半导体器件及其制造方法技术

提供了半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括：衬底；栅极结构，位于衬底的第一表面上方；以及源极区域和漏极区域，在衬底中与栅极结构相邻。该半导体结构还包括：沟道区域，夹置在源极区域和漏极区域之间并且位于栅极结构下方。该半导体结构还包括：第一层，位于衬底的与第一表面相对的第二表面上方；以及第二层，位于第一层上方。该半导体结构还包括：感应膜，位于沟道区域上方以及第一层和第二层的至少一部分上方；以及阱，位于感应膜上方并切断第一层和第二层。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本专利技术总的来说涉及半导体结构，更具体地，涉及生物传感器的半导体结构。
技术介绍
生物传感器是用于感应和检测生物分子并基于电、机电、光和机械检测原理进行操作的器件。包括晶体管的生物传感器是电感应生物实体或生物分子的电荷、光子和机械特性的传感器。可以通过检测生物实体或生物分子本身或者通过指定的反应物和生物实体/生物分子之间的交互和反应来执行检测。这种生物传感器可以使用半导体工艺来制造，可以快速地转换电信号，并且可以容易地应用于集成电路(IC)和MEMS。BioFET(生物敏感场效应晶体管或者生物有机场效应晶体管)是生物传感器的类型，包括用于电感应生物分子或生物实体的晶体管。虽然BioFET在许多方面是具有优点，但例如由于半导体制造工艺、生物应用、半导体制造工艺的约束和/或限制、电信号和生物应用的集成之间的兼容性问题而产生它们的制造和/或操作的挑战；和/或由于实施大规模集成(LSI)工艺而产生的其他挑战。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体结构，包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底的第一表面上方；源极区域和漏极区域，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底的第一表面上方；源极区域和漏极区域，在所述衬底中与所述栅极结构相邻；沟道区域，夹置在所述源极区域和所述漏极区域之间并且位于所述栅极结构下方；第一层，位于所述衬底的与所述第一表面相对的第二表面上方；第二层，位于所述第一层上方；感应膜，位于所述沟道区域上方以及所述第一层和所述第二层的至少一部分上方；以及阱，位于所述感应膜上方并切断所述第一层和所述第二层。

【技术特征摘要】
2015.10.08 US 14/878,9991.一种半导体结构，包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底的第一表面上方；源极区域和漏极区域，在所述衬底中与所述栅极结构相邻；沟道区域，夹置在所述源极区域和所述漏极区域之间并且位于所述栅极结构下方；第一层，位于所述衬底的与所述第一表面相对的第二表面上方；第二层，位于所述第一层上方；感应膜，位于所述沟道区域上方以及所述第一层和所述第二层的至少一部分上方；以及阱，位于所述感应膜上方并切断所述第一层和所述第二层。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一层是氮化物层和氧化物层中的一种。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二层是氮化物层和氧化物层中的一种。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一层和所述第二层具有不同的材料。5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括位于所述第二层上方的第三层。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述第三层是氮化物层和氧化物层中的一种。7.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述第三层的材料与...

【专利技术属性】
技术研发人员：林诗玮，吴常明，曾李全，刘世昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71