本发明专利技术公开了一种薄膜电子器件的生产控制方法、装置及系统，其中，所示方法包括：利用第一掩模版完成第一刻蚀并获得第一电路图形后，检测所述第一电路图形的实际性能参数；计算所述实际性能参数与所述薄膜电子器件的目标性能参数之差；根据计算结果，确定所述第一电路图形的修正方案和第二掩模版；根据所述修正方案，利用第二掩模版完成第二刻蚀，获得修正后的第二电路图形。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体生产领域，尤其涉及一种薄膜电子器件的生产控制方法、装置 及系统。
技术介绍
高精度薄膜电子器件，在制造时需依靠薄膜厚度保证器件工作特性的精度。但常 见的镀膜设备最多只能保证-5%~+5%左右的厚度精度，若器件工作特性精度要求高于 镀膜厚度控制精度，则会导致器件生产良率过低，或者无法生产。 因此，当前薄膜电子器件往往在完成生产后，利用激光熔断金属或多晶硅，以达到 修正电路图形的目的，进而获取薄膜电子器件目标工作特性。但激光设备并非制造薄膜电 子器件的常规设备，需额外购买，导致生产成本增加。同时，激光熔断通常一次只能针对一 个点部位，修改的范围较小，无法达到较大面积电路图形修改的目的，电路图形修正的效率 不高。并且，激光熔断的精度不足，对高精度微调过程无法把控。
技术实现思路
为解决现有存在的技术问题，本专利技术实施例期望提供一种薄膜电子器件的生产控 制方法、装置及系统，能不增加额外生成设备实现对图形的精确修正。 本专利技术实施例的技术方案是这样实现的： 本专利技术实施例提供一种薄膜电子器件的生产控制方法，该方法包括： 利用第一掩模版完成第一刻蚀并获得第一电路图形后，检测所述第一电路图形的 实际性能参数； 计算所述实际性能参数与所述薄膜电子器件的目标性能参数之差； 根据计算结果，确定所述第一电路图形的修正方案和第二掩模版； 根据所述修正方案，利用第二掩模版完成第二刻蚀，获得修正后的第二电路图形。 上述方案中，所述根据计算结果，确定所述第一电路图形的修正方案和第二掩模 版包括： 根据计算结果，确定需要进行修正的图形面积； 参考第一掩模版，根据需要修正图形的面积，确定修正图形及其具体位置和尺 寸； 根据修正图形及其具体位置和尺寸，选择第二掩模版，并确定第二掩模版与第一 电路图形的相对位置关系。 上述方案中，所述根据修正图形及其具体位置和尺寸，选择第二掩模版，并确定第 二掩模版与第一电路图形的相对位置关系包括： 根据修正图形的形状选择第二掩模版； 根据修正图形的具体位置和尺寸确定第二掩模版与第一图形的相对位置关系，计 算出第二掩模版所需的偏移尺寸。 上述方案中，所述根据所述修正方案，利用第二掩模版完成第二刻蚀，获得修正后 的第二电路图形包括： 使第二掩模版原点与第一电路图形原点做相对位移，位移尺寸为上述偏移尺寸； 对第一电路图形进行第二刻蚀，获得修正后的第二电路图形。 上述方案中，所述方法还包括： 当修正后的第二电路图形中仍有需要修正的部分时，将所述第二电路图形作为第 一电路图形进行修正。 本专利技术实施例提供还提供一种薄膜电子器件的生产控制装置，该装置包括：检测 模块、计算模块、方案确定模块以及修正模块；其中， 检测模块，用于利用第一掩模版完成第一刻蚀并获得第一电路图形后，检测所述 第一电路图形的实际性能参数； 计算模块，用于计算所述实际性能参数与所述薄膜电子器件的目标性能参数之 差； 方案确定模块，用于根据计算结果，确定所述第一电路图形的修正方案和第二掩 丰吴版； 修正模块，用于根据所述修正方案，利用第二掩模版完成第二刻蚀，获得修正后的 第二电路图形。 上述方案中，所述计算模块包括： 面积计算单元，用于根据计算结果，确定需要进行修正的图形面积； 图形确定单元，用于参考第一掩模版，根据需要修正图形的面积，确定修正图形及 其具体位置和尺寸； 掩模版确定单元，用于根据修正图形及其具体位置和尺寸，选择第二掩模版，并确 定第二掩模版与第一电路图形的相对位置关系。 上述方案中，所述掩模版确定单元包括： 掩模版选择子单元，用于根据修正图形的形状选择第二掩模版； 位置确定子单元，用于根据修正图形的具体位置和尺寸确定第二掩模版与第一图 形的相对位置关系，计算出第二掩模版所需的偏移尺寸。 上述方案中，所述修正模块包括： 位移单元，用于使第二掩模版原点与第一电路图形原点做相对位移，位移尺寸为 上述偏移尺寸； 刻蚀单元，用于对第一电路图形进行第二刻蚀，获得修正后的第二电路图形。 本专利技术实施例还提供一种薄膜电子器件的生产控制系统，包括检测设备、刻蚀设 备和上述任意一种生产控制装置。 本专利技术实施例所提供的薄膜电子器件的生产控制方法、装置及系统，利用薄膜电 子器件生产流程中常见的刻蚀设备，取代激光设备，在薄膜电子器件第一电路图形生产完 成后，测试其实际的性能参数，并根据测试结果与目标性能参数之差，确定第一电路图形的 修正方案和第二掩模版，利用刻蚀设备对第一电路图形进行再次刻蚀，达到修正电路图形 的目的。如此，通过小范围图形修正的方式，规避了镀膜设备镀膜精度不高，无法满足高精 度薄膜器件工作特性的问题。与激光熔断技术相比，该方法只需使用薄膜电子器件生产中 常见的刻蚀设备，无需额外购买其他设备，降低了修正成本。由于利用掩模版偏移刻蚀，图 形方面，可以做较大的条形刻蚀和矩形刻蚀，解决了激光熔断只能做单点修正的局限。同 时，现有的刻蚀技术已经可以做到0.1 um以下尺寸的精度控制，比激光熔断可控精度要高。【附图说明】 图1为本专利技术实施例提供的薄膜电子器件的生产控制方法的实现流程示意图； 图2为本专利技术实施例提供的薄膜电子器件的生产控制装置的组成结构示意图； 图3为本专利技术提供的生产控制方法应用于一生产场景中的生产流程及各步骤所 对应的薄膜电子器件的电路图形示意图； 图4为本专利技术提供的生产控制方法应用于一生产场景时理想设计图形示意图； 图5为本专利技术提供的生产控制方法应用于一生产场景时第一电路图形示意图； 图6为本专利技术提供的生产控制方法应用于一生产场景时第二电路图形示意图。【具体实施方式】 为了更清楚地说明本专利技术实施例和技术方案，下面将结合附图及实施例对本专利技术 的技术方案进行更详细的说明，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全 部实施例。基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获 得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。 在本专利技术实施例提供一种薄膜电子器件的生产控制装置，该装置可控制生产薄膜 电子器件的其它生产设备的运行，包括控制镀膜设备先在平面基底材料上，根据薄膜电子 器件目标功能及特性，镀一层小于Ium厚度的薄膜，这里，薄膜材料根据器件功能及特性要 求不同而不同。该生产控制装置还可根据薄膜电子器件的目标性能参数设计掩模版，并使 刻蚀设备利用掩模版在已镀膜的基底上对薄膜进行刻蚀，形成电路图形。现有的镀膜工艺 和刻蚀工艺都存在一定的偏差，因此，只经过一次刻蚀而形成的电路图形中往往存在一处 或多处图形形状需要被消减（即修正），这里，称需要被消减掉的部分为修正图形。 图1为本专利技术实施例提供的薄膜电子器件的生产控制方法的实现流程示意图，如 图1当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜电子器件的生产控制方法，其特征在于，所述方法包括：利用第一掩模版完成第一刻蚀并获得第一电路图形后，检测所述第一电路图形的实际性能参数；计算所述实际性能参数与所述薄膜电子器件的目标性能参数之差；根据计算结果，确定所述第一电路图形的修正方案和第二掩模版；根据所述修正方案，利用第二掩模版完成第二刻蚀，获得修正后的第二电路图形。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙轶群，
申请(专利权)人：深圳市盛德金科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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