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在本发明的实施例中，提供一种离子阱装置及其制造方法，所述离子阱装置的基板的上侧或者下侧包括第一RF电极轨、第二RF电极轨、一个以上的第一DC电极及一个以上的第二DC电极，其特征在于，所述基板在以所述离子阱装置的宽度方向为基准而一侧和另一侧相...
该专利属于SK电信有限公司;首尔大学校产学协力团所有，仅供学习研究参考，未经过SK电信有限公司;首尔大学校产学协力团授权不得商用。

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