磁场测量装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种即使在MI传感器的灵敏度发生了变化的情况下，也能够准确地测量磁场的磁场测量装置。磁场测量装置(1)包括MI传感器(2)和灵敏度算出单元(3)。MI传感器(2)包括感磁体(20)、检测线圈(21)以及通过通电来产生磁场的磁场产生线圈(22)。灵敏度算出单元(3)在从MI传感器(2)的外侧作用到感磁体(20)上的磁场即传感器外磁场HO为一定的状态下，使流至磁场产生线圈(22)的电流发生变化。由此，使作用在感磁体(20)上的磁场发生变化，并算出将检测线圈(21)输出电压的变化量除以作用在感磁体(20)上磁场的变化量而得到的值、即灵敏度a。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁场测量装置
本专利技术涉及具备磁阻抗传感器的磁场测量装置。
技术介绍
已知使用磁阻抗传感器(以下，也记为MI传感器)的装置作为测量磁场的磁场测量装置(参照下述专利文献1)。MI传感器包括由非晶合金构成的感磁体，以及卷绕在该感磁体上的检测线圈。MI传感器构成为从所述检测线圈输出与作用在感磁体上的磁场相对应的电压。在作用于所述感磁体的磁场比较弱的情况下，检测线圈的输出电压与磁场大致成比例。即，这种情况下，所述输出电压表现为磁场的一次函数。所述磁场测量装置将该一次函数的斜率作为灵敏度而存储。而且，构成为使用该灵敏度和检测线圈的输出电压来算出作用于感磁体上的磁场。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2005/19851号
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，所述磁场测量装置具有磁场的测量精度不充分高这样的问题。即，所述磁场测量装置构成为，存储好在制造工厂等中测量到的MI传感器的灵敏度，在用户使用时，使用存储的灵敏度的值算出磁场。磁场测量装置是假定灵敏度从制造时起不发生变化而设计的。因此，并不是重新测量灵敏度的结构。然而，实际上，MI传感器的灵敏度具有随温度而变化，或是经年变化的情况。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁场测量装置，其测量磁场，所述磁场测量装置的特征在于，包括：磁阻抗传感器以及灵敏度算出单元，所述磁阻抗传感器包括：感磁体；检测线圈，其卷绕在该感磁体上并输出与作用在该感磁体上的磁场相对应的电压；以及磁场产生线圈，其卷绕在所述感磁体上并通过通电来产生磁场，所述灵敏度算出单元在从该磁阻抗传感器的外侧作用至所述感磁体上的磁场即传感器外磁场为一定的状态下，通过使流至所述磁场产生线圈的电流发生变化，来使作用在所述感磁体上的磁场发生变化，并算出灵敏度，所述灵敏度为将所述检测线圈的输出电压的变化量除以作用在所述感磁体上的磁场的变化量而得到的值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.10 JP 2014-1843921.一种磁场测量装置，其测量磁场，所述磁场测量装置的特征在于，包括：磁阻抗传感器以及灵敏度算出单元，所述磁阻抗传感器包括：感磁体；检测线圈，其卷绕在该感磁体上并输出与作用在该感磁体上的磁场相对应的电压；以及磁场产生线圈，其卷绕在所述感磁体上并通过通电来产生磁场，所述灵敏度算出单元在从该磁阻抗传感器的外侧作用至所述感磁体上的磁场即传感器外磁场为一定的状态下，通过使流至所述磁场产生线圈的电流发生变化，来使作用在所述感磁体上的磁场发生变化，并算出灵敏度，所述灵敏度为将所述检测线圈的输出电压的变化量除以作用在所述感磁体上的磁场的变化量而得到的值。2.如权利要求1所述的磁场测...

【专利技术属性】
技术研发人员：长尾知彦，山本道治，
申请(专利权)人：爱知制钢株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP