一种暴露高能(001)晶面超薄CdS纳米带的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种暴露(001)晶面的超薄CdS纳米带的制备方法，制备过程如下：(1)将无机镉盐，去离子水，二亚乙基三胺和硫粉混均，在搅拌下进行溶剂热反应；得溶剂热产物；(2)将溶剂热产物分散于去离子水中，超声剥离，制得暴露(001)晶面的超薄CdS纳米带。本发明专利技术具有如下技术效果：1.制备出CdS纳米带主要暴露(001)高能晶面，具有电子定向传输且传输速率快、特殊的光学性能等特点；2.CdS纳米带厚度很薄，可增大了比表面积，大大缩短了光生电荷传输到催化剂表面的迁移距离，有效抑制了光生电子和空穴对发生体相复合几率；3.在波长大于420nm可见光辐照下，并不负载任何助催化剂的情况下，CdS纳米带的产氢效率高达59.7mmol/h/g催化剂，并且光照50h，催化活性无明显降低；4.本发明专利技术具有操作简单、反应温度低、重复性好等优点。 1

【技术实现步骤摘要】
一种暴露高能(001)晶面超薄CdS纳米带的制备方法
本专利技术属于光催化
，具体涉及一种暴露高能(001)晶面超薄CdS纳米带的制备方法。
技术介绍
CdS是一种禁带宽度窄、具有优异的可见光响应特性的半导体光催化材料，具有六方纤锌矿和立方闪锌矿两种晶体结构。由于其独特的光学、电学及催化特性，被广泛应用于太阳能电池、发光二极管、激光器以及催化领域。自2001年王中林教授报道ZnO纳米带以来，一维纳米带材料由于具有电子定向传输、较大的纵横比及各向异性等特性，被广泛关注。目前CdS纳米带的制备方法常用化学气相沉积法(Nanotechnology,2011,22(13):135702；AdvancedMaterials,2010,22(29):3161-3165；ACSnano,2012,6(6):5283-5290)，该方法反应温度高，制备出的CdS纳米带厚度较厚约为30-200nm,宽度为数百纳米不等，长约几微米。CdS纳米带厚度、宽度过大，一方面导致催化材料的比表面积较小，另一方面将会增大光生电荷体相传输距离，增加光生电荷复合几率。这两方面都制约了CdS纳米带光催化效率的提升。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种暴露(001)晶面的超薄CdS纳米带的制备方法，其特征在于：制备过程如下：(1)将无机镉盐，去离子水，二亚乙基三胺和硫粉混均，所述无机镉盐与二亚乙基三胺物质的量之比为1：100～600，去离子水与二亚乙基三胺物质的量之比为1：200～1000，硫粉与二亚乙基三胺物质的量之比为1：30～200；在搅拌下进行溶剂热反应；得溶剂热产物；(2)将溶剂热产物分散于去离子水中，超声剥离，制得暴露(001)晶面的超薄CdS纳米带。

【技术特征摘要】
1.一种暴露(001)晶面的超薄CdS纳米带的制备方法，其特征在于：制备过程如下：(1)将无机镉盐，去离子水，二亚乙基三胺和硫粉混均，所述无机镉盐与二亚乙基三胺物质的量之比为1：100～600，去离子水与二亚乙基三胺物质的量之比为1：200～1000，硫粉与二亚乙基三胺物质的量之比为1：30～200；在搅拌下进行溶剂热反应；得溶剂热产物；(2)将溶剂热产物分散于去离子水中，超声剥离，制得暴露(001)晶面的超薄CdS纳米带。2.根据权利要求1所述的一种暴露(001)晶面的超薄CdS纳米带的制备方法，其特征在于：所述无机镉盐是Cd(NO3)2、CdCl2、Cd(C...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵才贤，陈烽，张立群，詹夏，易兰花，罗和安，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43