太阳能电池组件的制造方法和太阳能电池组件的制造装置制造方法及图纸

太阳能电池组件(10)的制造方法包括：通过将太阳能单电池(11)、密封件(14)和各保护部件重叠并进行加热压接来制作层叠体(16)的工序；对层叠体(16)的整体进行加热，在加热结束后冷却至规定的温度的热处理工序；和光照射工序，对层叠体(16)的太阳能单电池(11)照射最大峰值波长为1500nm以下的光，通过该单电池的温度上升来加热密封件(14)，以使得构成层叠体(16)的太阳能单电池(11)和密封件(14)的温度至少不超过热处理工序中的各自的最高到达温度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池组件的制造方法和太阳能电池组件的制造装置
本专利技术涉及太阳能电池组件的制造方法和太阳能电池组件的制造装置。
技术介绍
在专利文献1中公开有如下技术：将太阳能单电池、构成密封件的树脂片和保护部件依次重叠并加热压接形成层叠体，制造太阳能电池组件。进一步，在专利文献1中记载有如下技术：对该层叠体照射在波长1.2μm～12μm之间呈现最大光谱辐射亮度且在波长1.1μm的光谱辐射亮度成为最大光谱辐射亮度的30％以下的光，对该层叠体进行加热。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-117926号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在太阳能单电池与密封件的粘接强度弱的情况下，存在引起在其界面产生剥落、外观不良、绝缘性能下降等问题的可能性。为了增强该粘接强度，考虑以更高温度对密封件进行加热，不过如果密封件的温度过高，则存在由于密封件中的挥发成分而产生气泡，外观不良、绝缘低下更加显著的情况。用于解决课题的方法本专利技术的一个方式的太阳能电池组件的制造方法包括：通过将太阳能单电池、密封件和保护部件重叠并进行加热压接来制作层叠体的工序；对层叠体的整体进行加热，并在加热结束后将其冷却至规定的温度的热处理工序；和光照射工序，对层叠体的太阳能单电池照射最大峰值波长为1500nm以下的光，通过该单电池的温度上升来加热密封件，以使得构成层叠体的太阳能单电池和密封件的温度至少不超过热处理工序中的各自的最高到达温度。本专利技术示的一个方式的太阳能电池组件的制造装置包括：通过将太阳能单电池、密封件和保护部件重叠并进行加热压接来制作层叠体的层压装置；对层叠体的整体进行加热的加热炉；对由加热炉热处理后的层叠体进行冷却的冷却装置；对由冷却装置冷却后的层叠体的太阳能单电池照射最大峰值波长为1500nm以下的光的光源；和输送层叠体的传送机构。专利技术的效果根据本专利技术的一个方式，能够提供太阳能单电池与密封件的粘接强度强的太阳能电池组件。本专利技术的一个方式的太阳能电池组件例如具有良好的外观和优异的绝缘性。附图说明图1是实施方式的一个例子的太阳能电池组件的截面图。图2是表示实施方式的一个例子的太阳能电池组件的制造工序的图。图3是例示图2的热处理工序中的加热曲线图的一个例子和运用该加热曲线图的情况下的太阳能单电池的温度的图。图4是表示图2的制造工序中的太阳能单电池的温度的图。图5是表示图2的制造工序中的密封件的温度的图。图6是表示图2的光照射工序中的光照射曲线图的一个例子的图。图7是表示光照射工序的另一个例子的图。图8是表示实施方式的一个例子的太阳能电池组件的制造装置(省略层压装置)的图。图9是表示光照射区域的另一个例子的图。图10是表示应用于图9的光照射区域的加热炉的图。图11是表示光照射区域的另一个例子的图。图12是表示光照射区域的另一个例子的图。图13是表示光照射区域的另一个例子的图。具体实施方式以下，参照附图详细说明实施方式的一个例子。实施方式中参照的附图是示意性记载的附图，附图中描绘的构成要素的尺寸比例等有时与实际情况不同。应该参照以下的说明判断具体的尺寸比例等。图1是实施方式的一个例子的太阳能电池组件10的截面图。太阳能电池组件10包括：多个太阳能单电池11；设置在太阳能单电池11的受光面侧的第1保护部件12；和设置在太阳能单电池11的背面侧的第2保护部件13。多个太阳能单电池11被第1保护部件12和第2保护部件13夹持，被填充于各保护部件之间的密封件14密封。太阳能电池组件10例如具有多个由导线15连接相邻的太阳能单电池11而构成的单电池串。单电池串是指呈列状配置的多个太阳能单电池11被导线15串联连接而构成的结构。此处，太阳能电池组件10和太阳能单电池11的“受光面”是指太阳光主要入射(超过50％～100％)的面，“背面”是指与受光面相反侧的面。受光面、背面之用语对保护部件等其它构成要素也使用。太阳能单电池11包括接收太阳光生成载流子的光电转换部。在光电转换部，在受光面上形成有受光面电极，在背面上形成有背面电极(均未图示)。背面电极优选比受光面电极更大面积地形成。太阳能单电池11的结构没有特别限定，也可以为仅在光电转换部的背面上形成有电极的结构。光电转换部具有例如晶体硅(c-Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等半导体基板、在半导体基板上形成的非晶半导体层、和在非晶半导体层上形成的透明导电层。作为具体例，能够列举在n型单晶硅基板的受光面上依次形成p型非晶硅层和透明导电层，在背面上依次形成n型非晶硅层和透明导电层的结构。在n型单晶硅基板与p型非晶硅层之间，也可以设置i型非晶硅层那样的钝化层。在n型单晶硅基板与n型非晶硅层之间也同样可以设置钝化层。透明导电层优选由在氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)等金属氧化物中掺杂有锡(Sn)、锑(Sb)等的透明导电性氧化物构成。电极由多个副栅线部和多个主栅线部构成。副栅线部是在透明导电层上形成的细线状的电极，主栅线部是在透明导电层上形成、从副栅线部收集载流子的电极。在本实施方式中，在光电转换部的各面上设置有3个主栅线部，导线15分别安装在各主栅线部上。导线15与一个太阳能单电池11的受光面和另一个太阳能单电池11的背面分别连接。第1保护部件12例如能够使用玻璃基板、树脂基板、树脂膜等具有透光性的部件。其中，从耐火性、耐久性等观点出发，优选使用玻璃基板。玻璃基板的厚度没有特别限定，不过优选为2mm～6mm程度。在第2保护部件13，既可以使用与第1保护部件12相同的透明的部件，也可以使用不透明的部件。第2保护部件13例如使用树脂膜(树脂片)。从降低水分透过性等观点出发，也可以在树脂膜形成有铝等的金属层、二氧化硅等的无机化合物层。树脂膜的厚度没有特别限定，不过优选为100μm～300μm程度。密封件14优选包括设置在太阳能单电池11与第1保护部件12之间的第1密封件14a(以下，称为“密封件14a”)和设置在太阳能单电池11与第2保护部件13之间的第2密封件14b(以下，称为“密封件14b”)。太阳能电池组件10使用片状的密封件14a、14b经层压工序制造，详细情况后述。密封件14a、14b的厚度没有特别限定，优选为100μm～1000μm程度。密封件14的构成材料以能够在层压工序中应用的树脂为主成分(超过50重量％)，优选含有该树脂80重量％以上，更优选含有90重量％以上。在密封件14中，除了树脂以外，还可以含有抗氧化剂、紫外线吸收剂、波长转换物质、着色剂等各种添加剂。密封件14优选至少含有偶联剂。作为密封件14的主成分优选使用的树脂能够例示将选自碳原子数2～20的α烯烃的至少1种聚合而得的烯烃类树脂(例如，聚乙烯、聚丙烯、乙烯和其它α烯烃的无规或嵌段共聚物等)、酯类树脂(例如，多元醇与聚羧酸或其酸酐、低级烷基酯的缩聚物等)、聚氨酯类树脂(例如，聚异氰酸酯与含活性氢基化合物(二醇、多元醇、二羧酸、聚羧酸、多胺、多硫醇等)的加聚物等)、环氧类树脂(例如，聚环氧化物的开环聚合物、聚环氧化物与上述含活性氢基化合物的加聚物等)、α烯烃与羧酸乙烯酯、丙烯酸酯或其它乙烯基单体的共聚物等。其中，特别优选烯烃类树脂(特别是环氧乙烯的聚合物)和α烯烃与羧酸乙烯酯的共聚物。作为α烯烃与羧酸乙烯酯的共聚物，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池组件的制造方法，其特征在于，包括：通过将太阳能单电池、密封件和保护部件重叠并进行加热压接来制作层叠体的工序；对所述层叠体的整体进行加热，并在加热结束后将其冷却至规定的温度的热处理工序；和光照射工序，对所述层叠体的所述太阳能单电池照射最大峰值波长为1500nm以下的光，通过该单电池的温度上升来加热所述密封件，以使得构成所述层叠体的所述太阳能单电池和所述密封件的温度至少不超过所述热处理工序中的各自的最高到达温度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.27 JP 2014-2185841.一种太阳能电池组件的制造方法，其特征在于，包括：通过将太阳能单电池、密封件和保护部件重叠并进行加热压接来制作层叠体的工序；对所述层叠体的整体进行加热，并在加热结束后将其冷却至规定的温度的热处理工序；和光照射工序，对所述层叠体的所述太阳能单电池照射最大峰值波长为1500nm以下的光，通过该单电池的温度上升来加热所述密封件，以使得构成所述层叠体的所述太阳能单电池和所述密封件的温度至少不超过所述热处理工序中的各自的最高到达温度。2.如权利要求1所述的太阳能电池组件的制造方法，其特征在于：所述热处理工序包括：对所述层叠体的整体进行加热的加热工序；和对在所述加热工序中加热后的所述层叠体进行冷却的冷却工序。3.如权利要求2所述的太阳能电池组件的制造方法，其特征在于：所述加热工序在145℃～180℃的温度范围对所述层叠体进行加热，所述冷却工序对所述层叠体进行冷却直到构成所述层叠体的所述太阳能单电池和所述密封件的温度成为140℃以下。4.如权利要求1所述的太阳能电池组件的制造方法，其特征在于：在所述热处理工序中，随时间经过使加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川圭祐，今田直人，神野浩，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP