【技术实现步骤摘要】
一种电子元件用的温度控制系统
[0001]本专利技术涉及电子元件
，尤其是指一种电子元件用的温度控制系统。
技术介绍
[0002]很多电子元件在储存及运输时，对温度的需求极高，必须保证储存箱内的温度，现有是直接加装电热棒进行保温，这种方式温度难以控制，而且能耗大，还有火灾隐患。影响电子元件的储存及运输。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种电子元件用的温度控制系统。
[0004]为实现上述目的，本专利技术所提供的技术方案为：一种电子元件用的温度控制系统，它包括有第一热敏电阻、单向可控硅、加热丝，其中，加热丝一端与单向可控硅一端连接，加热丝另一端分别与第一热敏电阻、第三二极管、第四二极管一端连接，第四二极管另一端分别与开关、第二二极管一端连接，开关另一端接电源，电源另一端分别与第三二极管另一端、第一二极管一端连接，第一二极管另一端依次与第二二极管另一端、电容一端连接后与单向可控硅连接。
[0005]所述的第一热敏电阻另一端与第二热敏电阻一端连接，第二热敏电阻另一端与可调电阻一端连接，可调电阻另一端分别与电容另一端、第六二极管一端连接，第六二极管另一端与第五二极管一端连接，第五二极管另一端与单向可控硅连接。
[0006]本专利技术的控温电路由整流电路和测控温电路组成， RT1和RT2为PTC热敏电阻器，用于检测不同区域的温度，并与RP、C、VD6构成单向可控硅VS的触发电路，RP兼有预设恒温值的作用，从而实现自动测温和控温的目的。>附图说明
[0007]图1为本专利技术的电路原理图。
具体实施方式
[0008]下面结合所有附图对本专利技术作进一步说明，本专利技术的较佳实施例为：参见附图1，本实施例所述的一种电子元件用的温度控制系统包括有第一热敏电阻RT1、单向可控硅VS、加热丝RL，其中，加热丝RL一端与单向可控硅VS一端连接，加热丝RL另一端分别与第一热敏电阻RT1、第三二极管VD3、第四二极管VD4一端连接，第四二极管VD4另一端分别与开关S、第二二极管VD2一端连接，开关S另一端接电源，电源另一端分别与第三二极管VD3另一端、第一二极管VD1一端连接，第一二极管VD1另一端依次与第二二极管VD2另一端、电容C一端连接后与单向可控硅VS连接。
[0009]第一热敏电阻RT1另一端与第二热敏电阻RT2一端连接，第二热敏电阻RT2另一端与可调电阻RP一端连接，可调电阻RP另一端分别与电容C另一端、第六二极管VD6一端连接，
第六二极管VD6另一端与第五二极管VD5一端连接，第五二极管VD5另一端与单向可控硅VS连接。
[0010]当接通电源时，市电直接经过桥式电路整流后，通过RT1、RT2、RP向C充电。当C的充电电压达到一定值时，通过VD5、VD6放电，使VS触发导通，加热丝RL得电发热进入升温状态。随着储存箱温度的升高，RT1、RT2的阻值增加，充电回路的时间常数将逐渐增大，VS的导通角将越来越小，RL的发热功率将随之下降。当储存箱温度进一步上升到预定值附近时，RT1、RT2的阻值将呈阶跃性的增加， 可达500KΩ以上，VS的导通角近似为零，电路负载电流小得使RL几乎不发热，于是储存箱进入恒温保暖状态。反之，当储存箱的温度下降到低于预设值约5℃时，VS将重新触发导通，RL又得电发热。如此反复运行，达到自动恒温的目的。VS按RL的功率大小选取， C选取绝缘性能好的聚碳酸酯薄膜电容器。
[0011]以上所述之实施例只为本专利技术之较佳实施例，并非以此限制本专利技术的实施范围，故凡依本专利技术之形状、原理所作的变化，均应涵盖在本专利技术的保护范围内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子元件用的温度控制系统，其特征在于：它包括有第一热敏电阻（RT1）、单向可控硅（VS）、加热丝（RL），其中，加热丝（RL）一端与单向可控硅（VS）一端连接，加热丝（RL）另一端分别与第一热敏电阻（RT1）、第三二极管（VD3）、第四二极管（VD4）一端连接，第四二极管（VD4）另一端分别与开关（S）、第二二极管（VD2）一端连接，开关（S）另一端接电源，电源另一端分别与第三二极管（VD3）另一端、第一二极管（VD1）一端连接，第一二极管（VD1）另一...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖旭辉，曹培福，
申请(专利权)人：湖南省福晶电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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