一种表面增强基底的制备与标定性能的方法技术

本发明专利技术公开了一种表面增强基底的制备与标定性能的方法，通过动态阴影沉积技术，利用电子束蒸发薄膜沉积系统，在高真空度条件下在干净的玻璃片上生长均匀倾斜排列的银纳米棒阵列，该方法制备的表面增强基底具有特殊的银纳米棒阵列结构，这使得它具有高灵敏度以及优越的稳定性，该方法生产出的表面增强基底重复度高，同一批次不同表面增强基底的SERS强度变化不到10％，不同批次基底的SERS强度变化不到15％，相比其他纳米结构制备技术可控性强、成本低、重复度高，并且适应于大规模生产。

Method for preparing and calibrating performance of surface enhanced substrate

The invention discloses a preparation method of substrate surface enhanced performance and calibration, the dynamic shadow deposited by electron beam evaporation deposition system in high vacuum conditions in the clean glass plate on the growth of uniform titled nanorod array, the surface prepared by substrate with silver nanorods the special structure of the array, which makes it has high sensitivity and excellent stability, high repeatability of surface produced by the method of the substrates, the same batch of different substrate surface enhanced SERS intensity variation is less than 10%, no change of SERS intensity of the same batch of substrate is less than 15%, compared to other nano structure fabrication technology controllability strong, low cost, high repeatability, and is suitable for mass production.

【技术实现步骤摘要】
一种表面增强基底的制备与标定性能的方法
本专利技术涉及一种表面增强基底的制备与标定性能的方法。
技术介绍
许多年来，人们通过不同的方法对纳米结构尺寸、间隙等特征进行调整以获得理想的SERS活性基底。目前，利用贵金属溶胶-凝胶法、纳米小球排布法、电化学腐蚀法、电子束光刻法、模板法以及动态阴影沉积技术等一些特殊制备纳米材料的方法能够得到满足条件的SERS活性基底，其普遍存在制备过程复杂、成本高、可重复性差等缺陷。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种表面增强基底的制备与标定性能的方法，该方法制备的表面增强基底具有特殊的银纳米棒阵列结构，这使得它具有高灵敏度以及优越的稳定性，该方法生产出的表面增强基底重复度高，同一批次不同表面增强基底的SERS强度变化不到10％，不同批次基底的SERS强度变化不到15％，相比其他纳米结构制备技术可控性强、成本低、重复度高，并且适应于大规模生产。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术手段：本专利技术提供一种表面增强基底的制备方法，通过动态阴影沉积技术，利用电子束蒸发薄膜沉积系统，在高真空度条件下在干净的玻璃片上生长均匀倾斜排列的银纳米棒阵列，具体步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面增强基底的制备方法，其特征在于，通过动态阴影沉积技术，利用电子束蒸发薄膜沉积系统，在高真空度条件下在干净的玻璃片上生长均匀倾斜排列的银纳米棒阵列，具体步骤为：(1)将玻璃片切割成1×1cm2大小的正方形，浸泡于混合洗涤液中煮沸20min，取出后用二次去离子水冲洗三遍，氮气吹干后放入沉积室中；(2)确认坩埚内蒸镀材料银和钛的体积是否占坩埚体积的70％，确认膜厚传感器的寿命是否大于30％，检查整机冷却水循环是否正常，样品台转动是否正常；(3)在控制柜系统操作的真空界面中选择自动抽真空，约1.5小时后真空度达到5×10‑7Torr后，进行基底的制备；(4)设置材料参数、膜厚、速率以及选择传感...

【技术特征摘要】
1.一种表面增强基底的制备方法，其特征在于，通过动态阴影沉积技术，利用电子束蒸发薄膜沉积系统，在高真空度条件下在干净的玻璃片上生长均匀倾斜排列的银纳米棒阵列，具体步骤为：(1)将玻璃片切割成1×1cm2大小的正方形，浸泡于混合洗涤液中煮沸20min，取出后用二次去离子水冲洗三遍，氮气吹干后放入沉积室中；(2)确认坩埚内蒸镀材料银和钛的体积是否占坩埚体积的70％，确认膜厚传感器的寿命是否大于30％，检查整机冷却水循环是否正常，样品台转动是否正常；(3)在控制柜系统操作的真空界面中选择自动抽真空，约1.5小时后真空度达到5×10-7Torr后，进行基底的制备；(4)设置材料参数、膜厚、速率以及选择传感器，使用一号电子枪以0.2nm/s蒸镀速率匀速沉积20nm厚的Ti薄膜，随后使用二号电子枪以0.3nm/s的速率沉积200nm厚的A...

【专利技术属性】
技术研发人员：张新民，万巧云，禚昌岩，
申请(专利权)人：徐州赛恩斯源新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32