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提供了半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括：衬底；栅极结构，位于衬底的第一表面上方；以及源极区域和漏极区域，在衬底中与栅极结构相邻。该半导体结构还包括：沟道区域，夹置在源极区域和漏极区域之间并且位于栅极结构下方。该半导体结构还包括：第一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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