P型PERC太阳能电池的制备方法、电池、组件和系统技术方案

本发明专利技术公开了一种P型PERC太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：（1）在硅片正面形成绒面；（2）在硅片正面进行扩散，形成N型发射极；（3）去除磷硅玻璃和周边PN结；（4）在硅片背面沉积氧化铝膜；（5）采用PECVD双面沉积设备，在硅片的正面和背面同时沉积氮化硅膜；（6）对硅片背面进行激光开槽；（7）在硅片背面印刷背面电极浆料，烘干；（8）在硅片背面印刷铝浆，烘干；（9）在硅片正面印刷正面电极浆料；（10）对硅片进行高温烧结，形成背面电极、全铝背电场和正面电极；（11）对硅片进行抗LID退火，制得P型PERC太阳能电池。本发明专利技术还公开了一种P型PERC太阳能电池、组件和系统。采用本发明专利技术，可提高生产效率，减少硅片的划伤。

【技术实现步骤摘要】
P型PERC太阳能电池的制备方法、电池、组件和系统
本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种P型PERC太阳能电池的制备方法，相应地，本专利技术还涉及一种P型PERC太阳能电池、组件和系统。
技术介绍
晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P-N结上，形成新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。传统晶硅太阳能电池基本上只采用正面钝化技术，在硅片正面用PECVD的方式沉积一层氮化硅膜，降低少子在前表面的复合速率，可以大幅度提升晶硅电池的开路电压和短路电流，从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。随着对晶硅电池的光电转换效率的要求越来越高，人们开始研究背钝化太阳电池技术。背钝化技术是在硅片背面镀氧化铝膜和氮化硅膜，硅片的正面还按照常规工艺沉积氮化硅膜。目前PERC电池主流的做法是在硅片的正面和背面分别沉积氮化硅膜，背面氮化硅膜的作用是保护起钝化作用的氧化铝薄膜，正面氮化硅膜的作用有两方面，一方面减少正面太阳光的反射，另一方面对硅片正面进行钝化。然而正面氮化硅膜、背本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种P型PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在硅片正面形成绒面，所述硅片为P型硅；（2）在硅片正面进行扩散，形成N型发射极；（3）去除扩散过程形成的磷硅玻璃和周边PN结；（4）在硅片背面沉积氧化铝膜；（5）采用PECVD双面沉积设备，在硅片的正面和背面同时沉积氮化硅膜；（6）对硅片背面进行激光开槽；（7）在硅片背面印刷背面电极浆料，烘干；（8）在硅片背面印刷铝浆，烘干；（9）在硅片正面印刷正面电极浆料；（10）对硅片进行高温烧结，形成背面电极、全铝背电场和正面电极；（11）对硅片进行抗LID退火，制得P型PERC太阳能电池。

【技术特征摘要】
1.一种P型PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在硅片正面形成绒面，所述硅片为P型硅；（2）在硅片正面进行扩散，形成N型发射极；（3）去除扩散过程形成的磷硅玻璃和周边PN结；（4）在硅片背面沉积氧化铝膜；（5）采用PECVD双面沉积设备，在硅片的正面和背面同时沉积氮化硅膜；（6）对硅片背面进行激光开槽；（7）在硅片背面印刷背面电极浆料，烘干；（8）在硅片背面印刷铝浆，烘干；（9）在硅片正面印刷正面电极浆料；（10）对硅片进行高温烧结，形成背面电极、全铝背电场和正面电极；（11）对硅片进行抗LID退火，制得P型PERC太阳能电池。2.如权利要求1所述P型PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（6）中硅片在PECVD双面沉积设备的工艺腔中受到上方和下方气体共同作用下，悬浮通过工艺腔并在硅片的正反双面同时沉积氮化硅膜。3.如权利要求2所述P型PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于，PECVD双面沉积设备的工艺腔中喷射的气体为氨气和硅烷；工艺腔上通气板向下喷出硅烷气体的速率为1500-1800sccm，通入氨气的速率为4000-10000sccm；工艺腔下通气板向上喷出硅烷气体的速率为1800-3000sccm，通入氨气的速率为5000-12000sccm；反应压力为1-3Torr，反应持续时间为40-80s。4.如权利要求1所述P型PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于，在步骤（3）和（4）之间加...

【专利技术属性】
技术研发人员：何达能，方结彬，陈刚，
申请(专利权)人：广东爱康太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44