一种OLED阵列基板及其制作方法、触控显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种OLED阵列基板及其制作方法、触控显示装置。涉及显示技术领域，能够将触控结构集成于柔性AMOLED中。该OLED阵列基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的薄膜晶体管，以及覆盖薄膜晶体管的平坦化层。OLED阵列基板还包括位于平坦化层背离薄膜晶体管一侧的触控传感器，触控传感器包括相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED阵列基板及其制作方法、触控显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED阵列基板及其制作方法、触控显示装置。
技术介绍
AMOLED(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiodeDisplay,，有源矩阵驱动有机发光二极管显示装置)具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点而可望成为取代LCD(LiquidCrystalDisplay,液晶显示器)的下一代新型平面显示器。特别是柔性AMOLED，因其具有轻薄、可弯曲或折叠、能任意改变形状等优点，正越来越受到市场重视。对于AMOLED中通常需要设置封装盖板，以达到阻隔水氧的作用。上述封装盖板可以为玻璃盖板。在此情况下，当在AMOLED中集成有触控结构时，可以采用外嵌式(OnCell)工艺将触控结构设置于玻璃盖板的外表面。然而，柔性AMOLED通常采用薄膜封装(ThinFilmEncapsulation，TFE)工艺，由于薄膜封装采用的封装薄膜层质地柔软，无法通过上述OnCell工艺集成触控结构，从而降低了柔性AMOLED的适用范围。专利技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管，以及覆盖所述薄膜晶体管的平坦化层；所述OLED阵列基板还包括位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的触控传感器，所述触控传感器包括相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极。

【技术特征摘要】
1.一种OLED阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管，以及覆盖所述薄膜晶体管的平坦化层；所述OLED阵列基板还包括位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的触控传感器，所述触控传感器包括相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极。2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，还包括位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的像素界定层，所述像素界定层包括像素分隔物以及由所述像素分隔物围设的开口；所述触控传感器在所述衬底基板上的正投影与所述像素分隔物在所述衬底基板上的正投影的位置重叠。3.根据权利要求1或2所述的OLED阵列基板，其特征在于，还包括位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的阳极；所述第一触控电极与所述第二触控电极异层设置，所述第一触控电极或所述第二触控电极与所述阳极同材料。4.根据权利要求3所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述第一触控电极与所述第二触控电极之间设置有介电层；所述第一触控电极与所述第二触控电极均为条状，且交叉设置。5.根据权利要求1或2所述的OLED阵列基板，其特征在于，还包括位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的阳极；所述第一触控电极与所述第二触控电极同层设置，所述第一触控电极为条状，所述第二触控电极为块状，所述第二触控电极位于所述第一触控电极的两侧；所述第一触控电极两侧，且位于同一行的多个所述第二触控电极通过搭桥引线均电连接；其中，所述第一触控电极和所述第二触控电极与所述阳极同材料；或者所述搭桥引线与所述阳极同材料。6.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述OLED阵列基板包括像素界定层，所述触控传感器位于所述像素界定层与所述平坦化层之间。7.一种触控显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的OLED阵列基板。8.一种OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上，通过构图工艺形成薄膜晶体管；在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上，通过构图工艺形成覆盖所述薄膜晶体管的平坦化层；在形成有所述平坦化层的衬底基板上，通过构图工艺形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极；其中，所述第一触控电极与所述第二触控电极构成触控传感器。9.根据权利要求8所述的OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极包括：在形成有所述平坦化层的衬底基板上，沉积第一导电材料层，并通过一次构图工艺形成阳极以及条状的第一触控电极；在形成有所述第一触控电极的衬底基板上，通过构图工艺形成覆盖所述第一触控电极的介电层；在形成有所...

【专利技术属性】
技术研发人员：何剑，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11