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用于在沟槽侧壁或平整表面上选择性形成氮化硅膜的方法技术
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下载用于在沟槽侧壁或平整表面上选择性形成氮化硅膜的方法的技术资料
文档序号:16103800
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一种用于在沟槽中制备层结构的方法,其包括:同时在沟槽的上表面和底表面以及侧壁上形成含有Si‑N键的介电膜,其中通过由在两个电极之间施加电压激发的等离子体的轰击使在上表面和底表面上形成的膜的顶部/底部部分和在侧壁上形成的膜的侧壁部分具有不同的...
该专利属于ASMIP控股有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过ASMIP控股有限公司授权不得商用。
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