存储器控制装置及其存储器控制测试方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储器控制装置及其存储器控制测试方法。存储器控制装置中的控制单元反应恢复信号的接收而依序输出标记信号给逻辑电路，以使逻辑电路依序地发出中止信号中止对应的状态机电路，其中恢复信号为通过延迟就绪信号所产生。因此，可更完整地测试存储器控制装置的存储器控制操作，进而提高存储器控制装置管控品质。

Memory control device and memory control testing method thereof

The invention provides a memory control device and a memory control testing method thereof. The control unit receives the response memory control device in the recovery signal and sequentially output signal to the logic circuit, the logic circuit in order to send the abort signal corresponding to the stop state machine circuit, which is ready to restore the signal by delaying the signal generated. As a result, the memory control operation of the memory control device can be more fully tested, thereby improving the quality control of the memory control device.

【技术实现步骤摘要】
存储器控制装置及其存储器控制测试方法
本专利技术涉及一种控制装置，尤其涉及一种存储器控制装置及其存储器控制测试方法。
技术介绍
在存储器的制造过程中，芯片或罩幕上的灰尘微粒，刮，以与门氧化层针孔等所引起的制程相关错误，常易使存储器受到影响，而导致不当的开路或短路。目前已发展出许多用来测试存储器是否正常运作的方法或硬体。当集成电路技术日新月异之际，存储器功能也显得越来越复杂，也因此存储器的控制电路也相形复杂。关于存储器的测试，目前已发展出存储器的内置自行测试(Built-inself-test；BIST)技术，传统上，其可利用状态机器来实施。而有关存储器控制电路的测试，一般仅以固定频率对存储器控制电路下达中止(suspend)与恢复(resume)的指令来进行，然此方式并无法完整地测试存储器控制电路的所有控制操作，因此无法有效地管控存储器装置的品质，进一步地降低存储器装置在客户端发生故障的机率。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储器控制装置及其存储器控制测试方法，可更完整地测试存储器控制装置的存储器控制操作。本专利技术的存储器控制装置，包括状态机单元、N个逻辑电路、控制单元以及恢复控制单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器控制装置，其特征在于，包括：状态机单元，具有N个状态机电路，所述N个状态机电路用以依序执行其对应的存储器控制操作，其中N为正整数；N个逻辑电路，分别耦接对应的所述N个状态机电路，并分别依据各所述状态机电路输出的状态位元信号以及标记信号输出中止信号至对应的状态机电路，以中止对应的状态机电路的存储器控制操作；控制单元，耦接所述N个逻辑电路，接收恢复信号，反应所述恢复信号的接收依序输出所述标记信号至所述N个逻辑电路，以依序中止所述N个状态机电路的存储器控制操作；以及恢复控制单元，耦接所述状态机单元、所述N个逻辑电路以及所述控制单元，依据所述中止信号产生就绪信号，延迟所述就绪信号以产生所述恢...

【技术特征摘要】
1.一种存储器控制装置，其特征在于，包括：状态机单元，具有N个状态机电路，所述N个状态机电路用以依序执行其对应的存储器控制操作，其中N为正整数；N个逻辑电路，分别耦接对应的所述N个状态机电路，并分别依据各所述状态机电路输出的状态位元信号以及标记信号输出中止信号至对应的状态机电路，以中止对应的状态机电路的存储器控制操作；控制单元，耦接所述N个逻辑电路，接收恢复信号，反应所述恢复信号的接收依序输出所述标记信号至所述N个逻辑电路，以依序中止所述N个状态机电路的存储器控制操作；以及恢复控制单元，耦接所述状态机单元、所述N个逻辑电路以及所述控制单元，依据所述中止信号产生就绪信号，延迟所述就绪信号以产生所述恢复信号至所述状态机单元与所述控制单元，以恢复所述N个状态机电路执行存储器控制操作，以及使所述控制单元输出所述标记信号。2.根据权利要求1所述的存储器控制装置，其特征在于，所述控制单元包括：移位寄存器，耦接所述N个逻辑电路与所述恢复控制单元，依据所述恢复信号与输入信号输出所述标记信号，所述移位寄存器包括：N+1个位移电路，所述N+1个位移电路依据所述恢复信号移位所述输入信号以产生所述标记信号。3.根据权利要求2所述的存储器控制装置，其特征在于，各所述逻辑电路依据对应的状态机电路输出的状态位元信号与对应的位移电路输出的标记信号执行及运算，以产生所述中止信号至对应的状态机电路。4.根据权利要求3所述的存储器控制装置，其特征在于，各所述逻辑电路包括：与门，其输入端耦接对应的状态机电路与对应的位移电路，依据对应的状态机电路输出的状态位元信号与对应的位移电路输出的标记信号产生所述中止信号至对应的状态机电路。5.根据权利要求2所述的存储器控制装置，其特征在于，若第N+1个位移电路输出所述标记信号，所述存储器控制装置通过存储器控制测试。6.根据权利要求1所述的存储器控制装置，其特征在于，所述N个状态机电路具有不同的存储器控制操作时间。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宗仁，黄仲盟，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71