用于贯穿离子阱结构的激光使用的基于MEMS的三维离子阱装置及其制造方法制造方法及图纸

在本发明专利技术的实施例中，提供一种离子阱装置及其制造方法，所述离子阱装置的基板的上侧或者下侧包括第一RF电极轨、第二RF电极轨、一个以上的第一DC电极及一个以上的第二DC电极，其特征在于，所述基板在以所述离子阱装置的宽度方向为基准而一侧和另一侧相隔一定距离而分离的空间内形成离子阱，所述第一RF电极轨和所述第二RF电极轨沿着所述离子阱装置的长度方向并行布置，所述第一RF电极轨位于所述一侧的上部，所述一个以上的第二DC电极位于所述一侧的下部，所述一个以上的第一DC电极位于所述另一侧的上部，所述第二RF电极轨位于所述另一侧的下部，具有从所述基板的一侧或者另一侧的外侧面连接至所述阱区域的激光贯穿路径。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于贯穿离子阱结构的激光使用的基于MEMS的三维离子阱装置及其制造方法
本专利技术的实施例涉及用于贯穿离子阱结构的激光使用的基于微机电系统(MEMS)的三维离子阱装置及其制造方法。
技术介绍
该部分记载的内容仅用于提供本专利技术实施例的背景信息，而不用于构成
技术介绍
。量子计算机使用不同于现有计算机的量子算法，相比于现有的运算方式，其处理速度有飞跃性增长。因量子运算技术的发达，现有的基于RSA(RivestShamirAdleman)的加密技术变得容易被破解，因此，用于替代现有加密方式的量子密钥分配(QKD)系统得到开发，而且已经在个别公司得到商业化而使这些系统中得到实用。目前，量子密钥分配系统的最大局限性在于，由于一个光子通过光纤时的衰减，使通信时一次送出的距离受到限制。为了克服该缺点，需要使用量子中继器(QuantumRepeater)对信号进行放大，离子阱是制造量子中继器所必需的量子存储器的构建方法中最受关注的方式。离子阱的最基本的形状如图1的(a)所示，是由4个电极棒e1、e2、e3和e4组成的结构，如图1的(b)所示，e1和e4接地，对e2和e3施加高电压的RF信号，生成电场本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子阱装置，其在基板的上侧或者下侧包括第一RF电极轨、第二RF电极轨、一个以上的第一DC电极及一个以上的第二DC电极，该离子阱装置的特征在于，所述基板在以所述离子阱装置的宽度方向为基准而一侧和另一侧相隔一定距离而分离的空间内形成离子阱区域，所述第一RF电极轨和所述第二RF电极轨沿着所述离子阱装置的长度方向并行布置，所述第一RF电极轨位于所述一侧的上部，所述一个以上的第二DC电极位于所述一侧的下部，所述一个以上的第一DC电极位于所述另一侧的上部，所述第二RF电极轨位于所述另一侧的下部，该离子阱装置具有从所述基板的一侧或者另一侧的外侧面连接至所述阱区域的激光贯穿路径。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.30 KR 10-2014-01495521.一种离子阱装置，其在基板的上侧或者下侧包括第一RF电极轨、第二RF电极轨、一个以上的第一DC电极及一个以上的第二DC电极，该离子阱装置的特征在于，所述基板在以所述离子阱装置的宽度方向为基准而一侧和另一侧相隔一定距离而分离的空间内形成离子阱区域，所述第一RF电极轨和所述第二RF电极轨沿着所述离子阱装置的长度方向并行布置，所述第一RF电极轨位于所述一侧的上部，所述一个以上的第二DC电极位于所述一侧的下部，所述一个以上的第一DC电极位于所述另一侧的上部，所述第二RF电极轨位于所述另一侧的下部，该离子阱装置具有从所述基板的一侧或者另一侧的外侧面连接至所述阱区域的激光贯穿路径。2.如权利要求1所述的离子阱装置，其特征在于，当所述一个以上的第一DC电极和所述一个以上的第二DC电极分别具有多个时，所述一个以上的第一DC电极和所述一个以上的第二DC电极分别沿着所述长度方向并行布置。3.如权利要求1所述的离子阱装置，其特征在于，所述激光贯穿路径的方向由所述宽度方向和所述长度方向之间的方向形成。4.如权利要求1所述的离子阱装置，其特征在于，在与所述激光贯穿路径的位置对应的所述基板的上侧和下侧中的至少一侧形成有多个工程孔。5.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金兑炫，赵东日，李珉栽，洪锡俊，千弘珍，
申请(专利权)人：SK电信有限公司，首尔大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国,KR