缓冲电路、半导体集成电路装置、振荡器、电子设备及基站制造方法及图纸

本发明专利技术提供缓冲电路、半导体集成电路装置、振荡器、电子设备及基站。缓冲电路包含：第1MOSFET，其包含第1源极、第1栅极和第1漏极；以及第2MOSFET，其包含第2源极、第2栅极和第2漏极，该第2MOSFET与第1MOSFET极性相同，第1栅极与第2栅极被电连接。

【技术实现步骤摘要】
缓冲电路、半导体集成电路装置、振荡器、电子设备及基站
本专利技术涉及缓冲电路涉及半导体集成电路装置、振荡器、电子设备及基站。
技术介绍
公知有一种振荡电路，其具有：恒定电压生成电路；振荡输出生成电路；输出电路，该输出电路并列地具有多个MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor：金属-氧化物半导体场效应晶体管)电路，由恒定电压生成电路生成的恒定电压作为电源电压而被供给到该多个MOSFET电路中，该多个MOSFET电路各自的输出点互相连接；和驱动电路，该驱动电路基于振荡输出来驱动根据选择输入而从多个MOSFET电路中选择出的MOSFET电路，通过使根据选择输入而未被选择的MOSFET电路的输出成为高阻抗，能够变更负载的驱动能力(例如，参照日本特开2012-257183号公报)。在上述日本特开2012-257183号公报中记载的振荡电路中，在变更驱动能力时，通过切换流过电流的MOSFET电路的数量，电流路径的宽度也发生变化。这里，EM(电迁移)耐受量与电流路径的宽度成比例。因此，存在如下课题：在通过切换而使电流路径的宽度变小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种缓冲电路，其中，该缓冲电路包含：第1MOSFET，其包含第1源极、第1栅极和第1漏极；以及第2MOSFET，其包含第2源极、第2栅极和第2漏极，该第2MOSFET与所述第1MOSFET极性相同，所述第1栅极与所述第2栅极被电连接。

【技术特征摘要】
2015.10.30 JP 2015-2144611.一种缓冲电路，其中，该缓冲电路包含：第1MOSFET，其包含第1源极、第1栅极和第1漏极；以及第2MOSFET，其包含第2源极、第2栅极和第2漏极，该第2MOSFET与所述第1MOSFET极性相同，所述第1栅极与所述第2栅极被电连接。2.根据权利要求1所述的缓冲电路，其中，所述第1漏极与所述第2漏极利用共用的布线被电连接。3.根据权利要求1所述的缓冲电路，其中，该缓冲电路还包含第3MOSFET，该第3MOSFET包含第3源极、第3栅极和所述第1漏极。4.根据权利要求3所述的缓冲电路，其中，该缓冲电路还包含与所述第3栅极连接的第1开关。5.根据权利要求4所述的缓冲电路，其中，所述第1开关与所述第1栅极连接。6.根据权利要求3所述的缓冲电路，其中，该缓冲电路还包含第4MOSFET，该第4MOSFET包含第4源极、第4栅极和所述第2漏极，所述第3MOSFET与所述第4MOSFET极性相同。7.根据权利要求6所述的缓冲电路，其中，所述第1MOSFET与所述第3MOSFET极性相同。8.根据权利要求6所述的缓冲电路，其中，所述第2栅极与所述第4栅极电连接。9.根据权利要求6所述的缓冲电路，其中，该缓冲电路还包含与所述第2栅极连接的第2开关。10.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：林谦司，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP