咔唑类化合物和包括该咔唑类化合物的有机发光二极管制造技术

一种通式1的咔唑类化合物和一种包括该咔唑类化合物的有机发光二极管。由通式1表示的咔唑类化合物具有三芳基胺结构，其中R1至R5中至少一个基本为含氮基。因此，咔唑类化合物具有高玻璃化转变温度和/或高熔点，且在电子注入的过程中是稳定的，并在插入有机发光二极管的一对电极(阳极和阴极)之间时，所述咔唑类化合物在有机发光二极管工作期间对于在一对电极之间的有机层、有机层之间或有机层与电极之间产生的焦耳热可具有优异的耐热性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及咔唑类化合物和包括该咔唑类化合物的有机发光二极管。
技术介绍
自发光装置有机发光二极管(OLED)具有如宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的驱动电压特性等优点，并具有提供彩色图像的能力。常规有机发光二极管具有包括基板以及依次堆叠在基板上的阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极的结构。在此情况下，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的有机层。具有上述结构的有机发光二级管的工作原理如下。在阳极和阴极之间施加电压时，由阳极注入的空穴通过HTL向EML迁移，且由阴极注入的电子通过ETL向EML迁移。空穴和电子在EML中再结合以产生激子。当激子从激发态降至基态时，发出光。
技术实现思路
本专利技术提供咔唑类化合物和包括该咔唑类化合物的有机发光二极管。根据本专利技术的一个方面，提供由以下通式I表示的咔唑类化合物11通式I权利要求1. 一种咔唑类化合物，所述咔唑类化合物由通式I表示通式I2.如权利要求I所述的咔唑类化合物，其中Ar1至Ar3各自独立地为取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚戊搭烯基、取代或未取代的亚茚基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚奥基、取代或未取代的亚庚搭烯基、取代或未取代的亚引达省基、取代或未取代的亚苊基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚葩基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚荧蒽基、取代或未取代的亚苯并菲基、取代或未取代的亚吡喃基、取代或未取代的亚題基、取代或未取代的亚并四苯基、取代或未取代的亚茜基、取代或未取代的亚二萘嵌苯基、取代或未取代的亚五苯基或取代或未取代的亚并六苯基。3.如权利要求I所述的咔唑类化合物，其中Ar1至Ar3各自独立地为以下通式2A至21中的一个4.如权利要求I所述的咔唑类化合物，其中所述含氮基为以下通式3A至3M中的一个5.如权利要求4所述的咔唑类化合物，其中Z11至Z15各自独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代或未取代的C1-Cltl烷基、取代或未取代的C1-Cltl烷氧基或取代或未取代的C5-C2tl芳基。6.如权利要求I所述的咔唑类化合物，其中所述含氮基为以下通式4Α至4Ρ中的一个:7.如权利要求I所述的咔唑类化合物，其中R1为含氮基，且c和d各自独立地为I或2。8.如权利要求I所述的咔唑类化合物，其中R2至R5中至少一个为含氮基。9.如权利要求I所述的咔唑类化合物，所述咔唑类化合物由以下通式IA至IK中的一个表示10.如权利要求I所述的咔唑类化合物，所述咔唑类化合物为结构2、3、8、14、15、16、20、31或33中的一个11.一种有机发光二极管，包括第一电极；与所述第一电极相对设置的第二电极；以及插入所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括权利要求I至10中任何一项所述的咔唑类化合物。12.如权利要求11所述的有机发光二极管，其中所述有机层包括空穴注入层、空穴传输层、具有空穴注入和空穴传输能力的层、缓冲层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、或具有电子注入和电子传输能力的层中的至少一层。13.如权利要求12所述的有机发光二极管，其中所述有机层包括所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述具有空穴注入和空穴传输能力的层中的至少一层以及所述发光层，其中所述空穴注入层、所述空穴传输层以及所述具有空穴注入和空穴传输能力的层中的至少一层包括所述咔唑类化合物。14.如权利要求13所述的有机发光二极管，其中所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述具有空穴注入和空穴传输能力的层中的至少一层进一步包括相比所述咔唑类化合物具有更高空穴迁移率和更高导电率的双极性化合物。15.如权利要求14所述的有机发光二极管。其中所述双极性化合物由以下通式300表示16.如权利要求13所述的有机发光二极管，其中所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述具有空穴注入和空穴传输能力的层中的至少一层进一步包括电荷产生材料。17.如权利要求13所述的有机发光二极管，其中在所述空穴注入层、所述空穴传输层或所述具有空穴注入和空穴传输能力的层中的至少一层与发光层之间插入缓冲层。18.如权利要求13所述的有机发光二极管，其中所述发光层包括磷光掺杂剂。19.如权利要求12所述的有机发光二极管，其中所述有机层包括含所述咔唑类化合物的电子传输层。20.如权利要求12所述的有机发光二极管，其中所述有机层包括电子传输层，所述电子传输层包括电子传输有机化合物和含金属材料。全文摘要一种通式1的咔唑类化合物和一种包括该咔唑类化合物的有机发光二极管。由通式1表示的咔唑类化合物具有三芳基胺结构，其中R1至R5中至少一个基本为含氮基。因此，咔唑类化合物具有高玻璃化转变温度和/或高熔点，且在电子注入的过程中是稳定的，并在插入有机发光二极管的一对电极(阳极和阴极)之间时，所述咔唑类化合物在有机发光二极管工作期间对于在一对电极之间的有机层、有机层之间或有机层与电极之间产生的焦耳热可具有优异的耐热性。文档编号C09K11/06GK102911159SQ20121007781公开日2013年2月6日 申请日期2012年3月22日 优先权日2011年8月5日专利技术者李善英, 郭允铉, 朴范雨, 申大烨, 李宽熙, 郑惠仁, 高三一, 朴美花 申请人:三星显示有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种咔唑类化合物，所述咔唑类化合物由通式1表示：通式1其中，Ar1至Ar3各自独立地为取代或未取代的C5？C60亚芳基；a和b各自独立地为0至5的整数；c为1至5的整数；R1至R5各自独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代或未取代的C1？C60烷基、取代或未取代的C2？C60烯基、取代或未取代的C2？C60炔基、取代或未取代的C1？C60烷氧基、取代或未取代的C3？C60环烷基、取代或未取代的C5？C60芳基、取代或未取代的C5？C60芳氧基、取代或未取代的C5？C60芳硫基、？Si(R31)(R32)(R33)、？N(R34)(R35)或含氮基，其中R1至R5中至少一个为含氮基；d为0至5的整数；R11至R23各自独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代或未取代的C1？C60烷基、取代或未取代的C2？C60烯基、取代或未取代的C2？C60 炔基、取代或未取代的C1？C60烷氧基、取代或未取代的C3？C60环烷基、取代或未取代的C5？C60芳基、取代或未取代的C5？C60芳氧基、取代或未取代的C5？C60芳硫基、？Si(R36)(R37)(R38)或？N(R39)(R40)；R31至R40各自独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代或未取代的C1？C60烷基、取代或未取代的C2？C60烯基、取代或未取代的C2？C60炔基、取代或未取代的C1？C60烷氧基、取代或未取代的C3？C60环烷基、取代或未取代的C5？C60芳基、取代或未取代的C5？C60芳氧基、取代或未取代的C5？C60芳硫基或取代或未取代的C2？C60杂芳基；和所述含氮基为包含至少一个氮原子作为环原子的5元芳环基、6元芳环基、或5元芳环基和6元芳环基彼此稠合的9元芳环基。FDA0000145905620000011.tif...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李善英，郭允铉，朴范雨，申大烨，李宽熙，郑惠仁，高三一，朴美花，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：