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本发明提供缓冲电路、半导体集成电路装置、振荡器、电子设备及基站。缓冲电路包含：第1MOSFET，其包含第1源极、第1栅极和第1漏极；以及第2MOSFET，其包含第2源极、第2栅极和第2漏极，该第2MOSFET与第1MOSFET极性相同，第1...
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