清洁静电吸盘的方法技术

一种清洁静电吸盘的方法。在静电吸盘并未固持任何工件于其工作表面时，传输离子束至静电吸盘的工作表面，借以通过离子束与工作表面上沉积物的相互作用，像是物理性轰击及/或化学性结合，将沉积物自静电吸盘工作表面移除。借此，在静电吸盘并未固持工件时出现在静电吸盘工作表面的沉积物，不论是自工件脱落的光阻剂或是漂浮于制造过程反应室的颗粒等等，对于静电吸盘与工件之间实际固持力量的影响得以改善。离子束的电流量、能量与离子种类皆可以视沉积物的结构、厚度与材料等而定，像是使用低能量离子束以减少损伤静电吸盘工作表面的可能性，像是使用氧离子或是惰性气体离子等来一面移除沉积物又一面减少对静电吸盘工作表面的电介质层导电性的影响。

Method for cleaning electrostatic chuck

Method for cleaning electrostatic sucker. The electrostatic chuck not holding any workpiece on the work surface, the working surface of the ion beam transmission to the electrostatic chuck, interaction and to work on the surface sediments by ion beam bombardment, as is a combination of physical and / or chemical, the sediments from the working surface to remove the electrostatic chuck. Thus, the electrostatic chuck did not appear in the workpiece holding sediment electrostatic chuck surface, whether from photoresist or workpiece off floating in the manufacturing process of the reaction chamber particles and so on, to improve the effect between the electrostatic chuck and workpiece holding actual strength. The amount of current, ion beam energy and ion species can be regarded the sediment structure, thickness and materials, such as using low energy ion beam in order to reduce the possibility of damage to the working surface of the electrostatic chuck, as is the use of oxygen ions or inert gas ions to remove a deposit and a decrease of the electrostatic chuck the working surface of the dielectric layer of conductive effect.

【技术实现步骤摘要】
清洁静电吸盘的方法
本专利技术是有关于清洁静电吸盘的方法，特别是有关于将离子束传输至静电吸盘用以固持工件的工作表面来将沉积物自工作表面去除的方法。
技术介绍
离子布植是将搀杂物(dopants)传输至材料中借以改变材料的性质，像是借由搀入三价元素离子及/或五价元素离子来提高非导体材料的导电率。近年来，离子布植普遍被应用在诸如集成电路、内存、发光二极管、太阳能电池与平面显示器等等的制造过程。当以离子束对工件(workpiece)进行离子布植时，若离子束的横截面面积小于工件表面面积(或说工作表面待处理区域的面积)，离子束与工件必须在与离子束行进方向相交(不限于相互垂直)的平面进行相对运动，借以确保整个工件(或说至少整个工件表面整个待处理区域)可以被离子束适当地布植。随着工件尺寸的增加，像是晶圆直径由8吋进展到12吋，由于大横截面面积的离子束不易提供也不容易保持均匀的横截面离子束电流，离子束与工件的相对运动更为重要。一般来说，静电吸盘(electrostaticchuck，ESC)普遍被应用来固持工件，借由至少移动静电吸盘与移动离子束的某一者，可以让工件与离子束相对运动。基本上，静电吸盘的一侧为用以固持工件的工作表面(worksurface)，而静电吸盘的另一侧为连接到基座(pedestal)及/或制造过程反应室腔壁的背面。在工作表面有数个电极镶嵌在电介质层中，当这些电极被施加电压时便会在电介质层表面产生电场，进而在电介质层表面与工件表面产生极性相反的多数电荷，从而将工件固持在静电吸盘工作表面。因此，静电吸盘的工作表面上有没有会影响工作表面与工件之间相互作用的污染，是一个关键因素。虽然在某个工件正在被离子束所布值的过程，工作表面会被工件所覆盖而不会有任何污染形成在工作表面上(除非是工件本身已经被污染了)。但是，在将某个工件自静电吸盘移开之后到让静电吸盘固持另一个工件之前的空档，甚至在将待处理工件移入制造过程反应室及/或将已处理工件移出制造过程反应室的过程中，静电吸盘的工作表面是裸露的。此时，静电吸盘往往会被污染而出现沉积物于工作表面上。而沉积物的存在，往往会影响到工作表面与工件之间的固持力量，也往往会使得工作表面的电荷无法正常地释放。常见的污染来源至少包括但不限于下列几项:工件上因为制造过程需要所残留的光阻剂、离子束与工件上光阻剂相互作用所产生漂浮于制造过程反应室内的颗粒、离子束传输过程中部份离子相互碰撞所产生漂浮于制造过程反应室内的颗粒、以及离子布植程序中沉积于制造过程反应室腔壁的沉积物。现有习知技术的清洁静电吸盘的方法，可以摘要如图1与下列描述。首先，如步骤101所示，提供静电吸盘，静电吸盘的工作表面上并没有固持任何工件。其次，如步骤103所示，将静电吸盘自制造过程反应室拆除并移出制造过程反应室。然后，如步骤105所示，清洁静电吸盘，至少清洁静电吸盘的工作表面。在此，大多是使用化学药剂来清洁工作表面，并可以一并清洁静电吸盘的背面。接着，如步骤107所示，将静电吸盘移入制造过程反应室并安装。再来，如步骤109所示，校正静电吸盘是否正确地安装。最后，如步骤111所示，确认静电吸盘的清洁结果。常见的确认清洁结果作法是提供工件让静电吸盘固持于其工作表面，并测量工件与静电吸盘之间的固定力量是否正常。当然，也可以使用其它的方法来确认是否已适当地清洁，像是一并移动静电吸盘与工件二者以测量工件是否被适当地固持，像是比对清洁前后静电吸盘工作表面的颜色变化，像是比对清洁后静电吸盘工作表面与新的静电吸盘的工作表面颜色的差异。显然地，现有习知清洁静电吸盘的方法有几个无法回避的缺点。首先，静电吸盘的拆除与安装都需要时间，并且需要校正是否正确地安装。其次，拆除、移动与安装静电吸盘的过程都可能损伤到静电吸盘。再者，将静电吸盘移出制造过程反应室的过程需要破真空而可能引起额外的污染，而将静电吸盘移入制造过程反应室的过程需要再次抽真空而耗费时间。最后，安装静电吸盘于离子布植机的制造过程反应室后，还需要就整个离子布植机再进行验机，往往需要使用数片工件进行离子布植以进行测试，既消耗时间又增加成本。因此，需要发展新的方法，借以较现有习知清洁静电吸盘方法更有效率与更低成本地清洁静电吸盘。
技术实现思路
本专利技术是有关于一种清洁静电吸盘的方法。在静电吸盘未固持任何工件时，传输离子束至静电吸盘工作表面借以清洁工作表面。当工作表面上有沉积物时，离子束与沉积物之间的相互作便可以将沉积物自静电吸盘工作表面移除，不论相互作用是物理性轰击或是化学性结合或是二者兼俱。进一步地，离子束的电流量、能量与离子种类皆可以视沉积物的结构、厚度与材料等而定。沉积物的结构、厚度与材料等等讯息的来源，可以是在传输离子束之前事先测量静电吸盘工作表面的沉积物，或者是通过离子布植机运作经验所得到的沉积物讯息。进一步地，可以使用低能量离子束来避免对静电吸盘工作表面造成损伤。此外，可以使用不是三价的离子也不是五价的离子来形成离子束，借以一方面移除沉积物又一方面减少对静电吸盘工作表面的电介质层导电性的影响。显然地，由于本专利技术不用打开制造过程反应室将静电吸盘移出进行清洁然后再将静电吸盘安装至制造过程反应室内部，不只可以节省停机拆除以及装回校正的时间，也不用再重新验机确认整个离子布植机的状况，也可以从头到尾保持制造过程反应室在高真空度而不用先破真空再抽真空。因此，较现有习知的清洁静电吸盘的方法，本专利技术明显地可以简化维护程序、降低清洁成本以及节省校正与验机的时间。除此之外，本专利技术并不限定离子束是如何产生以及如何被传输至位于制造过程反应室的静电吸盘。举例来说，离子束可以是产生于离子源反应室(ionsourcechamber)，并陆续经由质量分析仪(massanalyzer)、加减速电极(acceleration/decelerationelectrodes)、磁铁(magnets)等等调整后被传输至静电吸盘。举例来说，离子束可以是产生于等离子体反应室(plasmachamber)，并通过电极等被从等离子体反应室引出并传输往静电吸盘。附图说明图1绘示了现有习知清洁静电吸盘方法的流程图。图2A至图2D为本专利技术所提出的清洁静电吸盘方法的几个较佳实施例的流程图。【主要元件符号说明】步骤：101、103、105、107、109、111步骤：200、202、204、206、208、209具体实施方式本专利技术的详细描述将借由以下的实施例讨论，这些实施例并非用于限制本专利技术的范围，而且可适用于其他应用中。图示揭露了一些细节，必须理解的是揭露的细节可不同于已透露者，除非是明确限制特征的情形。本专利技术的出发点是在不需要将静电吸盘移出与移入制造过程反应室的状况下便清洁静电吸盘，借以回避掉现有习知清洁静电吸盘方法所无法回避的几个缺点。特别是，由于只有出现在静电吸盘用以固持工件的工作表面的污染(像是沉积物)才会影响到静电吸盘与工件二者之间的固持力量，可以只清洁工作表面。本专利技术的基本概念是使用离子束来清洁静电吸盘的工作表面。一般的离子布植是将离子束传输至被静电吸盘所固持的工件，借以对工件进行离子布植。相对地，本专利技术是在静电吸盘并未固持工件的时候，将离子束传输至静电吸盘用以固持工件的工作表面。因此，本专利技术可以直接使用任何已知的(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洁静电吸盘的方法，其特征在于包含：提供静电吸盘；以及传输离子束至该静电吸盘的工作表面，借以使用该离子束清洁该工作表面；在此，该工作表面并没有固持任何工件。

【技术特征摘要】
2015.10.28 TW 1041353451.一种清洁静电吸盘的方法，其特征在于包含：提供静电吸盘；以及传输离子束至该静电吸盘的工作表面，借以使用该离子束清洁该工作表面；在此，该工作表面并没有固持任何工件。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该静电吸盘与该离子束皆是位于制造过程反应室内真空环境中。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该离子束与位于该工作表面上的沉积物的相互作用至少包含下列之一:该离子束物理性轰击该沉积物，使得该沉积物脱离该工作表面；以及该离子束与该沉积物发生化学性结合，使得该沉积物转变为其它材料并脱离该工作表面。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该离子束为氧离子离子束。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该离子束的离子是选自下列之一:氧离子、氢离子、氮离子、氟离子与惰性气体离子。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：当该静电吸盘的该工作表面的表层为电介质层所覆盖时，该离子束的离子并不是三价元素的离子也并不是五价元素的离子。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：是以低能量的该离子束来一方面移除该沉积物并一方面减少对该工作表面的伤害。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：更包含停止传输该离子束至该静电吸盘的该工作表面，并确认该工作表面的清洁结果。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：确认该工作表面清洁结果的方法至少包含下列之一:以该工作表面固持工件，并测量该静电吸盘与该工件之间的固持力量；以该工作表面固持工件，并一并移动该静电吸盘与该工件二者以测量该工件是否被适当地固持；以及分析该工作表面在以该离子束清洁前后的颜色的变化。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：更包含在该静电吸盘清洁结果不符合预定标准时，再次传输该离子束至该静电吸盘的该工作表面，借以再度使用该离子束清洁...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪玉河，康畯钦，杨捷仁，
申请(专利权)人：汉辰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71