影像感测器制造技术

一种具有反射器的背面照射(Backside Illuminated；BSI)影像感测器是被提供。像素感测器是配置于半导体基材的底侧上，且此像素感测器包含光侦测器，其中此光侦测器配置于半导体基材内。内连接结构是配置于半导体基材和像素感测器下，且内连接结构包含内连接层和接触窗。其中，此接触窗是由内连接层延伸至像素感测器。反射器是配置于光侦测器下，且介于内连接层和光侦测器之间。反射器是配置以朝光侦测器反射入射辐射线。

Image sensor

A reflector backside illuminated (Backside Illuminated; BSI) image sensor is provided. The pixel sensor is disposed on the bottom side of the semiconductor substrate, and the pixel sensor includes an photodetector, wherein the photodetector is configured within the semiconductor substrate. The inner connection structure is arranged under the semiconductor substrate and the pixel sensor, and the inner connection structure comprises an inner connecting layer and a contact window. Wherein, the contact window is extended from the inner connecting layer to the pixel sensor. The reflector is arranged under the photodetector and is located between the inner connecting layer and the photodetector. The reflector is configured to reflect incident radiation detector chaoguang.

【技术实现步骤摘要】
影像感测器
本专利技术实施例是有关一种影像感测器，且特别是提供一种影像感测器及其制作方法。
技术介绍
许多现今的电子元件包含影像感测器，其中影像感测器可将光学影像转换为用以代表光学影像的数字数据。一般用于电子元件中的影像感测器的一种型式是背面照射(BacksideIllumination；BSI)影像感测器。背面照射影像感测器包含光侦测器的阵列，其中光侦测器的阵列是位于内连接结构上，且其是配置于相对侧，以做为内连接结构，并用以接收辐射线。此种配置允许辐射线可照射于光侦测器上，且辐射线不会被内连接结构中的传导特征阻挡，故背面照射影像感测器对于入射辐射线具有高感光度。
技术实现思路
一实施例为一种影像感测器。此影像感测器包含像素感测器、内连接结构和反射器。像素感测器是配置于半导体基材的底侧上，且像素感测器包含光侦测器，且此光侦测器配置于半导体基材内。内连接结构是配置于半导体基材和像素感测器下。其中，内连接结构包含内连接层与接触窗，且接触窗由内连接层延伸至像素感测器。前述的反射器是配置于光侦测器下，且介于内连接层和光侦测器之间。反射器是配置以朝光侦测器反射入射辐射线。另一实施例为一种制作影像感本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种影像感测器，其特征在于，该影像感测器包含：一像素感测器，配置于一半导体基材的一底侧上，其中该像素感测器包含一光侦测器，且该光侦测器配置于该半导体基材内；一内连接结构，配置于该半导体基材和该像素感测器下，其中该内连接结构包含一内连接层和一接触窗，且该接触窗由该内连接层延伸至该像素感测器；以及一反射器，配置于该光侦测器下，且介于该内连接层和该光侦测器之间，其中该反射器配置以朝该光侦测器反射入射辐射线。

【技术特征摘要】
2016.02.12 US 62/294,597;2016.05.02 US 15/143,7271.一种影像感测器，其特征在于，该影像感测器包含：一像素感测器，配置于一半导体基材的一底侧上，其中该像素感...

【专利技术属性】
技术研发人员：李岳川，陈嘉展，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71