音叉晶振基座制造技术

本发明专利技术提供片式（SMD）音叉晶振基座，它包括有陶瓷材料制成的基板，基板一端一体延伸形成有第一晶振臂和第二晶振臂，第一晶振臂和第二晶振臂之间通过U形槽分隔，U形槽槽底一端端部的基板上凸形成台阶座，第一晶振臂中部设有下凹的第一嵌槽，第二晶振臂中部设有下凹的第二嵌槽，第一嵌槽、第二嵌槽一端均延伸至台阶座底部，第一嵌槽内嵌装有第一连接导体，第二嵌槽内嵌装有第二连接导体，第一台阶座两端设有电极A和电极B，第一晶振臂外端端部设有电极D，第二晶振臂外端端部设有电极。采用本发明专利技术后的连接导体结合性好，结构稳定耐用。

【技术实现步骤摘要】
音叉晶振基座
本专利技术涉及电子元件
，尤其是指片式（SMD）音叉晶振基座。
技术介绍
晶体谐振器和振荡器的应用非常广泛，其中手机、数码相机、PDA每部需1只，笔记本电脑需4～6只。这些产品的年增长率均在10％～50％。晶体谐振器、振荡器的需求呈连年上升趋势。目前我国的音叉晶振陶瓷基座基本由日本、韩国进口，因此音叉晶振陶瓷基座的国产化设计与开发迫在眉睫。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种结合性好、结构稳定耐用的片式（SMD）音叉晶振基座。为实现上述目的，本专利技术所提供的技术方案为：音叉晶振基座，它包括有陶瓷材料制成的基板，基板一端一体延伸形成有第一晶振臂和第二晶振臂，第一晶振臂和第二晶振臂之间通过U形槽分隔，U形槽槽底一端端部的基板上凸形成台阶座，第一晶振臂中部设有下凹的第一嵌槽，第二晶振臂中部设有下凹的第二嵌槽，第一嵌槽、第二嵌槽一端均延伸至台阶座底部，第一嵌槽内嵌装有第一连接导体，第二嵌槽内嵌装有第二连接导体，第一台阶座两端设有电极A和电极B，第一晶振臂外端端部设有电极D，第二晶振臂外端端部设有电极C，其中，电极B与电极D之间通过第一连接导体连接，电极A、电极C之间通过第二连接导体连接，基板底部设有可伐金属环，基板顶部通过上盖封装，组合后的基板、可伐金属环、上盖的露出部位电镀有镀金层，镀金厚度为0.5～1.2μm；其中，基板的原料各组份质量份为：氧化铝粉(Al2O3)85份、硼硅玻璃10份、碳酸钙粉1-2份、二氧化硅1-3份、氧化锰共占1-2.5份、邻苯二甲酸二丁脂2-3.2份、三氯乙烯10-20份；连接导体由导体浆料制成，导体浆料由99份的钨浆和1份的陶瓷粉混合形成，其中，陶瓷粉由氧化铝粉92份；碳酸钙粉2份、二氧化硅2份、氧化镁2份、氧化锰2份；可伐金属环采用0.2mm~0.25mm厚的可伐板经冲压加工而成。本专利技术在采用上述方案后，采用嵌镶式的连接导体结合性好，结构稳定耐用，连接导体采用金属导体浆料制成，金属导体浆料可用作晶振基座的内部导线和外部引线。附图说明图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术的上盖的安装示意图。图3为本专利技术的可伐金属环结构示意图。具体实施方式下面结合所有附图对本专利技术作进一步说明，本专利技术的较佳实施例为：参见附图1至附图3，本实施例所述的片式（SMD）音叉晶振基座包括有陶瓷材料制成的基板1，基板1一端一体延伸形成有第一晶振臂和第二晶振臂，第一晶振臂和第二晶振臂之间通过U形槽分隔，U形槽槽底一端端部的基板1上凸形成台阶座2，第一晶振臂中部设有下凹的第一嵌槽，第二晶振臂中部设有下凹的第二嵌槽，第一嵌槽、第二嵌槽一端均延伸至台阶座2底部，第一嵌槽内嵌装有第一连接导体3，第二嵌槽内嵌装有第二连接导体4，第一台阶座2两端设有电极A和电极B，第一晶振臂外端端部设有电极D，第二晶振臂外端端部设有电极C，其中，电极B与电极D之间通过第一连接导体3连接，电极A、电极C之间通过第二连接导体4连接，所述的连接导体由导体浆料制成，导体浆料由99份的钨浆和1份的陶瓷粉混合形成，其中，陶瓷粉由氧化铝粉92份；碳酸钙粉2份、二氧化硅2份、氧化镁2份、氧化锰2份；基板1底部设有可伐金属环5，可伐金属环采用0.2mm~0.25mm厚的可伐金属板经冲压加工而成，基板1顶部通过上盖6封装，组合后的基板1、可伐金属环5、上盖6的露出部位电镀有镀金层，镀金厚度为0.5～1.2μm；其中，基板的原料各组份质量份为：氧化铝粉(Al2O3)85份、硼硅玻璃10份、碳酸钙粉1-2份、二氧化硅1-3份、氧化锰共占1-2.5份、邻苯二甲酸二丁脂2-3.2份、三氯乙烯10-20份；本实施例采用嵌镶式的连接导体结合性好，结构稳定耐用，连接导体采用金属导体浆料制成，金属导体浆料可用作晶振基座的内部导线和外部引线。以上所述之实施例只为本专利技术之较佳实施例，并非以此限制本专利技术的实施范围，故凡依本专利技术之形状、原理所作的变化，均应涵盖在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
音叉晶振基座，其特征在于：它包括有陶瓷材料制成的基板（1），基板（1）一端一体延伸形成有第一晶振臂和第二晶振臂，第一晶振臂和第二晶振臂之间通过U形槽分隔，U形槽槽底一端端部的基板（1）上凸形成台阶座（2），第一晶振臂中部设有下凹的第一嵌槽，第二晶振臂中部设有下凹的第二嵌槽，第一嵌槽、第二嵌槽一端均延伸至台阶座（2）底部，第一嵌槽内嵌装有第一连接导体（3），第二嵌槽内嵌装有第二连接导体（4），第一台阶座（2）两端设有电极A和电极B，第一晶振臂外端端部设有电极D，第二晶振臂外端端部设有电极C，其中，电极B与电极D之间通过第一连接导体（3）连接，电极A、电极C之间通过第二连接导体（4）连接，基板（1）底部设有火花金属环（5），基板（1）顶部通过上盖（6）封装，组合后的基板（1）、火花金属环（5）、上盖（6）的露出部位电镀有镀金层，镀金厚度为0.5～1.2μm；其中，基板的原料各组份质量份为：氧化铝粉(Al2O3)85份、硼硅玻璃10份、碳酸钙粉1‑2份、二氧化硅1‑3份、氧化锰共占1‑2.5份、邻苯二甲酸二丁脂2‑3.2份、三氯乙烯10‑20份；连接导体由导体浆料制成，导体浆料由99份的钨浆和1份的陶瓷粉混合形成，其中，陶瓷粉由氧化铝粉92份；碳酸钙粉2份、二氧化硅2份、氧化镁2份、氧化锰2份；可伐金属环采用0.2 mm~0.25 mm厚的可伐金属板经冲压加工而成。...

【技术特征摘要】
1.音叉晶振基座，其特征在于：它包括有陶瓷材料制成的基板（1），基板（1）一端一体延伸形成有第一晶振臂和第二晶振臂，第一晶振臂和第二晶振臂之间通过U形槽分隔，U形槽槽底一端端部的基板（1）上凸形成台阶座（2），第一晶振臂中部设有下凹的第一嵌槽，第二晶振臂中部设有下凹的第二嵌槽，第一嵌槽、第二嵌槽一端均延伸至台阶座（2）底部，第一嵌槽内嵌装有第一连接导体（3），第二嵌槽内嵌装有第二连接导体（4），第一台阶座（2）两端设有电极A和电极B，第一晶振臂外端端部设有电极D，第二晶振臂外端端部设有电极C，其中，电极B与电极D之间通过第一连接导体（3）连接，电极A、电极C之间通过第二连接导体（4...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖旭辉，
申请(专利权)人：湖南省福晶电子有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43