衬底处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能抑制喷嘴的黑色化并改善膜质的表面间的均匀性的衬底处理装置。具有：搭载并收纳多个衬底的处理室；以规定温度加热处理室的加热系统；原料气体供给系统，具有原料气体喷嘴，并且从原料气体喷嘴向处理室供给原料气体，原料气体喷嘴在处理室的衬底搭载方向上延伸并且具有多个供给孔和多个减压孔，多个供给孔在与衬底的搭载区域对应的高度开口，多个减压孔在比多个供给孔更靠下部且原料气体喷嘴内变得比规定温度低的位置开口并降低原料气体喷嘴内的压力；反应气体供给系统，向处理室供给与原料气体反应的反应气体；和控制部，构成为以在衬底上形成膜的方式控制加热系统、原料气体供给系统和反应气体供给系统。

Substrate processing apparatus

The present invention provides a substrate processing device that inhibits the blackening of the nozzle and improves the uniformity of the film surface. Has a carrying and processing chamber for storing a substrate; heating system to specified temperature heating treatment chamber; a gas supply system, with raw gas nozzle, and the gas nozzle from the raw material to the processing chamber to supply the raw gas, raw material gas nozzle in the substrate processing chamber is equipped with extended direction and having a plurality of holes and supply a pressure relief hole, opening a plurality of supply holes in the substrate mounting area corresponding to the height of a decompression hole in the multiple supply holes by more than the lower and the raw material gas nozzle becomes more than the prescribed temperature low position opening and reduce the raw material gas nozzle pressure; reaction gas supply system, gas into the reaction the supply of raw gas and reaction chamber; and a control unit, which is to form a film on the substrate to control heating system, gas supply system and gas supply System.

【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置
本专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及程序。
技术介绍
作为半导体器件(Device)的制造工序的一个工序，有时进行在收纳于处理室内的衬底上形成膜的成膜处理(参照例如专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-67877
技术实现思路
专利技术所要解决的问题在进行成膜处理时，有时，所用的气体在喷嘴内发生热分解，从而堆积物附着在喷嘴内壁。有时若上述堆积物在成膜处理中发生剥离，则会变为颗粒(即，产生粉尘)并被供给至收纳在处理室内的衬底上，从而以杂质的形式被引入膜中。另外，在使用喷嘴供给气体这样的立式装置中，由于是从喷嘴向搭载有多个衬底的处理室内供给气体，因此衬底表面间的均匀性有时变差。本专利技术的目的为，提供一种技术，其中，通过使气体的供给变得均匀化，从而提高衬底表面间的膜厚均匀性，同时通过在成膜处理中抑制由于气体的热分解而导致的堆积物向喷嘴内壁的附着，从而能够抑制杂质向膜中的引入，并且能够提高膜质及衬底面内的膜厚均匀性。用于解决问题的手段根据本专利技术的一个方式，提供如下技术，具有：处理室，搭载并收纳多个衬底；加热系统，以规定温度加热所述处理室本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理装置，具有：处理室，搭载并收纳多个衬底；加热系统，以规定温度加热所述处理室；原料气体供给系统，具有原料气体喷嘴，并且从所述原料气体喷嘴向所述处理室供给原料气体，所述原料气体喷嘴在所述处理室的所述衬底的搭载方向上延伸且具有多个供给孔和多个减压孔，所述多个供给孔在与所述衬底的搭载区域相对应的高度开口，所述多个减压孔在比所述多个供给孔更靠下部且所述原料气体喷嘴内变得比所述规定温度低的位置开口，降低所述原料气体喷嘴内的压力；反应气体供给系统，向所述处理室供给与所述原料气体反应的反应气体；和控制部，构成为控制所述加热系统、所述原料气体供给系统和所述反应气体供给系统，交替进行下述处理从而在所述...

【技术特征摘要】
2016.02.15 JP 2016-0258861.一种衬底处理装置，具有：处理室，搭载并收纳多个衬底；加热系统，以规定温度加热所述处理室；原料气体供给系统，具有原料气体喷嘴，并且从所述原料气体喷嘴向所述处理室供给原料气体，所述原料气体喷嘴在所述处理室的所述衬底的搭载方向上延伸且具有多个供给孔和多个减压孔，所述多个供给孔在与所述衬底的搭载区域相对应的高度开口，所述多个减压孔在比所述多个供给孔更靠下部且所述原料气体喷嘴内变得比所述规定温度低的位置开口，降低所述原料气体喷嘴内的压力；反应气体供给系统，向所述处理室供给与所述原料气体反应的反应气体；和控制部，构成为控制所述加热系统、所述原料气体供给系统和所述反应气体供给系统，交替进行下述处理从而在所述衬底上形成膜：将以搭载状态收纳了多个衬底的所述处理室以所述规定温度加热，并且从所述原料气体喷嘴向所述处理室供给所述原料气体的处理；和向所述处理室供给所述反应气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤野敏树，藤井优磨，野野村一树，马场美德，竹林雄二，寿崎健一，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP