用于有机光电器件的化合物以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件制造技术

公开用于有机光电器件的化合物以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件。所述用于有机光电器件的化合物由化学式1表示。其中，在化学式1中，X

【技术实现步骤摘要】
用于有机光电器件的化合物以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件相关申请的交叉引用本申请要求2015年11月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0164996的优先权和权益，其全部内容引入本文中作为参考。
实例实施方式涉及用于有机光电器件的化合物以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件。
技术介绍
光电器件典型地利用光电效应将光转换为电信号。所述光电器件可包括光电二极管、光电晶体管等，且可应用于图像传感器、有机发光二极管等。包括光电二极管的图像传感器典型地需要高分辨率和因此的相对小的像素。目前，硅光电二极管被广泛使用，但是由于因较小的像素造成的较小的吸收面积而呈现恶化的灵敏度。因此，能够代替硅的有机材料是研究的主题。所述有机材料具有相对高的消光系数并且取决于分子结构而选择性地吸收特定波长区域中的光，并且因此可同时代替光电二极管和滤色器，由此改善灵敏度并对相对高的集成作贡献。
技术实现思路
实例实施方式提供能够选择性地吸收绿色波长区域中的光的用于有机光电器件的化合物。实例实施方式还提供能够选择性地吸收绿色波长区域中的光并且改善效率的有机光电器件。实例实本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于有机光电器件的化合物，由以下化学式1表示：[化学式1]

【技术特征摘要】
2015.11.24 KR 10-2015-01649961.用于有机光电器件的化合物，由以下化学式1表示：[化学式1]其中，在化学式1中，X1为Se、Te、S(＝O)、S(＝O)2、和SiRaRb之一，其中Ra和Rb各自为氢和C1-C10烷基之一，X2为O、S、Se、Te、和C(Rc)(CN)之一，其中Rc为氢、氰基(-CN)和C1-C10烷基之一，Ar1和Ar2各自独立地为取代或未取代的C6-C30芳基以及取代或未取代的C4-C30杂芳基之一，和R1-R5各自独立地为如下之一：氢、氘、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C4-C30杂芳基、卤素、氰基(-CN)、含氰基的基团、及其组合。2.如权利要求1所述的化合物，其中Ar1和Ar2各自独立地为如下之一：取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的噌啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的酞嗪基、取代或未取代的苯并三嗪基、取代或未取代的吡啶并吡嗪基、取代或未取代的吡啶并嘧啶基、和取代或未取代的吡啶并哒嗪基。3.如权利要求1所述的化合物，其中Ar1和Ar2的至少一个为如下之一：取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的噌啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的酞嗪基、取代或未取代的苯并三嗪基、取代或未取代的吡啶并吡嗪基、取代或未取代的吡啶并嘧啶基、和取代或未取代的吡啶并哒嗪基。4.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物在薄膜状态下具有500nm-600nm的最大吸收波长(λ最大)。5.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物在薄膜状态下具有525nm-560nm的最大吸收波长(λ最大)。6.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物在薄膜状态下呈现具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔惠成，八木弹生，樱井理惠，李启滉，林宣晶，X布利亚德，尹晟荣，林东皙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR