生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱制造技术

本实用新型专利技术公开了生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在玻璃衬底上的铝金属层，生长在铝金属层上的银金属层，生长在银金属层上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱。本实用新型专利技术的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。

【技术实现步骤摘要】
生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱
本技术涉及InGaN/GaN多量子阱，特别涉及生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱。
技术介绍
发光二极管(LED)作为一种新型固体照明光源和绿色光源，具有体积小、耗电量低、环保、使用寿命长、高亮度、低热量以及多彩等突出特点，在室外照明、商业照明以及装饰工程等领域都具有广泛的应用。当前，在全球气候变暖问题日趋严峻的背景下，节约能源、减少温室气体排放成为全球共同面对的重要问题。以低能耗、低污染、低排放为基础的低碳经济，将成为经济发展的重要方向。在照明领域，LED发光产品的应用正吸引着世人的目光，LED作为一种新型的绿色光源产品，必然是未来发展的趋势。但是现阶段LED的应用成本较高，发光效率较低，这些因素都会大大限制LED向高效节能环保的方向发展。III族氮化物GaN在电学、光学以及声学上具有极其优异的性质，近几年受到广泛关注。GaN是直接带隙材料，且声波传输速度快，化学和热稳定性好，热导率高，热膨胀系数低，击穿介电强度高，是制造高效的LED器件的理想材料。目前，GaN基LED的发光效率现在已经达到28％并且还在进一步的增长，该数值远本文档来自技高网...

【技术保护点】
生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，包括生长在玻璃衬底上的铝金属层，生长在铝金属层上的银金属层，生长在银金属层上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱。

【技术特征摘要】
1.生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，包括生长在玻璃衬底上的铝金属层，生长在铝金属层上的银金属层，生长在银金属层上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱。2.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，所述铝金属层厚度为150～200μm。3.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，所述银金属层的厚度为100～300nm。4.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，高芳亮，温雷，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：新型
国别省市：广东,44