退膜后ITO薄膜方阻值的控制方法技术

本发明专利技术的目的是为了解决退膜后最终方阻的超差问题以及利用退膜来控制其方阻的增长率，使原材料能通过两次加工达到所需的预定值。本发明专利技术具体包括如下步骤：步骤一、封堵部分退膜段的喷淋；步骤二、调节退膜段的滚轮速度；步骤三、设定退膜药水温度；步骤四、对耐酸油墨进行冲洗退膜。本发明专利技术的积极进步效果在于加快了退膜的速度并且缩短了退膜的行程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种退膜后ITO薄膜方阻值的控制方法。
技术介绍
IT0 (Indium Tin Oxides)作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性， 可以切断对人体有害的电子辐射，紫外线及远红外线。因此，喷涂在玻璃，塑料及电子显示 屏上后，在增强导电性和透明性的同时切断对人体有害的电子辐射及紫外、红外。在ITO的退膜工艺过程中，用目前的退膜方式，固定一个参数，退膜后方阻比退膜前要 增加50欧姆左右。由于原材料进料有上下限标准，如果材料在上限的话，再经过退膜处理最 终的方阻值可能就会超差。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决退膜后最终方阻的超差问题以及利用退膜来控制其方阻的增 长率，使原材料能通过两次加工达到所需的预定值。本专利技术的方法具体包括如下步骤 步骤一、封堵部分退膜段的喷淋； 步骤二、调节退膜段的滚轮速度； 步骤三、设定退膜药水温度； 步骤四、对耐酸油墨进行冲洗退膜。本专利技术的积极进步效果在于使退膜从时间上进行縮短，尽量保证在最短的时间里能使 IT0 FILM (IT0薄膜)退膜干净，所以加快了退膜的速度并且縮短了退膜的行程。附图说明图l是本专利技术描述的退膜过程示意图具体实施例方式3下面结合图l具体描述本专利技术的实施方式。 实施例l用堵头4堵去前3排喷淋5 ，把退膜段滚轮1速度调至1819，退膜药水温度设定至30度， 对耐酸油墨3进行冲洗退膜，退膜前ITO FILM 2方阻为350 Q \口，该条件下退膜后方阻升为370 ^n口，升高了20Q。实施例2堵去前3排喷淋，把退膜段滚轮1速度调至1819，退膜药水温度设定至37度，对耐酸油 墨3进行冲洗退膜，退膜前ITO FILM 2方阻为350 0\口，该条件下退膜后方阻升为385 0\口， 升高了35Q。实施例3堵去前3排喷淋，把退膜段滚轮1速度调至1819，退膜药水温度设定至45度，对耐酸油 墨3进行冲洗退膜，退膜前ITO FILM 2方阻为350 0\口，该条件下退膜后方阻升为400 0\口， 升高了50Q。权利要求1、一种退膜后ITO薄膜方阻值的控制方法，其特征在于，包括如下步骤步骤一、封堵部分退膜段的喷淋；步骤二、调节退膜段的滚轮速度；步骤三、设定退膜药水温度；步骤四、对耐酸油墨进行冲洗退膜。全文摘要本专利技术的目的是为了解决退膜后最终方阻的超差问题以及利用退膜来控制其方阻的增长率，使原材料能通过两次加工达到所需的预定值。本专利技术具体包括如下步骤步骤一、封堵部分退膜段的喷淋；步骤二、调节退膜段的滚轮速度；步骤三、设定退膜药水温度；步骤四、对耐酸油墨进行冲洗退膜。本专利技术的积极进步效果在于加快了退膜的速度并且缩短了退膜的行程。文档编号C03C17/23GK101462833SQ200710172470公开日2009年6月24日 申请日期2007年12月18日 优先权日2007年12月18日专利技术者唐民超 申请人:上海晨兴电子科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种退膜后ＩＴＯ薄膜方阻值的控制方法，其特征在于，包括如下步骤：　步骤一、封堵部分退膜段的喷淋；　步骤二、调节退膜段的滚轮速度；　步骤三、设定退膜药水温度；　步骤四、对耐酸油墨进行冲洗退膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐民超，
申请(专利权)人：上海晨兴电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]