有机发光显示装置及其制造方法制造方法及图纸

公开了一种有机发光显示装置及其制造方法，该有机发光显示装置可以包括：薄膜晶体管，该薄膜晶体管位于一基板上；第一电极，该第一电极与所述薄膜晶体管电连接；有机发光层，该有机发光层位于所述第一电极上，所述有机发光层用隔板分离；隔板盖，该隔板盖位于所述隔板上；第二电极，该第二电极位于所述有机发光层上；以及封装层，该封装层位于所述第二电极上，其中，所述隔板盖的上表面的宽度小于所述隔板盖的下表面的宽度。

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示装置及其制造方法
本专利技术的实施方式涉及有机发光显示装置，并且更具体地说，涉及顶发射型有机发光显示装置。
技术介绍
作为自发光显示装置的有机发光显示(OLED)装置具有以下优点：低功耗、快响应速度、高发射效率、高亮度以及宽视角。根据从OLED装置发射的光的方向，该OLED装置可以主要地分类为顶发射型和底发射型。针对底发射型的情况，将电路装置设置在发光层与图像显示表面之间，其因该电路装置而可能降低开口率。此时，针对顶发射型的情况，通常不将电路装置设置在发光层与图像显示表面之间，并由此，从开口率角度而言更有利。图1是根据现有技术的顶发射型OLED装置的截面图。如图1所示，将包括有源层11、栅极绝缘膜12、栅极13、绝缘间层14、源极15以及漏极16的薄膜晶体管层(T)设置在基板10上，并接着将钝化层20和平坦化层30顺序地设置在薄膜晶体管层(T)上。接着，将阳极电极40设置在平坦化层30上。在阳极电极40上，设置堤状部50，以限定像素区。而且，将有机发光层60设置在由堤状部50限定的像素区中，并且将阴极电极70设置在有机发光层60上。针对顶发射型的情况，从有机发光层60发射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示OLED装置，该有机发光显示装置包括：薄膜晶体管，该薄膜晶体管位于基板上；第一电极，该第一电极与所述薄膜晶体管电连接；有机发光层，该有机发光层位于所述第一电极上，所述有机发光层用隔板分离；隔板盖，该隔板盖位于所述隔板上；第二电极，该第二电极位于所述有机发光层上；以及封装层，该封装层位于所述第二电极上，其中，所述隔板盖的上表面的宽度小于所述隔板盖的下表面的宽度。

【技术特征摘要】
2015.10.30 KR 10-2015-01526201.一种有机发光显示OLED装置，该有机发光显示装置包括：薄膜晶体管，该薄膜晶体管位于基板上；第一电极，该第一电极与所述薄膜晶体管电连接；有机发光层，该有机发光层位于所述第一电极上，所述有机发光层用隔板分离；隔板盖，该隔板盖位于所述隔板上；第二电极，该第二电极位于所述有机发光层上；以及封装层，该封装层位于所述第二电极上，其中，所述隔板盖的上表面的宽度小于所述隔板盖的下表面的宽度。2.根据权利要求1所述的OLED装置，所述OLED装置还包括：辅助电极，该辅助电极和所述第一电极设置在同一层中，其中，所述隔板设置在所述辅助电极上。3.根据权利要求2所述的OLED装置，其中，所述第二电极与所述辅助电极电连接。4.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述隔板的上表面的宽度大于所述隔板的下表面的宽度。5.根据权利要求1所述的OLED装置，所述OLED装置还包括：堤状部，该堤状部位于所述第一电极的侧边处，其中，所述堤状部和所述隔板盖由同一材料形成。6.根据权利要求5所述的OLED装置，其中，所述封装层设置在所述隔板与所述堤状部之间的空间中。7.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极绝缘膜、栅极、绝缘间层、源极以及漏极。8.根据权利要求7所述的OLED装置，其中，所述有源层由基于硅的半导体材料或基于氧化物的半导体材料形成。9.根据权利要求7所述的OLED装置，其中，用于暴露所述有源层的第一端部的第一接触孔被设置在所述栅极绝缘膜和所述绝缘间层中，并且用于暴露所述有源层的第二端部的第二接触孔被设置在所述栅极绝缘膜和所述绝缘间层中。10.根据权利要求9所述的OLED装置，其中，所述源极经由所述第一接触孔与所述有源层的所述第一端部连接，并且所述漏极经由所述第二接触孔与所述有源层的所述第二端部连接。11.根据权利要求9所述的OLED装置，其中，在形成在所述薄膜晶体管上的钝化层和形成在所述钝化层上的平坦化层中制备用于暴露所述漏极的第三接触孔。12.根据权利要求11所述的OLED装置，其中，所述第一电极经由所述第三接触孔与所述漏极连接。13.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述第一电极由铟锡氧化物ITO或铟锌氧化物IZO形成。14.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述第一电极具有包括钼(Mo)、钼(Mo)和钛(Ti)...

【专利技术属性】
技术研发人员：李在晟，李晙硕，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR