半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，其具备：绝缘基板，其载置半导体芯片；和壳体部，其粘接于绝缘基板，壳体部具有凹部，所述凹部设置有粘接剂，且供绝缘基板的正面侧插入，绝缘基板在沿着厚度方向的侧面具有形成于正面侧的正侧切口部和形成于背面侧的背侧切口部，正侧切口部与背侧切口部之间的顶点与绝缘基板的正面的在厚度方向上的长度为壳体部的凹部的在厚度方向上的长度的30％以上且70％以下。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
以往，已知有将载置有半导体芯片等的绝缘基板组装于由树脂等形成的壳体部而成的半导体装置（例如，参照专利文献1～3）。绝缘基板嵌入并粘接到设置于壳体部的背面的孔部。专利文献1：日本特开2013-258321号公报专利文献2：日本特开2004-6905号公报专利文献3：日本特开2000-133769号公报
技术实现思路
技术问题在半导体装置中，优选绝缘基板与壳体部的粘接可靠性高。技术方案在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置，具备：绝缘基板，其载置半导体芯片；和壳体部，其粘接于绝缘基板。壳体部可以具有凹部，所述凹部设置有粘接剂，且供绝缘基板的正面侧插入。绝缘基板在沿着厚度方向的侧面中，可以具有形成于正面侧的正侧切口部和形成于背面侧的背侧切口部。正侧切口部与背侧切口部之间的顶点与绝缘基板的正面的在厚度方向的长度可以为壳体部的凹部的在厚度方向的长度的30%以上且70%以下。在厚度方向上，正侧切口部可以比背侧切口部短。正侧切口部相对于厚度方向的角度可以与背侧切口部相对于厚度方向的角度相同。正侧切口部相对于厚度方向的角度可以比背侧切口部相对于厚度方向的角度小。正侧切口部相对于厚度方向的角度可以为15度以上且30度以下。背侧切口部相对于厚度方向的角度可以为20度以上且50度以下。正侧切口部的在正面的端部与背侧切口部的在背面的端部相比，可以设置在绝缘基板中更靠近外侧的位置。正侧切口部的在正面的宽度可以为背侧切口部的在背面的宽度的一半以下。半导体装置可以进一步具备设置于绝缘基板的正面的导电图案。正侧切口部的在正面的宽度可以比正侧切口部的在正面的端部与导电图案的距离小。正侧切口部的在正面的宽度可以为正侧切口部的在正面的端部与导电图案的距离的1/10以下。在凹部中，与绝缘基板的侧面对置的侧壁相对于厚度方向，可以与正侧切口部朝着相同的一侧倾斜。凹部的侧壁可以与正侧切口部大致平行。应予说明，上述的
技术实现思路
未列举本专利技术的所有特征。另外，这些特征群的再组合也可作为本专利技术。附图说明图1是表示本专利技术的一个实施方式的半导体装置100的概要的立体图。图2是表示图1中示出的A-A截面的一个例子的图。图3是将第一实施例的半导体装置100的截面中的绝缘基板30的侧面附近放大而得的图。图4是将绝缘基板30的侧面附近放大而得的图。图5是将第二实施例的半导体装置100的截面中的绝缘基板30的侧面附近放大而得的图。图6是表示绝缘基板30的加工方法的一个例子的图。图7是表示绝缘基板30的正面的另一例的图。图8是表示第一比较例的图。图9是表示第二比较例的图。符号说明10：壳体部11：内部空间12：盖部13：对置面14：主端子16：副端子18：封装材料20：凹部22：半导体芯片24：粘接剂26：侧壁30：绝缘基板31：端部32：金属板33：端部34：绝缘层36：导电图案38：顶点40：背侧切口部42：正侧切口部44：中间部50：正面52：背面54：贯通部56：残留部100：半导体装置110：壳体部120：凹部124：粘接剂130：绝缘基板132：金属板134：绝缘层136：导电图案138：顶点140：背侧切口部142：正侧切口部具体实施方式以下，通过专利技术的实施方式说明本专利技术，但以下的实施方式不限定与权利要求相关的专利技术。另外，实施方式中说明的特征的所有组合并不限定为解决本专利技术的技术问题所必需的。图1是表示本专利技术的一个实施方式的半导体装置100的概要的立体图。半导体装置100具备壳体部10和盖部12。壳体部10在内部收容半导体芯片等电子部件。壳体部10可以具有由树脂等形成的框结构。在壳体部10所包围的空间内填充有凝胶等封装材料。盖部12被设置为覆盖壳体部10所包围的空间的上部。盖部12可以用粘接剂固定于壳体部10。在壳体部10的上表面设有与壳体部10所收容的电子部件连接的多个主端子14和多个副端子16。电子部件包括IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor：绝缘栅双极型晶体管）等功率设备。主端子14例如像IGBT的发射极端子或集电极端子那样，与有大电流流通的端子连接。另外，副端子16例如像IGBT的栅极端子那样，与不流通大电流的控制端子连接。图2是表示图1中示出的A-A截面的一个例子的图。在图2中，示意地示出各部件，图2中的各部件的比例尺与图1中示出的各部件的比例尺不一致。另外，在图2中，示出半导体装置100的背面附近的截面，省略盖部12、主端子14和副端子16。半导体装置100还具备粘接于壳体部10的绝缘基板30。绝缘基板30的正面侧插入到设置于壳体部10的背面的凹部20的内部。应予说明，在本说明书中，将盖部12侧的半导体装置100的面称为正面，将绝缘基板30侧的面称为背面。另外，在绝缘基板30等各部件中，也将盖部12侧的面称为正面，将相反侧的面称为背面。凹部20与壳体部10的内部空间11连续形成。使插入到凹部20中的绝缘基板30的正面的至少一部分从内部空间11露出。在露出于内部空间11的绝缘基板30的正面载置有半导体芯片22等电子部件。壳体部10的内部空间11用凝胶等封装材料18密封。绝缘基板30具有金属板32和以覆盖金属板32的正面的方式设置的绝缘层34。金属板32由铝或铜等金属形成。金属板32对由收容于壳体部10的内部的半导体芯片22等产生的热进行散热。绝缘层34由加入了导电性填料的有机绝缘材料和/或氧化铝等陶瓷形成，对金属板32的正面进行绝缘。在绝缘层34的正面形成有导电图案36。导电图案36由铜等金属形成，具有规定的布线图案。在导电图案36的正面载置有半导体芯片22等电子部件。导电图案36和电子部件可以具有与图1中示出的主端子14和副端子16连接的端子。插入于凹部20的绝缘基板30通过粘接剂24粘接于壳体部10。将本例的粘接剂24在插入绝缘基板30之前预先设置到凹部20，在绝缘基板30插入到凹部20之后，通过加热等进行固化。绝缘基板30具有沿着厚度方向的侧面。该侧面是指绝缘基板30中的正面与背面之间的面。在绝缘基板30的侧面设有形成于绝缘基板30的正面侧的正侧切口部42和形成于绝缘基板30的背面侧的背侧切口部40。正侧切口部42在绝缘基板30的侧面中具有从正面切割了规定的范围而成的形状。绝缘基板30在正侧切口部42的侧面相对于绝缘基板30的厚度方向倾斜地形成。该斜面以越接近绝缘基板30的正面，越切入到绝缘基板30的内侧的方式设置。本例的正侧切口部42以遍及整个绝缘层34和金属板32的正面侧的一部分的区域的方式形成。背侧切口部40在绝缘基板30的侧面中具有从背面切割了规定的范围而成的形状。绝缘基板30在背侧切口部40的侧面相对于绝缘基板30的厚度方向倾斜地形成。该斜面以越接近绝缘基板30的背面，越切入到绝缘基板30的内侧的方式设置。在绝缘基板30的侧面，在正侧切口部42与背侧切口部40之间形成有顶点38。顶点38例如是指在侧面中外侧最突出的点。另外，顶点38还可以称为正侧切口部42和背侧切口部40交叉的点。正侧切口部42的在绝缘基板30的正面的端部设置在比顶点38更靠近绝缘基板30的内侧的位置。同样地，背侧切口部40的在绝缘基板30的背面的端部设置在比顶点38更靠近绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘基板，其载置半导体芯片；和壳体部，其粘接于所述绝缘基板，所述壳体部具有凹部，所述凹部设置有粘接剂，且供所述绝缘基板的正面侧插入，所述绝缘基板在沿着厚度方向的侧面具有形成于所述正面侧的正侧切口部和形成于背面侧的背侧切口部，所述正侧切口部与所述背侧切口部之间的顶点与所述绝缘基板的正面的在所述厚度方向上的长度为所述壳体部的所述凹部的在所述厚度方向上的长度的30％以上且70％以下。

【技术特征摘要】
2015.12.25 JP 2015-2548841.一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘基板，其载置半导体芯片；和壳体部，其粘接于所述绝缘基板，所述壳体部具有凹部，所述凹部设置有粘接剂，且供所述绝缘基板的正面侧插入，所述绝缘基板在沿着厚度方向的侧面具有形成于所述正面侧的正侧切口部和形成于背面侧的背侧切口部，所述正侧切口部与所述背侧切口部之间的顶点与所述绝缘基板的正面的在所述厚度方向上的长度为所述壳体部的所述凹部的在所述厚度方向上的长度的30％以上且70％以下。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述厚度方向上，所述正侧切口部比所述背侧切口部短。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述正侧切口部相对于所述厚度方向的角度与所述背侧切口部相对于所述厚度方向的角度相同。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述正侧切口部相对于所述厚度方向的角度比所述背侧切口部相对于所述厚度方向的角度小。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述正侧切口部相对于所述厚度方向的角度为15度以上且30度以下。6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅田俊男，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP