The invention relates to a radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition method and device. The method comprises the following steps: vacuum coating chamber to pass into the room, the reaction gas generated by plasma radiofrequency, open source is connected with the RF antenna to reaction gas plasma, the coating chamber on the side of the relative plasma chamber is arranged for terminal constraints such as plasma flow along the magnet radial diffusion, magnetic induction the magnetic induction intensity is greater than the source terminal set magnet magnet, coating. The RF plasma enhanced chemical vapor deposition method using the synergistic effect of the magnet and the magnet source terminal, which limits the field distribution and regulation of plasma beam in the coating chamber, the plasma beam to achieve stable and controllable distance distribution, ion density of plasma beam and plasma ion density near the indoor plasma source is realized long term stability of plasma beam propagation.
【技术实现步骤摘要】
一种射频等离子体增强化学气相沉积方法及装置
本专利技术属于射频等离子体增强化学气相沉积领域,具体涉及一种射频等离子体增强化学气相沉积方法及装置。
技术介绍
等离子体增强化学气相沉积是利用低温等离子体源进行气体放电而使反应气体等离子体化,从而打开反应气体的化学键,造成反应气体的裂解,促使裂解物在基底上沉积形成固态薄膜。低温等离子体放电主要包括直流、射频和微波三种形式。射频等离子体放电与直流放电相比,能够在较低的气压下工作,电离作用更加显著,空间分布很均匀;与微波放电相比,射频电源的性价比更高且电源功率较大,且微波辉光放电的能量高,一般只能用于对金属和无机材料的处理。以上这些特点使得射频等离子体放电成为工业应用最普遍的选择。目前射频等离子体增强化学气相沉积主要采用管式射频等离子增强化学气相沉积方法,其是依赖管式腔体限制等离子体,通过对反应腔体的整体加热,促进等离子体的稳定性,镀膜过程能耗高,等离子体在管式腔体的纵向分布不够稳定,因而影响镀膜产品的化学均匀性。对管式射频等离子体增强化学气相沉积方法进行改进以工业生产的要求具有重要的技术意义和广阔的应用前景。授权公告号为CN101805895B的专利公开了一种螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置,包括等离子体产生室(绝缘电介质管)及与等离子体产生室连通的镀膜室(高真空腔体),等离子体产生室外设有用于激发螺旋波等离子体的射频天线,还设有用于产生轴向磁场以满足螺旋波传播条件的源磁体(线圈),镀膜室外设有用于约束电子的辅助线圈。该化学气相沉积装置在工作时,套设于镀膜室的外周上的辅助线圈,其产生的轴向磁场与镀膜室的横向内径相 ...
【技术保护点】
一种射频等离子体增强化学气相沉积方法,其特征在于,包括以下步骤:对镀膜室进行抽真空,由等离子体产生室通入反应气体,开启与射频天线连接的射频源以激发反应气体等离子化,在镀膜室上相对等离子体发生室的一侧设置有用于约束等离子体流沿径向扩散的终端磁体,设定终端磁体的磁感应强度大于源磁体的磁感应强度,镀膜。
【技术特征摘要】
1.一种射频等离子体增强化学气相沉积方法,其特征在于,包括以下步骤:对镀膜室进行抽真空,由等离子体产生室通入反应气体,开启与射频天线连接的射频源以激发反应气体等离子化,在镀膜室上相对等离子体发生室的一侧设置有用于约束等离子体流沿径向扩散的终端磁体,设定终端磁体的磁感应强度大于源磁体的磁感应强度,镀膜。2.如权利要求1所述的射频等离子体增强化学气相沉积方法,其特征在于,终端磁体与源磁体同轴设置。3.如权利要求1或2所述的射频等离子体增强化学气相沉积方法,其特征在于,镀膜室上还设有与终端磁体的磁场方向呈夹角设置的换向磁体,用于改变等离子体束流的运动方向;换向磁体、终端磁体、源磁体的磁感应强度依次减小。4.如权利要求1所述的射频等离子体增强化学气相沉积方法,其特征在于,对镀膜室抽真空至真空度不大于10-4mbar,镀膜时维持真空度为10-2~10-4mbar。5.一种射频等离子体增强化学气相沉积装置,包括等离子体产生室...
【专利技术属性】
技术研发人员:邵国胜,
申请(专利权)人:郑州新世纪材料基因组工程研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:河南,41
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