在修复周期期间保护特征的方法技术

本发明专利技术涉及在修复周期期间保护特征的方法。具体而言，一种方法可包括将掩模应用至CMC结构，以及使具有应用的掩模的结构经历修复过程。在一个实施例中，将掩模应用至CMC结构可包括将掩模应用至CMC结构的特征。

【技术实现步骤摘要】
在修复周期期间保护特征的方法
本公开内容大体上涉及陶瓷基质复合物(CMC)结构，并且具体地涉及用于在修复周期期间保护CMC结构的特征的方法。
技术介绍
用于制造CMC结构的各种方法是已知的。CMC结构可通过熔体渗透(MI)制造。使用MI，预形件可置于室中，且布置成与液态硅源接触。液态硅可与预形件材料反应。CMC结构还可使用化学气相渗透(CVI)来制造。对于CVI的执行，预形件可置于蒸气室中来引起室的蒸气与预形件的材料之间的反应。CMC结构还可使用聚合物浸渍和热解(PIP)来制造。对于PIP的执行，聚合碳化硅前体可用于渗透纤维状预形件。CMC结构还可使用过程的组合来制造。CMC结构在操作期间受到破坏。例如，CMC结构可与刚性物体接触且可变为刺穿或另外受损的。
技术实现思路
一种方法包括将掩模应用至CMC结构，以及使具有应用的掩模的CMC结构经历用于修复CMC结构的过程。在一个实施例中，将掩模应用至CMC结构可包括将掩模应用至CMC结构的特征。技术方案1.一种方法，包括：将掩模应用至陶瓷基质复合物(CMC)结构；以及使具有所述掩模的所述结构经历修复过程。技术方案2.根据技术方案1所述的方法，其中，所述修复过程包括熔体渗透(MI)。技术方案3.根据技术方案2所述的方法，其中，所述掩模包括在所述修复过程中对液体润湿有抗性的材料。技术方案4.根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模包括选自由包括氮化物的材料和包括氧化物的材料组成的组的抗润湿材料。技术方案5.根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模包括选自由包括氮化硼的材料和包括二氧化硅的材料组成的组的抗润湿材料。技术方案6.根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模包括在所述修复过程的处理条件下热稳定的材料。技术方案7.根据技术方案1所述的方法，其中，所述修复过程包括熔体渗透，其中所述应用包括将所述掩模应用至所述结构的功能特征，且其中所述掩模适于在熔体渗透期间阻止液态材料流至所述功能特征。技术方案8.根据技术方案7所述的方法，其中，所述掩模包括BN，且其中所述液态材料包括液态硅。技术方案9.根据技术方案7所述的方法，其中，所述掩模包括氧化物材料，且其中所述液态材料包括液态硅。技术方案10.根据技术方案1所述的方法，其中，所述修复过程包括化学气相渗透(CVI)。技术方案11.根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模包括抗气化材料。技术方案12.根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模包括抗润湿材料，所述抗润湿材料包括氮化物。技术方案13.根据技术方案1所述的方法，其中，所述修复过程包括化学汽相渗透，其中所述应用包括将所述掩模应用至所述结构的功能特征，且其中所述掩模适于在化学气相渗透期间阻止蒸气流至所述功能特征。技术方案14.根据技术方案13所述的方法，其中，所述掩模包括金属材料，且其中所述方法包括在所述经历之后使用化学蚀刻过程除去所述掩模。技术方案15.根据技术方案13所述的方法，其中，所述掩模包括氧化物材料，且其中所述方法包括在所述经历之后使用化学蚀刻过程除去所述掩模。技术方案16.根据技术方案13所述的方法，其中，所述掩模包括氧化物材料，且其中所述方法包括在所述经历之后使用对于所述CMC结果是惰性的湿蚀刻剂除去所述掩模。技术方案17.根据技术方案13所述的方法，其中，所述掩模包括氧化物材料，且其中所述方法包括使用湿蚀刻剂除去所述掩模，所述湿蚀刻剂选自由酸性湿蚀刻剂和碱性湿蚀刻剂组成的组。技术方案18.根据技术方案13所述的方法，其中，所述掩模包括氧化物材料，且其中所述方法包括使用对于所述CMC结构是惰性的湿蚀刻剂除去所述掩模，其中所述氧化物材料选自由氧化硅、氧化钇、氧化锆组成的组，其中所述湿蚀刻剂选自由NaOH、HF和硝酸组成的组。技术方案19.根据技术方案13所述的方法，其中，所述方法包括使用干蚀刻剂除去所述掩模。技术方案20.根据技术方案13所述的方法，其中，所述掩模包括碳材料，且其中所述方法包括使用干蚀刻过程除去所述掩模。技术方案21.根据技术方案13所述的方法，其中，所述掩模包括碳材料，且其中所述方法包括使用氧化过程除去所述掩模。技术方案22.根据技术方案1所述的方法，其中，所述方法包括使用减除处理来从所述结构除去堆积物。技术方案23.根据技术方案1所述的方法，其中，所述应用包括将所述掩模应用至所述结构的功能特征。技术方案24.根据技术方案1所述的方法，其中，所述应用包括将所述掩模应用至所述结构的功能特征，所述功能特征选自由冷却孔、附接(安装)孔、密封表面和槽口组成的组。技术方案25.根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模适于为易碎的，且其中所述方法包括使用机械工艺除去所述掩模。技术方案26.根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模适于化学地蚀刻，且其中所述方法包括使用化学蚀刻剂除去所述掩模。技术方案27.根据技术方案1所述的方法，其中，所述应用掩模包括应用所述掩模使得所述掩模的区域包括在由所述结构的特征限定的内部内。技术方案28.根据技术方案1所述的方法，其中，所述结构包括具有内部的特征，且其中所述应用掩模包括向所述内部填充形成所述掩模的材料。技术方案29.根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模适于为化学惰性的，使得所述掩模对与所述结构化学粘结有抗性。技术方案30.根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模包括氮化硼。技术方案31.根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模包括具有聚乙烯亚胺(PEI)分散剂的氮化硼浆料。技术方案32.根据技术方案1所述的方法，其中，所述掩模适于氧化去除，且其中所述方法包括所述掩模的氧化去除。技术方案33.根据技术方案1所述的方法，其中，所述修复过程包括聚合物浸渍和热解(PIP)。技术方案34.根据技术方案1所述的方法，其中，所述修复过程包括应用热，且其中所述方法包括应用所述掩模至所述CMC结构的功能特征。技术方案35.根据技术方案1所述的方法，其中，所述修复过程包括以下选自由熔体渗透(MI)、化学气相渗透(CVI)以及聚合物浸渍和热解(PIP)组成的组中的两种或更多种的组合。附图说明图1为示出可关于CMC结构执行的方法的流程图；图2为示出可经历修复的CMC结构的图；图3为示出可经历修复的CMC结构的图；图4为可经历修复的CMC结构的简图；图5a为具有特征的CMC结构的照片；图5b为具有特征的CMC结构在未应用掩模的修复过程执行之后的照片；图6a为具有功能特征和应用至该特征的掩模的CMC结构的照片；图6b为具有功能特征的CMC结构在应用掩模的修复过程执行之后的照片；图7a为没有应用至功能特征的掩模的CMC结构在修复过程执行之后的照片；图7b为具有应用的掩模的CMC结构在修复过程执行之后且之前应用至功能特征的掩模除去之后的照片。图7c为CMC结构在修复过程执行之后且之前应用至功能特征的掩模除去之后的照片。具体实施方式参看图1，方法可包括在框110处将掩模应用至CMC结构。在框120处，方法可包括使具有应用的掩模的CMC结构经历用于修复CMC结构的过程。在一个实施例中，用于修复CMC结构的过程可包括应用热。图2中示出了修复中的示例性CMC结构10。CMC结构10在一个实施例中可为由使用CMC制造过程形成的陶瓷基质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：将掩模应用至陶瓷基质复合物(CMC)结构；以及使具有所述掩模的所述结构经历修复过程。

【技术特征摘要】
2015.11.19 US 14/9458241.一种方法，包括：将掩模应用至陶瓷基质复合物(CMC)结构；以及使具有所述掩模的所述结构经历修复过程。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述修复过程包括熔体渗透(MI)。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述掩模包括在所述修复过程中对液体润湿有抗性的材料。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩模包括选自由包括氮化物的材料和包括氧化物的材料组成的组的抗润湿材料。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩模包括选自由包括氮化硼的材料和包括二氧化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：JH韦弗，GS科曼，A克贝德，DG邓，JG马南特，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：美国,US