求2所述的半导体器件安全认证方法，其特征在于，所述元件参数值为电阻值、电容值或阈值电压。5.如权利要求3所述的半导体器件安全认证方法，其特征在于，所述电路元件为晶体管或薄膜电阻时，形成所述电路元件的步骤包括：在所述半导体衬底上形成器件层；在所述器件层上形成底层抗反射层；在所述底层抗反射层上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层暴露所述底层抗反射层的部分表面和所述器件层的部分表面；去除所述图形化的掩膜层暴露的所述器件层的部分表面；去除所述图形化的掩膜层及所述底层抗反射层。6.如权利要求3所述的半导体器件安全认证方法，其特征在于，所述电路元件为接触电阻时，形成所述电路元件的步骤包括：在所述半导体衬底上形成器件层；在所述器件层上形成底层抗反射层；在所述底层抗反射层上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层暴露所述底层抗反射层的部分表面和所述器件层的部分表面；去除所述图形化的掩膜层暴露的所述器件层的部分表面；去除所述图形化的掩膜层及所述底层抗反射层；在剩余的器件层上形成接触窗。7.如权利要求2所述的半导体器件安全认证方法，其特征在于，所述电路元件为电容时，形成所述电路元件的步骤包括：在所述半导体衬底上形成第一基板，所述第一基板刻蚀有所述电容的图形；在所述第一基板上形成底层抗反射层；在所述底层抗反射层上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：呼翔，彭坤，施平，罗学辉，赵连国，李强，王海莲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31