填充通孔以减少空隙和其它缺陷的方法技术

直流电镀覆方法抑制空隙形成，减少凹陷并且消除节结。所述方法涉及在高电流密度下电镀铜，接着在较低电流密度下电镀以填充通孔。

Method for filling through holes to reduce voids and other defects

The DC plating method suppresses void formation, reduces depressions and eliminates knots. The method involves electroplating copper at a high current density, followed by electroplating at lower current densities to fill vias.

【技术实现步骤摘要】
填充通孔以减少空隙和其它缺陷的方法
本专利技术涉及一种填充通孔以减少空隙和其它缺陷的方法。更确切地说，本专利技术涉及一种通过以下来填充通孔以减少空隙和其它缺陷的方法：使用高电流密度持续预定时间段，接着施加低电流密度持续预定时间段的直流电循环填充通孔。
技术介绍
高密度互连是制造具有通孔的印刷电路板中的重要设计。这些装置的小型化依赖于较薄芯材、减小的线宽以及较小直径通孔的组合。通孔的直径在75μm到125μm范围内。通过铜镀覆填充通孔在较高纵横比的情况下已变得越来越困难。这产生较大空隙和较深凹陷。通孔填充的另一个问题是其倾向于填充的方式。不同于在一端关闭的通路，通孔穿过衬底并且在两端打开。通路从底部填充到顶部。相比之下，当通孔用铜填充时，铜倾向于开始在通孔的中心处的壁上沉积，其中铜在中心处填塞形成“蝶翼”或两个通路。两个通路填充以完成孔的沉积。因此，用于填充通路的铜镀覆浴典型地不与用于填充通孔的铜镀覆浴相同。镀覆浴调平剂和其它浴添加剂经选择以允许正确类型的填充。如果不选择添加剂的正确组合，那么铜镀覆产生非所需的共形铜沉积。图1是施加到衬底以便填充通孔的常规直流电施加的电流密度(ASD)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其包含：a)提供具有多个通孔的衬底，包含在所述衬底的表面和所述多个通孔的壁上的无电铜、闪镀铜或其组合的层；b)将所述衬底浸没在包含阳极的铜电镀浴中；以及c)通过包含以下的直流电循环用铜填充所述通孔：施加电流密度持续第一预定时间段，接着施加较低电流密度持续第二预定时间段。

【技术特征摘要】
2016.02.15 US 62/2952911.一种方法，其包含：a)提供具有多个通孔的衬底，包含在所述衬底的表面和所述多个通孔的壁上的无电铜、闪镀铜或其组合的层；b)将所述衬底浸没在包含阳极的铜电镀浴中；以及c)通过包含以下的直流电循环用铜填充所述通孔：施加电流密度持续第一预定时间段，接着施加较低电流密度持续第二预定时间段。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述电流密度在1ASD到5ASD范围内。3.根据权利要求2所述的方法，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：N·嘉雅拉朱，L·巴斯塔德，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US