【技术实现步骤摘要】
具有高抗短路能力的IGBT器件
本技术涉及一种IGBT器件，本技术尤其是涉及一种具有高抗短路能力的IGBT器件，本技术属于半导体功率器件领域。
技术介绍
现有技术的结构，为了追求更低的饱和压降，可以将原胞密度增大（沟槽密度增大，沟槽间距降低），这样会带来饱和电流较大的负面影响，进而降低器件的抗短路能力。如图2所示，现有的器件结构中栅极2的宽度一致，这样会导致在原胞密度较高的情况下，器件的短路电流较高。当器件发生短路时，较高短路电流会引起较高的发热量，更容易导致器件失效，抗短路能力较差。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种可以在极小改变器件饱和压降的前提下有效降低短路电流，提高器件抗短路能力的具有高抗短路能力的IGBT器件。按照本技术提供的技术方案，所述包括P阱、第一栅极、发射极、第一绝缘氧化层、P+区域、金属层、FS层、集电极、第二栅极、基区与第二绝缘氧化层；在集电极上设有FS层，在FS层上设有基区，在基区上设有P阱，在P阱上设有金属层，在金属层内设有左右两个第一绝缘氧化层，在左右两个第一绝缘氧化层之间的金属层内设有第二绝缘氧化层，在第一绝...
【技术保护点】
一种具有高抗短路能力的IGBT器件，包括P阱（1）、第一栅极（2）、发射极（3）、第一绝缘氧化层（4）、P+区域（5）、金属层（6）、FS层（7）、集电极（8）、第二栅极（9）、基区（10）与第二绝缘氧化层（11），其特征是：在集电极（8）上设有FS层（7），在FS层（7）上设有基区（10），在基区（10）上设有P阱（1），在P阱（1）上设有金属层（6），在金属层（6）内设有左右两个第一绝缘氧化层（4），在左右两个第一绝缘氧化层（4）之间的金属层（6）内设有第二绝缘氧化层（11），在第一绝缘氧化层（4）的下端部连接有第一栅极（2），在第二绝缘氧化层（11）的下端部连接有第二...
【技术特征摘要】
1.一种具有高抗短路能力的IGBT器件，包括P阱（1）、第一栅极（2）、发射极（3）、第一绝缘氧化层（4）、P+区域（5）、金属层（6）、FS层（7）、集电极（8）、第二栅极（9）、基区（10）与第二绝缘氧化层（11），其特征是：在集电极（8）上设有FS层（7），在FS层（7）上设有基区（10），在基区（10）上设有P阱（1），在P阱（1）上设有金属层（6），在金属层（6）内设有左右两个第一绝缘氧化层（4），在左右两个第一绝缘氧化层（4）之间的金属层（6）内设有第二绝缘氧化层（11），在第一绝缘氧化层（4）的下端部连接有第一栅极（2），在第二绝缘氧化...
【专利技术属性】
技术研发人员：程炜涛，姚阳，王海军，叶甜春，
申请(专利权)人：江苏中科君芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。