钛酸钡类半导体陶瓷、钛酸钡类半导体陶瓷组合物和温度检测用正特性热敏电阻制造技术

本发明专利技术提供一种室温电阻小、检测温度低、检测精度高的温度检测用正特性热敏电阻。半导体陶瓷(1)使用如下的钛酸钡类半导体陶瓷：含有包含Ba、Ca、Sr和Ti的钙钛矿类化合物作为主成分，还含有R(R选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种)、Mn和Si，在将该钛酸钡类半导体陶瓷溶解的情况下，将Ti定为100摩尔份时的Ca的含有摩尔份x、Sr的含有摩尔份y、Mn的含有摩尔份z为20≤x≤25、19≤y≤25、0.01≤z≤0.03，且在0.01≤z＜0.019时，y≥‑0.8x+37，在0.021＜z≤0.03时，y≤‑x+48。

Barium titanate type semiconducting ceramic, barium titanate type semiconductor ceramic composition and positive thermal resistance for temperature detection

The invention provides a positive resistance thermistor for temperature detection with small temperature resistance, low detection temperature and high detection accuracy. (1) the use of semiconductor ceramic barium titanate semiconductor ceramic as follows: containing perovskite compounds containing Ba, Ca, Sr and Ti as the main component, also contains at least one R (R, La, Ce, Y from Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, and Si) in Mn, the barium titanate semiconductor ceramic dissolved under the condition of Ti is 100 phr Ca Moore Moore contains portions of X, Sr y, Mn containing Moore Moore containing Z 20 = x = 19 = 25. Y = 25, z = 0.01 ~ 0.03, and in 0.01 < Z < 0.019, y = in 0.8x+37, 0.021 < Z < 0.03, y < x+48.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】钛酸钡类半导体陶瓷、钛酸钡类半导体陶瓷组合物和温度检测用正特性热敏电阻
本专利技术涉及一种钛酸钡类半导体陶瓷、钛酸钡类半导体陶瓷组合物、温度检测用正特性热敏电阻。更详细而言，本专利技术涉及一种室温电阻小、检测温度低、检测精度高的温度检测用正特性热敏电阻、以及适合制造这样的温度检测用正特性热敏电阻的钛酸钡类半导体陶瓷、钛酸钡类半导体陶瓷组合物。
技术介绍
在膝上型个人计算机或平板终端等电子机器中，正特性热敏电阻(PTC热敏电阻)被用作检测内部的异常发热等的温度检测元件。正特性热敏电阻的从室温(例如25℃)至居里点的电阻值几乎恒定，如果超过居里点，电阻值则急剧增加。温度检测用的正特性热敏电阻是将其性质应用在温度检测上的热敏电阻。对于温度检测用的正特性热敏电阻，要求其具有室温电阻小、检测温度低、检测精度高等的特性。要求室温电阻小的理由在于：若室温电阻小，则可实现如下用法：将多个正特性热敏电阻串联连接，总括地监视多个地方的异常发热。再者，作为室温电阻的指标，一般使用25℃下的比电阻，即ρ25。另外，要求检测温度低的理由在于：若检测温度低，即使是稍微的异常发热，都能检测到。或者，在电子器件内，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钛酸钡类半导体陶瓷，它是含有包含Ba、Ca、Sr和Ti的钙钛矿类化合物作为主成分，还含有R、Mn和Si的钛酸钡类半导体陶瓷，其中R选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种，其特征在于，在将该钛酸钡类半导体陶瓷溶解的情况下，将Ti定为100摩尔份时的Ca的含有摩尔份x、Sr的含有摩尔份y、Mn的含有摩尔份z为如下关系：20≤x≤25；19≤y≤25；0.01≤z≤0.03，且在0.01≤z＜0.019时，y≥‑0.8x+37，在0.021＜z≤0.03时，y≤‑x+48。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.26 JP 2014-2391741.一种钛酸钡类半导体陶瓷，它是含有包含Ba、Ca、Sr和Ti的钙钛矿类化合物作为主成分，还含有R、Mn和Si的钛酸钡类半导体陶瓷，其中R选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种，其特征在于，在将该钛酸钡类半导体陶瓷溶解的情况下，将Ti定为100摩尔份时的Ca的含有摩尔份x、Sr的含有摩尔份y、Mn的含有摩尔份z为如下关系：20...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部直晃，松永达也，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP